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이득 결합형 단일모드 반도체 레이저의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077427
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 정보사회의 광대역화에 따른 핵심 광원 개발에 관한 것으로서, 특히 경제성 있는 단일 모드 광원을 제작할 수 있는 이득 결합형 단일모드 반도체 레이저의 제조 방법에 관한 것이며, 기판상에 양자세선 모양의 활성층을 형성하는 단계와; 상기 활성층상에 클래드층을 형성하는 단계와; 상기 클래드층상에 저항성 전극 접촉층을 형성하는 단계와; 상기 저항성 전극 접촉층상에 상기 양자세선에 수직한 방향으로 레이저 공진기가 형성되도록 스트라이프 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 이득 결합형 단일모드 반도체 레이저 제조 방법을 제시한다.이득 결합형 반도체 레이저
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/2206(2013.01) H01S 5/2206(2013.01) H01S 5/2206(2013.01)
출원번호/일자 1019990025142 (1999.06.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0368323-0000 (2003.01.03)
공개번호/일자 10-2001-0004465 (2001.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20030124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오대곤 대한민국 대전광역시중구
2 남은수 대한민국 대전광역시서구
3 편광의 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.06.29 수리 (Accepted) 1-1-1999-0069765-03
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2000.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-0182996-43
3 출원인코드정정신청서
Request for Correction of Applicant Code		 2000.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2000-5275323-34
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0152132-02
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.06.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0199147-74
7 의견서
Written Opinion		 2002.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-0199148-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 등록결정서
Decision to grant		 2002.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0454529-18
10 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5054983-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

결정면이 경사진 기판이 제공되는 단계와,

상기 기판 상에 양자우물 및 양자세선이 형성되도록 활성층을 형성하는 단계와;

상기 활성층 상에 클래드층을 형성하는 단계와;

상기 클래드층 상에 저항성 전극 접촉층을 형성하는 단계와;

상기 저항성 전극 접촉층 상에 상기 양자세선에 수직한 방향으로 레이저 공진기가 형성되도록 스트라이프 p형 전극을 형성하는 단계와,

상기 기판의 하부에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 이득 결합형 단일모드 반도체 레이저의 제조 방법

2 2

삭제
3 3

제 1 항에 있어서,

상기 활성층은 회절격자로 형성하고, 상기 회절격자 상에 InP 간격층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 이득 결합형 단일모드 반도체 레이저의 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 기판 결정면의 각도를 조절하여 이에 수직한 회절격자의 주기를 변화시키는 것을 특징으로 하는 이득 결합형 단일모드 반도체 레이저의 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 기판은 n+-InP, 상기 활성층은 InGaAs, 상기 클래드층은 p-InP, 상기 저항성 전극 접촉층은 p+-InGaAs로 형성된 것을 특징으로 하는 이득 결합형 단일모드 반도체 레이저의 제조 방법

6 6

제 2 항에 있어서,

상기 회절격자는 InGaAs, 상기 간격층은 n-InP, 상기 활성층은 InGaAs(P)/InGaAsP로 형성된 것을 특징으로 하는 이득 결합형 단일모드 반도체 레이저의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.