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동일 평면상에 에미터 상층구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터와 버랙터 다이오드를 제작하는 방법에 있어서, 반절연 화합물 반도체 기판상에 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 부콜렉터, 콜렉터, 베이스, 에미터 및 에미터캡 에피층을 성장시키는 단계와, 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 에미터캡층과 에미터층을 식각하고, 웨이퍼 전면에 절연막을 증착한 후, 버랙터 다이오드가 형성되는 영역에 있는 절연막을 식각하는 단계와, n+ 화합물반도체 에피층, n- 화합물반도체 에피층 및 n+ 화합물반도체 에피층을 연속적으로 재성장 시키고, 절연막 상에 재성장된 화합물 반도체층을 식각하는 단계와, 재성장 시킨 n+/n-/n+ 화합물반도체 에피층의 일부를 식각하여 버랙터 다이오드의 오믹 하부전극 영역을 형성하는 단계와, 에미터 상층구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 베이스층과 콜렉터층을 식각하는 단계와, 에미터 상층구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 에미터 전극, 베이스 전극 및 콜렉터 전극을 리프트 오프(lift-off)법에 의해 차례로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에미터 상층구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터와 버랙터 다이오드를 제작하는 방법
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제 1 항에 있어서, 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 부콜렉터, 콜렉터, 베이스, 에미터 및 에미터캡 에피층을 성장시키는 단계에서 도핑농도 1×1018cm-3 ~ 7×1018cm-3, 두께 4000Å ~ 6000Å인 화합물반도체 부콜렉터층, 도핑농도 1×1016cm-3 ~ 5×1016cm-3, 두께 3000Å ~ 5000Å인 화합물반도체 콜렉터층, 도핑농도 1×1019cm-3 ~ 5×1019cm-3, 두께 500Å ~ 1000Å인 화합물반도체 베이스층, 도핑농도 1×1017cm-3 ~ 5×1017cm-3, 두께 1000Å ~ 2000Å이고 밴드갭이 베이스층과 같은 화합물 반도체층 및 도핑농도 3×1017cm-3 ~ 7×1017cm-3, 두께 500Å ~ 1000Å이고 밴드갭이 베이스층보다 큰 화합물 반도체층으로부터 베이스층과 같은 화합물 반도체층까지 밴드갭을 에미터캡층 쪽으로 선형적으로 감소시킨 화합물반도체 에미터층, 도핑농도 1×1018cm-3 ~ 8×1018cm-3, 두께 500Å ~ 1500Å이고 밴드갭이 베이스층과 같은 화합물 반도체층 및 도핑농도 1×1019cm-3 ~ 5×1019cm-3, 두께 400Å ~ 1000Å이고 밴드갭이 베이스층과 같은 화합물 반도체층부터 베이스층보다 작은 화합물 반도체층까지 밴드갭을 에미터 전극쪽으로 선형적으로 감소시킨 화합물반도체 에미터캡층을 순차적으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 에미터 상층구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터와 버랙터 다이오드를 제작하는 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 베이스 에피층 상에 제1 n+ 화합물반도체 에피층, n- 화합물반도체 에피층 및 제2 n+ 화합물반도체 에피층을 재성장시켜 버랙터 다이오드의 누설전류를 차단시키는 단계에서, 상기 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 베이스 에피층 상에 하기 식을 만족시키는 도핑농도 4×1018cm-3, 두께 4500Å인 제1 n+ 화합물반도체 에피층과, 도핑농도 2×1017cm-3, 두께 1500Å인 n- 화합물반도체 에피층 및 도핑농도 4×1018cm-3, 두께 3000Å인 제2 n+ 화합물반도체 에피층을 연속적으로 재성장 시키고, 상기 제1 n+ 화합물반도체 상에 성장시킨 n- 화합물반도체 에피층에 역방향 전압을 인가하여 형성되는 공핍층에서 발생하는 전자가 제1 n+ 화합물반도체 에피층에 주입되는 것을 방지하여 누설전류를 차단시키는 것을 특징으로 하는 에미터 상층구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터와 버랙터 다이오드를 제작하는 방법
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제 1 항에 있어서, 에미터 상층구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 부콜렉터, 콜렉터, 베이스 에피층을 그대로 사용하여 버랙터 다이오드의 오믹 상부 전극, 오믹 하부 전극이 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 에미터 전극, 콜렉터 전극과 동일평면 상이거나, 혹은 거의 같은 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 에미터 상층구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터와 버랙터 다이오드를 제작하는 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 베이스 에피층 상에 성장시킨 제2 n+ 화합물반도체 에피층을 식각한 버랙터 다이오드 구조에서 쇼트키 상부 전극, 오믹 하부 전극이 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 에미터 전극, 콜렉터 전극과 동일평면 상이거나, 혹은 거의 같은 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 에미터 상층구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터와 버랙터 다이오드를 제작하는 방법
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제 1 항에 있어서, 버랙터 다이오드의 오믹/쇼트키 상부 전극, 오믹 하부 전극이 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 에미터 전극, 콜렉터 전극을 형성할 때 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 에미터 상층구조 이종접합 쌍극자 트랜지스터와 버랙터 다이오드를 제작하는 방법
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