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가장자리에 두꺼운 산화막을 갖는 트렌치 형성방법

  • 기술번호 : KST2015077418
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 공정기술에 있어서 소자의 격리, 커패시터 및 트렌치 게이트 제조시에 이용되는 트렌치(trench) 형성방법에 관한 것으로, 트렌치 코너에서 성장되는 산화막 두께를 기존의 방법으로 성장시킨 두께보다 두껍게 성장시켜 전체적으로 트렌치 내면에 균일한 산화막을 성장시키거나 코너 부분의 열산화막을 더 두껍게 성장시키는 트렌치 형성방법에 관한 것이다.본 발명은 (100) 실리콘 기판 위에 트렌치를 형성하고 난 후 트렌치 코너 상부 코너 부분의 산화막 혹은 질화막을 300Å ~ 3000Å 정도 습식식각한 후 1000℃~1200℃ 의 고온에서 수소를 주입하여 열처리함으로써 트렌치 내벽 및 코너 부분의 결정면을 재배열 시켜 각각의 재배열된 면에 각각 다른 산화막 성장속도를 갖게 하는 것이다. 즉 트렌치 코너 부분은 산화막 성장속도가 가장 빠른 (111) 결정면이 생성되어 단위 시간당 다른 면보다 두꺼운 산화막이 성장된다. 따라서, 열산화막 성장시간을 조절함으로써 트렌치 내부에 균일한 산화막 혹은 트렌치 코너에 더 두꺼운 산화막을 성장시킬 수 있게 된다. 그 결과 전기적 특성 특히 소자의 신뢰성은 크게 향상시킬 수 있다
Int. CL H01L 21/76 (2006.01)
CPC H01L 21/76224(2013.01) H01L 21/76224(2013.01)
출원번호/일자 1019990043377 (1999.10.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0345400-0000 (2002.07.09)
공개번호/일자 10-2001-0036380 (2001.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20020726) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.10.08)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상기 대한민국 대전광역시유성구
2 김종대 대한민국 대전광역시서구
3 남기수 대한민국 대전광역시유성구
4 구진근 대한민국 대전광역시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.10.08 수리 (Accepted) 1-1-1999-0126166-35
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.07.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2001.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2001-0013935-48
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0230599-72
6 의견서
Written Opinion		 2001.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-0278732-15
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.10.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0278723-15
8 등록결정서
Decision to grant		 2002.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0131001-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

(100) 실리콘 기판 위에 산화막 또는 질화막을 증착하는 단계;

상기 결과물 상에 감광막을 증착한 다음 트렌치가 형성될 부분을 패터닝하는 단계;

상기 패터닝된 부분의 산화막 또는 질화막을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;

상기 트렌치 코너 부분의 산화막 또는 질화막을 소정의 두께로 식각하는 단계;

상기 트렌치 코너에서의 열산화막 성장 속도가 다른 내벽에서의 성장 속도보다 빠르게 하기 위하여 트렌치 내부 결정 구조를 재배열시키는 고온 열처리 공정을 수행하는 단계;

열산화막 성장 시간을 조절하여 상기 트렌치 내부에 균일한 산화막 또는 트렌치 코너에 두꺼운 산화막을 성장시키는 단계; 및

상기 열산화막이 성장된 트렌치 내부를 다결정 실리콘으로 채우는 단계;

를 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 형성 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 트렌치 코너 부분의 산화막 또는 질화막을 소정의 두께로 식각하는 것은 300 ~ 3000 Å 이내로 습식으로 식각하는 것을 특징으로 하는 트렌치 형성 방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 고온 열처리 공정은 트렌치 표면의 자연 산화막이 수소의 환원반응에 의해 제거 되도록 하며 또한 트렌치 코너 부분의 격자 재배열을 촉진하기 위하여 1000℃~1200℃의 수소분위기에서 약 30초~30분간 급속열처리하는 것을 특징으로 하는 트렌치 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.