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트렌치 드레인 구조를 갖는 전력소자

  • 기술번호 : KST2015077357
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 고전압 전력소자에 관한 것이며, 더 자세히는 원형(race-track type) 전류제어 LDMOS(lateral double diffused MOS) 전력소자에 관한 것이다. 본 발명은 드레인 부근에서의 전류집중 효과를 완화시켜 소자의 전압 이득을 높이며, 고전계 영역에서 핫캐리어(hot career)에 대한 소자 신뢰성을 개선하고, 항복전압을 높일 수 있고, 전류제어가 용이한 원형 전류제어 전력소자를 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명의 트렌치 드레인 구조를 갖는 원형 전류제어 전력소자는 채널영역이 표류영역에서 부분적으로 돌출된 톱니구조를 가지며, 동시에 드레인은 채널과 채널사이로 돌출된 톱니형 트렌치 구조를 가진다. 즉, 본 발명에서 제안하는 원형 전류제어 전력소자는 원형의 LDMOS 소자로서 톱니형 채널 사이에는 필드 산화막이 있어서 채널과 채널간을 격리시키며, 이에 대응하여 톱니형 트렌치 드레인이 표류영역의 길이만큼 떨어져서 톱니형 채널과 서로 어긋나게 맞물려 있다. 따라서, 톱니형 채널과 톱니형 트렌치 드레인의 폭 및 트렌치 깊이를 조절함으로써 드레인 전류를 쉽게 제어할 수 있으며, 드레인을 톱니형 트렌치 구조로 형성함으로써 캐리어가 수평 및 수직방향으로 분산되어 결과적으로 전류집중 효과를 완화시킴으로서 종래의 원형 전력소자보다 소자의 출력저항을 증가시켜 전압이득을 증가시킬 뿐만 아니라, 온(On) 상태에서의 항복전압을 높이며, 핫캐리어에 의한 소자 열화특성을 개선시킬 수 있다. 그리고 p형 에피층, p웰층 및 n형 표류영역 등에 대한 불순물 농도분포, 채널 및 드레인의 선폭길이 등을 최적화하고, RESURF(REduced SURface Field) 특성을 이용하여 소자의 성능을 더욱 개선시킬 수 있다.원형 전류제어 전력소자, 트렌치 드레인 구조, 톱니형 채널, 톱니형 드레인
Int. CL H01L 27/092 (2006.01)
CPC H01L 29/41741(2013.01) H01L 29/41741(2013.01)
출원번호/일자 1019990061152 (1999.12.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0341213-0000 (2002.06.05)
공개번호/일자 10-2001-0057754 (2001.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20020620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이대우 대한민국 대전광역시유성구
2 노태문 대한민국 대전광역시유성구
3 구진근 대한민국 대전광역시유성구
4 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))
3 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1999.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-0179580-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2001.07.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2001.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2001-0014406-86
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2001.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0268889-31
6 의견서
Written Opinion
2001.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-0307761-10
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2001.11.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0307759-17
8 등록결정서
Decision to grant
2002.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0198417-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판상의 제1 도전형 에피택셜층에 제공되는 제2 도전형 표류영역;

상기 에피택셜층에 상기 제2 도전형 표류영역을 둘러싸도록 제공되며, 상기 제2 도전형 표류영역과의 경계면이 톱니 형상을 이루는 제1 도전형 웰 영역;

상기 제1 도전형 웰 영역에 제공되는 제2 도전형 소오스 영역;

상기 제2 도전형 표류영역 내에, 상기 제2 도전형 표류영역과의 경계면이 톱니 형상을 이루도록 제공되며, 그 일부가 톱니 형상의 트렌치 구조를 이루는 제2 도전형 드레인 영역; 및

상기 제2 도전형 소오스 영역 및 상기 제2 도전형 드레인 영역 사이에 제공되는 게이트

를 구비하는 원형 전류제어 전력소자

2 2

제1항에 있어서,

제1 도전형이 p형이며, 상기 제2 도전형이 n형인 것을 특징으로 하는 원형 전류제어 전력소자

3 3

제1항에 있어서,

제1 도전형이 n형이며, 상기 제2 도전형이 p형인 것을 특징으로 하는 원형 전류제어 전력소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.