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편광제어 표면방출 레이저 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077378
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전류주입 및 열선층을 이용하여 편광을 제어하는 표면방출 레이저 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 표면방출 레이저는 반도체기판상에 형성된 하부거울층, 공진활성층, 상부거울층을 포함하고, 상기 상부거울층을 포함한 공진활성층 식각 후 매립 되거나 불순물 이온주입에 의한 절연층, 상기 상부거울층에 형성되며 레이징을 위한 전류를 공급받는 제1상부금속층, 상기 절연층에 의해 상기 제1상부금속층과 격리되고 상기 반도체기판에 대해 서로 수직방향으로 편광을 제어하는 제2상부금속층, 상기 반도체기판의 저면에 형성되어 상기 제1상부금속층과 동시에 레이징 전류를 주입받는 제1하부금속층, 상기 반도체 기판의 저면에 상기 제1하부금속층과 일정 거리를 두고 형성되어 상기 제2상부금속층과 동시에 편광제어 전류를 주입받는 제2하부금속층을 포함하여 이루어진다.표면방출 레이저, 편광제어, 전류주입, 열선층
Int. CL H01S 5/20 (2006.01)
CPC H01S 5/18366(2013.01) H01S 5/18366(2013.01) H01S 5/18366(2013.01) H01S 5/18366(2013.01)
출원번호/일자 1019990057254 (1999.12.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0349663-0000 (2002.08.09)
공개번호/일자 10-2001-0055919 (2001.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20020822) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권오균 대한민국 대전광역시유성구
2 유병수 대한민국 대전광역시서구
3 백종협 대한민국 대전광역시서구
4 신재헌 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)
3 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1999-0170010-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0329032-06
4 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.01.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0026842-86
5 의견서
Written Opinion		 2002.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2002-0026844-77
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0267981-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체기판상에 하부거울층, 공진활성층, 상부거울층을 구비하는 표면방출 레이저에 있어서,

레이저발진을 위한 전류가 공급되는 전류주입전극;

상기 공진활성층의 방출빔의 편광방향을 두 개의 수직방향으로 조절하는 편광제어전극; 및

상기 전류주입전극과 편광제어전극을 격리시키는 절연층

을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 표면방출 레이저

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 절연층은 불순물 이온주입법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 표면방출 레이저

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 편광제어전극은 상기 반도체기판상의 (110)방향으로 서로 수직되게 형성되는 두 개의 편광제어전극을 포함함을 특징으로 하는 표면방출 레이저

4 4

반도체기판상에 하부거울층, 공진활성층, 상부거울층을 구비하는 표면방출 레이저에 있어서,

상기 하부거울층, 공진활성층 및 상기 상부거울층으로 이루어지고 소정 간격을 두고 이격된 레이저발생부와 편광제어부;

상기 레이저발생부와 상기 편광제어부 사이에 매립되거나 불순물이온주입에 의해 상기 레이저발생부와 상기 편광제어부를 절연시키는 절연층;

상기 레이저발생부의 상기 상부거울층에 형성되며 레이징을 위한 전류를 공급받는 제1상부금속층;

상기 절연층에 의해 상기 제1상부금속층과 격리되고 상기 편광제어부의 상기 상부거울층상에 형성되어 상기 반도체기판에 대해 서로 수직방향으로 편광을 제어하는 상기 제2상부금속층;

상기 반도체기판의 저면에 형성되어 상기 제1상부금속층과 동시에 레이징 전류를 주입받는 제1하부금속층; 및

상기 반도체 기판의 저면에 상기 제1하부금속층과 일정 거리를 두고 형성되어 상기 제2상부금속층과 동시에 편광제어 전류를 주입받는 제2하부금속층

을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 표면방출 레이저

5 5

하부거울층, 공진활성층, 상부거울층을 포함하는 표면방출 레이저의 제조 방법에 있어서,

반도체기판 상부에 형성된 상기 상부거울층을 포함한 공진활성층을 선택적으로 식각하여 레이저발생부와 편광제어부를 정의하는 단계;

상기 편광제어부와 레이저발생부를 절연시키기 위한 절연층을 형성하는 단계;

상기 레이저발생부의 상부거울층상에 제1상부금속층을 형성하는 단계; 및

상기 편광제어부의 상부거울층상에 상기 반도체기판의 방향에 수직한 방향으로 복수개의 제2상부금속층을 형성하는 단계

를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 표면방출 레이저의 제조 방법

6 6

제 5 항에 있어서,

상기 반도체기판의 저면에 상기 제1상부금속층과 동일하게 레이징을 위한 전류를 주입받는 제1하부금속층과, 상기 제2상부금속층과 동일하게 편광제어를 위한 전류를 주입받는 제2하부금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 표면방출 레이저의 제조 방법

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 제2하부금속층은 상기 제2상부금속층에 편광제어를 위한 전류가 공급될 때 발생되는 레이징을 방지하기 위해 상기 반도체기판의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 표면방출 레이저의 제조 방법

8 8

반도체기판상에 하부거울층, 공진활성층, 상부거울층을 구비하는 표면방출 레이저에 있어서,

불순물 이온주입으로 상기 상부거울층을 포함한 공진활성층, 하부거울층내에 형성된 제1절연층;

상기 상부거울층을 포함한 공진활성층과 절연층을 선택적으로 식각하여 메사구조로 매립된 제2절연층;

상기 상부거울층에 형성되며 레이징을 위한 전류를 공급받는 전류주입전극;

상기 공진활성층과 일정간격 거리를 두고 상기 제2절연층에 매립되며 상기 반도체기판에 대해 서로 수직한 방향으로 형성된 열선층; 및

상기 제2절연층을 관통하여 상기 열선에 편광제어를 위한 열을 공급하는 편광제어전극

을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 표면방출 레이저

9 9

제 8 항에 있어서,

상기 제2절연층은 폴리이미드 및 반도체 절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면방출 레이저

10 10

제 8 항에 있어서,

상기 열선층은 상기 반도체기판상의 (110)으로 서로 수직되게 형성된 것을 특징으로 하는 표면방출 레이저

11 11

반도체기판상에 형성된 하부거울층, 공진활성층, 상부거울층을 포함하는 표면방출 레이저의 제조 방법에 있어서,

상기 상부거울층을 포함한 공진활성층, 하부거울층내에 이온주입마스크를 이용한 불순물이온주입으로 제1절연층을 형성하는 단계;

상기 상부거울층상에 제1상부금속층을 형성하는 단계;

상기 제1상부금속층을 마스크로 이용하여 상기 상부거울층을 포함한 제1절연층을 상기 공진활성층의 표면까지 식각하는 단계;

상기 결과물의 일측에 열선층을 형성하는 단계;

상기 제1상부금속층의 양측에 제2절연층을 매립하는 단계; 및

상기 제2절연층을 관통하여 상기 열선층과 전기적으로 연결되는 제2상부금속층을 형성하는 단계

를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 표면방출 레이저의 제조 방법

12 12

제 11 항에 있어서,

상기 열선층은 상기 반도체기판의 (110)방향으로 수직되게 형성되는 것을 특징으로 하는 표면방출 레이저의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.