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반도체 기판(10) 상에 결정 성장된 활성층(11), 완충층(12), 이득 결합층(13) 및 클래드층(14)을 포함하여 수직 구조로 구성되는 이득 결합형 분포 궤환 반도체 레이저에 있어서, 상기 이득 결합층(13)에 회절격자를 형성하고, 회절격자가 형성된 이득 결합층(13)을 상기 활성층(11)에 인접하여 배치하며, 상기 이득 결합층(13)의 회절격자 사이를 굴절률 보상층(15)으로 채워 공진기 길이 방향의 굴절률 변조를 상쇄시킨 것을 특징으로 하는 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저
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제1항에 있어서, 상기 이득 결합층(13)과 회절격자 사이를 채우는 굴절률 보상층(15)이 활성층(11)의 상부 또는 하부에 배치된 것을 특징으로 하는 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이득 결합층(13)의 밴드갭 에너지는 상기 활성층(11) 보다 작거나 같고 상기 굴절률 보상층(15)의 밴드갭 에너지는 활성층(11) 보다 큰 것을 특징으로 하는 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이득 결합층(13)의 회절격자의 단면적과 이득 결합층(13)의 굴절률의 곱이 굴절률 보상층(15)의 단면적과 굴절률의 곱과 같은 것을 특징으로 하는 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 완충층(12) 및 클래드층(14)의 밴드갭 에너지가 상기 활성층(11), 이득 결합층(13) 및 굴절률 보상층(15) 보다 큰 것을 특징으로 하는 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저
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반도체 기판(10) 상에 이종 접합 구조의 활성층(11)과 완충층(12) 및 이득 결합층(13)을 액상결정성장 장비나 유기금속화학증착 장비를 이용하여 성장시키는 제1 공정과; 레이저 홀로그래피 또는 전자빔 리소그래피 방법으로 원하는 주기의 회절격자를 유전체막(20)을 식각 마스크로 사용하여 이득 결합층(13)에 형성시키는 제2 공정과; 회절격자 식각용 마스크로 사용된 상기 유전체막(20)을 그대로 둔 채 회절격자의 식각한 후, 제거된 부분을 굴절률 보상층(15)으로 채우는 제3 공정과; 상기 유전체막(20)을 제거한 후 클래드층(14)을 재성장 시키는 제4 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저 제조방법
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반도체 기판(10) 상에 이득 결합층(13)을 성장시키는 제1 공정과; 레이저 홀로그래피 또는 전자빔 리소그래피 방법으로 원하는 주기의 회절격자를 유전체막(20)을 식각 마스크로 사용하여 상기 이득 결합층(13)에 형성하는 제2 공정과; 상기 유전체막(20)을 그대로 둔 채 회절격자의 식각한 후, 제거된 부분을 굴절률 보상층(15)을 채우는 제3 공정과; 상기 유전체막(20)을 제거한 후 완충층(12), 활성층(11), 클래드층(14)을 차례로 성장하는 제4 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 이득결합 분포 궤환형 반도체 레이저 제조방법
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