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다채널 어레이 광소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015077352
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다채널 어레이 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 다채널 수동필터 어레이 및 다채널 표면방출 레이저 어레이등을 포함하는 다채널 어레이 광소자를 제조함에 있어서, 다단계의 이진마스크 및 선택적인 산화공정을 실시하여 파장조절 및 거울층 형성을 동시에 이룸으로서 균일한 파장간격과 정밀한 파장을 얻도록 한 다채널 어레이 광소자의 제조방법에 관한 것이다. 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체 기판위에 다수의 반도체 거울층을 형성하는 공정과, 상기 다수의 반도체 거울층위에 산화방지막을 형성하는 공정과, 상기 산화방지막이 형성된 다수의 반도체 거울층중 파장을 조절할 반도체 거울층이 노출되도록 이진마스크를 이용하여 해당 산화방지막을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 산화방지막의 선택적인 제거에 의해 노출된 반도체 거울층을 산화시키는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990059434 (1999.12.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0317988-0000 (2001.12.06)
공개번호/일자 10-2001-0057237 (2001.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20011224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권오균 대한민국 대전광역시유성구
2 유병수 대한민국 대전광역시서구
3 신재헌 대한민국 대전광역시유성구
4 백종협 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1999-0175923-29
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 등록결정서
Decision to grant		 2001.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0257035-10
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판위에 다수의 반도체 거울층을 형성하는 제 1공정,

상기 다수의 반도체 거울층위에 산화방지막을 형성하는 제 2공정,

상기 산화방지막이 형성된 다수의 반도체 거울층중 파장을 조절할 반도체 거울층이 노출되도록 이진마스크를 이용하여 해당 산화방지막을 선택적으로 제거하는 제 3공정,

상기 산화방지막의 선택적인 제거에 의해 노출된 반도체 거울층을 산화시키는 제 4공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 다채널 어레이 광소자의 제조방법
2 2

제 1항에 있어서,

상기 잔존하는 산화방지막을 제거하는 제 5공정,

상기 제3공정의 이진마스크와 노광폭이 다른 이진마스크들을 이용하여 상기 제 2 내지 제 5공정을 반복수행함에 의해 반도체 거울층의 파장을 조절하는 제 6공정을 추가하여 이루어진 것을 특징으로 하는 다채널 어레이 광소자의 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 상기 반도체 거울층은 산화에 안정적인 층, 산화속도 조절이 가능한 층, 산화에 민감한 층, 산화속도 조절이 가능한 층 및 산화에 안정적인 층의 순서로 적층된 것을 반복하여 형성함을 특징으로 하는 다채널 어레이 광소자의 제조방법

4 4

제 3항에 있어서, 상기 산화에 안정적인 층은 갈륨비소(GaAs)층, 상기 산화속도 조절이 가능한 층은 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)층, 상기 산화에 민감한 층은 알루미늄비소(AlAs)층인 것을 특징으로 하는 다채널 어레이 광소자의 제조방법

5 5

제 4항에 있어서, 상기 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)층은 Al의 양에 따라 산화속도가 조절됨을 특징으로 하는 다채널 어레이 광소자의 제조방법

6 6

제 1항에 있어서, 상기 산화방지막은 실리콘질화막(SiNx)인 것을 특징으로 하는 다채널 어레이 광소자의 제조방법

7 7

제 1항에 있어서, 상기 산화공정은 H2O 및 N2분위기에서 약 400℃ 내지 450℃의 온도로 진행되는 습식산화공정인 것을 특징으로 하는 다채널 어레이 광소자의 제조방법

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1 US6475818 US 미국 DOCDBFAMILY
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