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이종접합 쌍극자 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015077612
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 주기율표상 3족과 5족의 화합물반도체로 구성되는 이종접합 쌍극자 소자(heterojunction bipolar transistor: HBT)의 제조방법에 관한 것으로서, HBT 소자 고유의 초고속 특성을 향상시키고, 고온에서도 안정된 특성을 구현할 수 있는 방법을 제공하기 위한 것이다. 이러한 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법은, 3족-5족으로 구성된 화합물반도체 기판 위에 완충층과, 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층, 및 에미터캡층을 차례로 성장하여 HBT 에피구조를 형성하는 제 1 단계와, 상기 HBT 에피구조 위의 일부에 에미터 오믹 접촉 형성을 위한 3중 금속층을 증착하는 제 2 단계, 상기 3중 금속층을 마스크로 하여 상기 에미터캡층 전부와 에미터층의 일부를 식각하여, 얇은 두께의 에미터층을 잔류시키는 제 3 단계, 베이스 전극 패턴에 의해 상기 잔류 에미터층을 제거하고 베이스전극을 형성하는 제 4 단계, 컬렉터층이 증착할 위치의 상기 에미터층과, 베이스층, 및 컬렉터층을 식각하고 상기 부 컬렉터층 위에 컬렉터전극을 형성하고 소자분리 영역을 정의하는 제 5 단계, 및 상기 각 전극에 금속배선하여 이종접합 쌍극자 소자의 제작을 완료하는 제 6 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1020000003494 (2000.01.25)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0347520-0000 (2002.07.23)
공개번호/일자 10-2001-0076080 (2001.08.11) 문서열기
공고번호/일자 (20020807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.01.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성호 대한민국 대전광역시유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시중구
3 민병규 대한민국 경기도광명시
4 박문평 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2000-0014157-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0232432-14
4 의견서
Written Opinion		 2001.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2001-0281081-72
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.10.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0281083-63
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0148919-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

3족-5족으로 구성된 화합물반도체 기판 위에 완충층과, 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층, 및 에미터캡층을 차례로 성장하여 HBT 에피구조를 형성하는 제 1 단계와,

상기 HBT 에피구조 위의 일부에 에미터 오믹 접촉 형성을 위한 팔랴듐(Pd)/실리콘(Si)/팔라듐(Pd)의 3중 금속층을 증착하는 제 2 단계,

상기 3중 금속층을 마스크로 하여 상기 에미터캡층 전부와 에미터층의 일부를 식각하여, 얇은 두께의 에미터층을 잔류시키는 제 3 단계,

베이스 전극 패턴에 의해 상기 잔류 에미터층을 제거하고 베이스전극을 형성하는 제 4 단계,

컬렉터전극이 증착될 위치의 상기 에미터층과, 베이스층, 및 컬렉터층을 식각하고 상기 부 컬렉터층 위에 컬렉터전극을 형성하고 소자분리 영역을 정의하는 제 5 단계, 및

상기 각 전극에 금속배선하여 이종접합 쌍극자 소자의 제작을 완료하는 제 6 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법

2 2

삭제
3 3

제 1 항에 있어서, 상기 팔라듐은 50nm, 실리콘은 75nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법

4 4

제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 4 단계는, 베이스전극이 형성된 영역을 정의하고, 베이스전극 패턴을 이용하여 상기 잔류 에미터층을 제거하여 상기 베이스층의 표면이 드러나면 상기 드러난 베이스층의 표면에 베이스전극을 형성하여, 베이스표면에서의 재결합 전류를 막기 위한 에미터 공핍층을 제작하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법

5 5

3족-5족으로 구성된 화합물반도체 기판 위에 컬렉터층, 베이스층, 및 에미터층을 포함하고, 상기 각 층과 접속된 컬렉터전극, 베이스전극, 및 에미터전극을 포함하는 이종접합 쌍극자 소자에 있어서,

상기 에미터전극은 오믹 접촉 형성을 위한 팔라듐(Pd)/실리콘(Si)/팔라듐(Pd)의 3중 금속층으로 이루어지고;

상기 에미터 층과 상기 베이스 전극 사이에 상기 베이스층 표면에서의 재결합 전류를 방지하는 공핍층(ledge)이 형성된 것을 특징으로 하는 이중접합 쌍극자 소자

6 6

삭제
7 7

제 5 항에 있어서, 상기 팔라듐은 50nm, 실리콘은 75nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.