| 요약 |
본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 반도체 레이저 제조 기술에 관한 것이며, 더 자세히는 자동정렬 구조의 평면 매립형 반도체 레이저 제조 기술에 관한 것이다. 본 발명은 공정 단계를 단순화하여 수율을 개선하고, 신뢰성의 핵심 기술이 되는 메사 측면의 건식 및 습식 식각 공정을 재현성있는 공정으로 대체할 수 있는 평면 매립형 반도체 레이저 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명의 특징적인 평면 매립형 반도체 레이저 제조방법은, (0 -1 1) 결정면을 가진 기판 상에 메사 영역이 오픈된 마스크 질화막 패턴을 형성하는 제1 단계; 선택적 결정성장 기술을 사용하여 상기 메사 영역에 공진기를 이루는 버퍼층, 활성층 및 제1 클래드층을 차례로 에피 성장시키되, 상기 공진기가 그 측면이 (111)B 결정면을 가지는 피라미드 구조를 이루도록 하는 제2 단계; 상기 마스크 질화막 패턴을 제거하는 제3 단계; 및 상기 제3 단계 수행 후, 전류차단층, 제2 클래드층 및 오믹 콘택층을 에피 성장시키는 제4 단계를 포함하여 이루어진다. 즉, 본 발명은 선택적 결정성장(selective area growth) 기술을 이용하여 신뢰도 문제를 유발하는 활성층 측면에 식각 공정을 배제하면서 자동으로 활성층 부분이 정렬되도록 하고, 재성장을 포함한 반도체 공정을 대폭 줄이는 기술로서, 재현성 및 신뢰성이 개선되고 경제적인 광원 제작을 가능하게 한다.평면 매립형 반도체 레이저, 메사 구조, 미라미드, 선택적 결정 성장, 자동정렬
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