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트렌치 게이트 구조를 갖는 전력소자

  • 기술번호 : KST2015077385
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 채널영역에 트렌치를 형성하여 짧은 채널효과를 방지하며 동시에 표류층에서 게이트 가장자리에 트렌치를 형성하여 공핍층의 확장을 다소 억제시킴으로써 결과적으로 소자의 RESURF 특성이 촉진되어 항복전압 및 온(on) 저항 특성을 개선시킬 수 있는 트렌치 게이트 구조의 전력소자에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 전력소자는 제1 도전형의 실리콘 기판 상에 제1 도전형의 매몰층과 제2 도전형의 에피층이 형성되며, 제1 도전형의 매몰층 위에는 채널영역을 이루는 제1 도전형의 확산층이 형성되고, 제2 도전형의 에피층은 그 상부에 형성된 제2 도전형의 표류층을 둘러싸며, 제1 도전형의 확산층 표면에는 소오스 영역 및 제1 트렌치가 형성되고, 상기 제2 도전형의 표류층 표면에는 제2 트렌치 및 드레인 영역이 형성된다. 제1 트렌치는 게이트 전극으로 채워지며, 제2 트렌치는 일부 또는 전부가 게이트 전극으로 덮인다. 그리고, 이중 RESURF 효과를 얻기 위하여 제2 도전형 표류층에는 제2 트렌치 주변을 감싸는 제1 도전형의 얕은 불순물층이 형성된다.전력소자, 트렌치, 짧은 채널 효과, 표면전계감소 효과, 확산층, 표류층
Int. CL H01L 21/22 (2006.01)
CPC H01L 29/7825(2013.01) H01L 29/7825(2013.01) H01L 29/7825(2013.01)
출원번호/일자 1019990041794 (1999.09.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0298194-0000 (2001.05.29)
공개번호/일자 10-2001-0029140 (2001.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20011102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.09.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이대우 대한민국 대전광역시유성구
2 노태문 대한민국 대전광역시유성구
3 구진근 대한민국 대전광역시유성구
4 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))
3 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.09.29 수리 (Accepted) 1-1-1999-0120921-61
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 등록사정서
Decision to grant		 2001.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0106662-20
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

제1 도전형의 채널영역 및 제2 도전형의 표류영역을 덮는 게이트 전극을 구비하는 전력소자에 있어서,

상기 채널영역에 제1 트렌치를 구비하고,

상기 표류영역에 제2 트렌치를 구비하여,

상기 게이트 전극이 상기 제1 트렌치 및 상기 제2 트렌치와 중첩되는

전력소자

2 2

전력소자에 있어서,

제1 도전형의 반도체 기판;

상기 반도체 기판 상에 형성되며 상기 반도체 기판 보다 농도가 높은 제1 도전형 매몰층;

상기 매몰층 상에 형성되며 채널 영역을 이루는 제1 도전형 확산층;

상기 제1 도전형 확산층과 일정 간격을 두고 상기 기판 상에 형성되는 제2 도전형 표류층;

상기 기판 상에 형성되어 상기 표류층을 둘러싸며 그 일측면이 상기 확산층과 접하는 제2 도전형의 에피층;

상기 확산층 표면에 형성된 제2 도전형의 소오스 영역;

상기 표류층 표면에 형성된 제2 도전형의 드레인 영역;

상기 소오스 영역과 상기 드레인 영역 사이의 상기 확산층 표면에 형성된 제1 트렌치;

상기 제1 트렌치와 상기 드레인 영역 사이의 상기 표류층 표면에 형성된 제2 트렌치;

상기 확산층, 상기 에피층, 상기 표류층, 상기 소오스 영역 및 상기 드레인 영역의 일부를 덮는 게이트 절연막;

상기 소오스 영역과 상기 드레인 영역 사이의 상기 게이트 절연막과 접하며 그 일부가 상기 제1 트렌치 및 제2 트렌치 상에 접하는 게이트 전극;

상기 게이트 전극 및 상기 게이트 절연막을 덮는 층간절연막; 및

상기 층간절연막 및 상기 게이트 절연막을 통과하여 각각 상기 소오스 영역 및 상기 드레인 영역에 연결되는 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전력소자

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 게이트 전극의 일단부는 상기 소오스 영역과 상기 제1 트렌치 사이의 상기 확산층과 중첩되며, 상기 게이트 전극의 타단부는 상기 제2 트렌치 바닥면에중첩되는 것을 특징으로 하는 전력소자

4 4

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 게이트 전극의 일단부는 상기 소오스 영역과 상기 제1 트렌치 사이의 상기 확산층과 중첩되며,

상기 게이트 전극의 타단부는 상기 제2 트렌치 전면을 덮는 것을 특징으로 하는 전력소자

5 5

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 표류층 내에 상기 제2 트렌치를 감싸는 제1 도전형의 불순물층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전력소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.