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이종접합 화합물반도체 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077584
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물반도체를 이용한 이종접합(heterojunction) 쌍극자(bipolar) 소자(HBT)의 제작방법에 관한 것으로서, 유무선 통신 부품에 요구되는 초고속 및 초고주파 특성을 구현하기 위해 에미터를 중심으로 소자의 크기가 축소됨에 따라 각종 기생요소를 축소시켜야 하는 바, 특히 최대공진주파수에 결정적인 영향을 미치는 베이스-컬렉터 사이의 접합용량(junction capacitance)을 크게 감소시킴으로써 소자의 특성을 개선시킬 수 있는 방법을 고안한 것이다.이러한 본 발명은, 반도체 기판 상에 완충층과 부컬렉터층과 컬렉터층과 베이스층과 에미터층과 에미터캡층을 순차적으로 적층하여 HBT 에피기판을 제작하는 제 1 단계와; 상기 HBT 에피기판의 베이스층 위에 에미터 전극과 베이스 전극을 형성하고 상기 두 전극 위에 도핑되지 않은 실리콘질화막을 형성하는 제 2 단계; 상기의 결과물의 기판 전면에 아연이 도핑된 2차 실리콘질화막을 증착하고 활성화 열처리하여 상기 아연을 베이스층과 컬렉터층에 확산시키는 제 3 단계; 상기 아연이 확산된 컬렉터층을 역경사 형상으로 식각하고 상기 부컬렉터층 위에 컬렉터 전극을 증착하는 제 4 단계; 및 상기의 결과물에 질화 절연막을 도포하고 금속배선을 형성하는 제 5 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1020000003184 (2000.01.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0352376-0000 (2002.08.29)
공개번호/일자 10-2001-0073964 (2001.08.03) 문서열기
공고번호/일자 (20020911) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.01.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성호 대한민국 대전광역시유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시중구
3 박문평 대한민국 대전광역시유성구
4 민병규 대한민국 경기도광명시
5 이경호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2000-0012942-02
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0236001-32
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-0278796-26
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.11.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0314461-82
6 의견서
Written Opinion		 2001.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-0314450-80
7 등록결정서
Decision to grant		 2002.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0187662-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

이종접합 화합물반도체 쌍극자(HBT) 소자를 제작하는 방법에 있어서,

반도체 기판 상에 완충층과 부컬렉터층과 컬렉터층과 베이스층과 에미터층과 에미터캡층을 순차적으로 적층하여 HBT 에피기판을 제작하는 제 1 단계와;

상기 HBT 에피기판의 베이스층 위에 에미터 전극과 베이스 전극을 형성하고 상기 두 전극 위에 도핑되지 않은 실리콘질화막을 형성하는 제 2 단계;

상기의 결과물의 기판 전면에 아연이 도핑된 2차 실리콘질화막을 증착하고 활성화 열처리하여 상기 아연을 베이스층과 컬렉터층에 확산시키는 제 3 단계;

상기 아연이 확산된 컬렉터층을 역경사 형상으로 식각하고 상기 부컬렉터층 위에 컬렉터 전극을 증착하는 제 4 단계; 및

상기의 결과물에 질화 절연막을 도포하고 금속배선을 형성하는 제 5 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 이종접합 화합물반도체 소자의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계는,

상기 HBT 에피기판 상에 에미터 메사식각을 통해 베이스 표면을 노출시키는 제 1 소단계와,

상기의 결과물의 기판 전면에 내열성 금속을 증착한 후, 선택적으로 제거하여 에미터 전극과 베이스 전극을 정의하는 제 2 소단계,

상기의 결과물의 기판 전면에 실리콘 질화막을 증착하는 제 3 소단계, 및

베이스 메사영역을 제외한 부분의 상기 실리콘 질화막을 제거하는 제 4 소단계를 포함한 것을 특징으로 하는 이종접합 화합물반도체 소자의 제조방법

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 내열성 금속은 텅스텐 질화막인 것을 특징으로 하는 이종접합 화합물반도체 소자의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계는,

플라즈마 방전실에는 질소를 주입하고 기판이 놓이는 반응실에는 SiH4와 아연소스를 주입한 후, 기판의 온도를 200 ∼ 300oC를 유지하다가 400 ∼ 500oC로 증가시키는 것을 특징으로 하는 이종접합 화합물반도체 소자의 제조방법

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 아연소스는 디에틸아연인 것을 특징으로 하는 이종접합 화합물반도체 소자의 제조방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계는,

상기 아연이 도핑된 2차 실리콘질화막을 식각하여 상기 베이스전극 주변에 아연이 도핑된 실리콘질화막 측벽을 형성하는 제 1 소단계와,

상기 실리콘질화막 측벽을 마스크로 하여 상기 아연이 확산된 컬렉터층을 역경사 형상을 갖도록 식각하는 제 2 소단계, 및

상기 부컬렉터층 위에 베이스에 대해 자기정렬이 되도록 컬렉터전극을 형성하는 제 3 소단계를 포함한 것을 특징으로 하는 이종접합 화합물반도체 소자의 제조방법

7 7

반도체기판과 완충층과 부컬렉터층과 컬렉터층과 베이스층과 에미터층과 에미터캡층을 순차적으로 적층하여 형성된 HBT 에피기판, 상기 에미터캡층 위에 형성된 에미터전극, 상기 베이스층 위에 형성된 베이스전극, 및 상기 부컬렉터층 위에 형성된 컬렉터전극을 포함하는 이종접합 화합물반도체 쌍극자(HBT) 소자에 있어서,

상기 에미터전극과 베이스전극은 도핑되지 않은 실리콘질화막에 덮여있고, 상기 실리콘질화막의 주변에는 아연이 고농도로 도핑된 실리콘질화막 측벽이 형성되며, 상기 베이스전극 아래에 위치한 베이층과 컬렉터층에는 아연 확산층이 형성되고, 상기 아연이 확산된 컬렉터층은 상기 실리콘질화막 측벽으로부터 아래로 역경사진 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 이종접합 화합물반도체 소자

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.