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전계방출소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077377
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 전계방출소자(field emission device 또는 field emitter)에 관한 것이며, 더 자세히는 전계방출소자 원뿔형 팁 형성에 필수적으로 사용되는 파팅층 형성 공정에 관한 것이다. 본 발명은 대구경의 전계방출 디스플레이의 제작에 부적합한 전자빔 증발기의 사용을 배제할 수 있는 전계방출소자 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 파팅층으로 사용할 물질을 게이트 홀 형성 전에 증착하고, 게이트 홀 형성시 함께 패터닝한 후, 열처리를 통해 파팅층을 확산 또는 리플로우(reflow)시켜 파팅층이 게이트 홀의 입구 크기를 줄일 수 있도록 하였다. 본 발명을 적용하면 스퍼터와 같은 일반 증착 장비를 이용하여 파팅층을 증착할 수 있으므로 박막의 두께 균일도 확보가 용이하며, 따라서 대구경 전계방출소자 특히, 전계 방출 디스플레이의 제작이 가능하도록 한다.전계방출소자, 파팅층, 대구경 디스플레이, 열처리, 리플로우
Int. CL H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1019990059763 (1999.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0329370-0000 (2002.03.07)
공개번호/일자 10-2001-0062975 (2001.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20020322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강승열 대한민국 대전광역시 유성구
2 이진호 대한민국 대전광역시 유성구
3 송윤호 대한민국 대전광역시 서구
4 조경익 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)
3 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1999-0176673-88
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0188526-29
4 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.09.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0237940-11
5 의견서
Written Opinion		 2001.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2001-0238248-02
6 의견서
Written Opinion		 2001.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2001-0237941-56
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.09.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0238247-56
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0317027-41
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.01.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2002-0001540-68
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2002.01.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-7000093-83
11 등록결정서
Decision to grant		 2002.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0065123-72
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

전계방출소자 제조 방법에 있어서,

에미터 전극이 형성된 기판 상에 절연막 및 게이트 전극용 전도막을 적층시키는 단계;

상기 게이트 전극용 전도막이 적층된 전체 구조 상부에 파팅층용 물질막을 형성하는 단계;

팁 영역의 상기 파팅층용 물질막, 상기 게이트 전극용 전도막 및 상기 절연막을 식각하여 게이트 홀을 형성하는 단계; 및

열처리를 실시하여 상기 파팅층용 물질막을 리플로우 시키는 단계

를 포함하는 전계방출소자 제조 방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 게이트 전극용 전도막을 적층시키는 단계 수행 후,

상기 게이트 전극용 전도막 상에 상기 파팅층용 물질막을 구성하는 원소의 열적 확산을 강화시키기 위한 확산 유도층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조 방법

3 3

제1항에 있어서,

상기 파팅층용 물질막은,

알루미늄막인 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조 방법

4 4

제2항에 있어서,

상기 확산 유도층은,

Ti, Ti/TiN, 폴리실리콘, TiW, MoSi2 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조 방법

5 5

제3항에 있어서,

상기 알루미늄막은,

녹는점을 낮추고 확산을 용이하게 하기 위하여 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.