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파장다중분할 광 통신시스템에서 필요로 하는 여러 파장의 빛을 방출하는 다파장 반도체 레이저 어레이 모듈에 있어서, 파장별 세기가 일정하고 발산각이 작은 광을 방출하기 위하여, 빛이 도파되는 활성층의 횡 방향 폭이 활성층 후방면에서부터 출사면으로 갈수록 점점 좁아지게 형성된 다수의 반도체 광증폭기와, 상기 반도체 광 증폭기에서 방출되는 출력광에서 원하는 파장을 선별하여 궤환시키기 위하여, 상기 반도체 광증폭기의 외부에 회절격자가 형성되어 있으며, 상기 광증폭기의 빔이 통과하도록 상기 광증폭기와 이격되어 배치되고 상기 광증폭기와 동일한 수로 구성된 브래그 광섬유를 포함하며; 상기 반도체 광증폭기의 활성층은 다중양자 우물구조의 매질로 이루어지는 것을 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 어레이 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체 광 증폭기는, 활성층의 후방면에는 고반사막이 형성되고, 활성층의 출사면에는 무반사막이 형성된 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 어레이 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체 광 증폭기의 활성층은 InGaAsP/InGaAsP 다중양자 우물구조를 매질로 사용하며, 각 우물층의 두께가 서로 다른 것을 특징으로 하여 광대역 이득특성 및 동일 크기의 파장별 이득 세기를 갖는 활성층 구조를 갖는 다파장 반도체 레이저 어레이 모듈
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파장다중분할 광 통신시스템에서 필요로 하는 여러 파장의 빛을 방출하는 다파장 반도체 레이저 어레이의 제작방법에 있어서, 모듈기판에 파장별 세기가 일정하고 발산각이 작은 광을 방출하는 다수의 반도체 광 증폭기를 정렬하는 제 1 단계와, 상기 반도체 광 증폭기에서 방출되는 출력광에서 원하는 파장을 선별하여 분리하도록 파장 선별기를 정렬하는 제 2 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 어레이 모듈의 제작방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제 1 단계의 광 증폭기 제작과정은, n-InP기판에 광 구속층과, 활성층과, p-InP 클래드층을 단계적으로 성장하는 단계와, 상기 절연층을 이용하여 상기 활성층을 출사면 쪽으로 테이퍼된 형상으로 패턴닝하고 상기 활성층 단면을 건식 및 등방성 습식 식각 방법으로 메사 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 어레이 모듈의 제작방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제 1 단계는, 활성층의 후방면에는 고반사막을 형성하고 활성층의 출사면에는 무반사막을 형성하는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 어레이 모듈의 제작방법
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 활성층은 InGaAsP/InGaAsP 다중양자 우물구조를 매질로 사용하며, 각 우물층의 두께를 서로 다르게 형성한 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 어레이 모듈의 제작방법
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