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집적형 변압기를 포함한 전력증폭기용 집적 바이어스회로의 구조 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077380
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전력증폭기용 이종접합쌍극자트랜지스터 소자의 직류바이어스 회로에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 준절연성 화합물반도체 기판상에 순차적으로 성장된 버퍼층, 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 캡층으로 구성된 에피층, 상기 에피층의 에미터층 상부를 선택적 식각하여 형성된 저항성 에미터금속전극, 상기 베이스층 상부를 선택적 식각하여 형성된 저항성 베이스금속전극, 상기 부컬렉터층 상부를 선택적 식각하여 상기 저항성 베이스금속전극과 연결되는 저항성 컬렉터금속전극, 상기의 결과물상에 소자분리 식각을 통하여 상기 버퍼층 상부에 형성된 1차 배선금속, 상기 결과물상에 형성된 1차 비아홀을 포함한 1차 절연성 표면보호막, 상기 1차 비아홀을 포함한 상부에 형성된 2차 배선금속을 포함한 자계유도 철심, 상기 자계유도철심을 포함한 상부에 형성된 2차 비아홀을 포함한 2차 절연성 표면보호막, 상기 2차 비아홀을 포함한 상부에 형성된 3차 배선금속을 포함하여 이루어진다.이종접합쌍극자트랜지스터, 철심권선형변압기, 직류바이어스회로
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/737(2013.01) H01L 29/737(2013.01)
출원번호/일자 1019990057292 (1999.12.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2001-0055955 (2001.07.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.13)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 대전광역시중구
2 박문평 대한민국 대전광역시유성구
3 박성호 대한민국 대전광역시유성구
4 이경호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))
3 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1999-0170071-73
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0204153-79
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0334209-08
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

이종접합쌍극자트랜지스터에 있어서,

준절연성 화합물반도체 기판상에 순차적으로 성장된 버퍼층, 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 캡층으로 구성된 에피층;

상기 에피층의 에미터층 상부를 선택적 식각하여 형성된 저항성 에미터금속전극;

상기 베이스층 상부를 선택적 식각하여 형성된 저항성 베이스금속전극;

상기 부컬렉터층 상부를 선택적 식각하여 상기 저항성 베이스금속전극과 연결되는 저항성 컬렉터금속전극;

상기의 결과물상에 소자분리 식각을 통하여 상기 버퍼층 상부에 이종접합쌍극자트랜지스터와 집적형변압기를 연결하기 위해 형성된 1차 배선금속;

상기 결과물상에 형성된 1차 비아홀을 포함한 1차 절연성 표면보호막;

상기 1차 비아홀을 포함한 상부에 형성된 2차 배선금속을 포함한 자계유도 철심;

상기 자계유도철심을 포함한 상부에 형성된 2차 비아홀을 포함한 2차 절연성 표면보호막; 및

상기 2차 비아홀을 포함한 상부에 형성된 3차 배선금속

을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 집적형 변압기를 포함한 바이어스회로를 갖는 전력증폭기

2 2

이종접합쌍극자트랜지스터에 있어서,

집적형 변압기의 1차측 권선을 상기 이종접합쌍극자트랜지스터의 베이스입력단에 연결하고, 상기 집적형 변압기의 2차측 권선을 상기 이종접합쌍극자트랜지스터의 컬렉터출력단에 연결하여 구성된 직류바이어스 회로를 포함함을 특징으로 하는 전력증폭기용 바이어스 회로

3 3

집적형 변압기 제조 방법에 있어서,

반도체기판 상부에 금속막을 형성하고 패터닝하여 권선의 하부배선금속을 형성하는 단계;

상기 하부배선금속을 포함한 전면에 제1절연막을 형성하는 단계;

상기 제1절연막 상부에 자계유도철심을 형성하는 단계;

상기 자계유도철심을 포함한 전면에 제2절연막을 형성하는 단계;

상기 제1,2절연막의 선택적 식각에 의한 비아홀을 통하여 상기 하부배선금속과 연결되는 중간배선금속을 형성하는 단계;

상기 제2절연막 표면에 상기 중간배선금속과 연결되는 상부배선금속을 형성형성하는 단계

를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 집적형 변압기의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.