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유기물 전계 효과 트랜지스터와 유기물 발광 다이오드가일체화된 유기물 전기 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077635
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 유기물 전기 발광 소자는, 유기물 발광 다이오드와 이 유기물 발광 다이오드를 구동하기 위한 유기물 전계 효과 트랜지스터가 수직 방향으로 배치된 구조를 갖는 점에 그 특징이 있다. 즉 상기 유기물 전기 발광 소자는, 기판과, 기판 위에 형성된 투명 전극과, 투명 전극 위에 형성된 유기물 발광층과, 유기물 발광층 위에 형성된 금속 전극과, 금속 전극 위에 형성된 제1 절연층과, 제1 절연층 위에 형성된 게이트 전극과, 게이트 전극 위에 형성된 제2 절연층과, 제2 절연층 위에 형성된 유기물 반도체층과, 제2 절연층 위에서 유기물 반도체층의 일 단부 및 금속 전극과 연결되도록 형성된 소스 전극과, 그리고 제2 절연층 위에서 유기물 반도체층의 다른 단부와 연결되도록 형성된 드레인 전극을 구비한다.
Int. CL H05B 33/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010050744 (2001.08.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0017748 (2003.03.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.08.22)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 대전광역시유성구
2 도이미 대한민국 대전광역시유성구
3 추혜용 대한민국 대전광역시유성구
4 이정익 대한민국 경기도수원시권선구
5 이효영 대한민국 대전광역시유성구
6 오지영 대한민국 대전광역시중구
7 양용석 대한민국 부산광역시사하구
8 정태형 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2001-0210686-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2003-0033001-68
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0365663-08
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2003.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2003-0441691-91
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2004.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0066310-51
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판;

상기 기판 위에 형성된 투명 전극;

상기 투명 전극 위에 형성된 유기물 발광층;

상기 유기물 발광층 위에 형성된 금속 전극;

상기 금속 전극 위에 형성된 제1 절연층;

상기 제1 절연층 위에 형성된 게이트 전극;

상기 게이트 전극 위에 형성된 제2 절연층;

상기 제2 절연층 위에 형성된 유기물 반도체층;

상기 제2 절연층 위에서 상기 유기물 반도체층의 일 단부 및 상기 금속 전극과 연결되도록 형성된 소스 전극; 및

상기 제2 절연층 위에서 상기 유기물 반도체층의 다른 단부와 연결되도록 형성된 드레인 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자

2 2

제1항에 있어서,

상기 기판은 플라스틱, 유리 또는 결정성 기판인 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자

3 3

제1항에 있어서,

상기 투명 전극은 인듐 틴 옥사이드, 인듐 징크 옥사이드 또는 알루미늄 징크 옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자

4 4

제1항에 있어서,

상기 유기물 발광층은 단분자 유기물 성분 또는 고분자 유기물 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자

5 5

제1항에 있어서,

상기 금속 전극은 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 바륨, 리튬, 이트륨, 이터븀, 세슘 및 은을 포함하는 그룹 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자

6 6

제1항에 있어서,

상기 제1 절연층의 유전율은 상기 제2 절연층의 유전율보다 상대적으로 낮은 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자

7 7

제1항에 있어서,

상기 게이트 전극은 금, 팔라듐, 은, 백금, 알루미늄, 구리 및 티타늄을 포함하는 그룹 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자

8 8

제1항에 있어서,

상기 소스 전극 및 드레인 전극은, 티타늄, 금, 팔라듐, 크롬, 백금, 알루미늄, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 은, 스트론튬 및 리튬을 포함하는 그룹 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자

9 9

제1항에 있어서,

상기 유기물 반도체층은 n형 또는 p형인 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자

10 10

하부의 제1 표면 및 상부의 제2 표면을 갖는 금속 기판;

상기 금속 기판의 제1 표면 위에 형성된 유기물 발광층;

상기 유기물 발광층 위에 형성된 투명 전극;

상기 금속 기판의 제2 표면 위에 형성된 제1 절연층;

상기 제1 절연층 위에 형성된 게이트 전극;

상기 게이트 전극 위에 형성된 제2 절연층;

상기 제2 절연층 위에 형성된 유기물 반도체층;

상기 제2 절연층 위에서 상기 유기물 반도체층의 일 단부 및 상기 금속 기판의 제2 표면과 연결되도록 형성된 소스 전극; 및

상기 제2 절연층 위에서 상기 유기물 반도체층의 다른 단부와 연결되도록 형성된 드레인 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자

11 11

제10항에 있어서,

상기 금속 기판은, 알루미늄, 칼슘, 바륨, 스트론튬, 이트륨, 이터븀, 리튬 및 마그네슘을 포함하는 그룹 중 적어도 어느 하나가 코팅된 알루미늄 또는 스테인레스 스틸로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자

12 12

하부의 제1 표면 및 상부의 제2 표면을 갖는 절연 기판;

상기 절연 기판의 제1 표면 위에 형성된 금속 전극;

상기 금속 전극 위에 형성된 유기물 발광층;

상기 유기물 발광층 위에 형성된 투명 전극;

상기 절연 기판의 제2 표면 위에 형성된 게이트 전극;

상기 게이트 전극 위에 형성된 절연층;

상기 절연층 위에 형성된 유기물 반도체층;

상기 절연층 위에서 상기 유기물 반도체층의 일 단부 및 상기 금속 기판과 연결되도록 형성된 소스 전극; 및

상기 절연층 위에서 상기 유기물 반도체층의 다른 단부와 연결되도록 형성된 드레인 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자

13 13

제12항에 있어서,

상기 절연 기판은, 유리 기판 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자

14 14

기판 위에 투명 전극, 유기물 발광층 및 금속 전극을 순차적으로 형성하여 유기물 발광 다이오드를 형성하는 단계;

상기 금속 전극 위에 제1 절연층을 형성하는 단계:

상기 제1 절연층의 일부 표면 위에 패터닝된 게이트 전극을 형성하는 단계;

상기 제1 절연층 및 상기 게이트 전극 위에 제2 절연층을 형성하는 단계;

상기 제2 절연층 및 제1 절연층을 순차적으로 패터닝하여 상기 금속 전극의 일부 표면을 노출시키는 비아 컨택 홀을 형성하는 단계;

상기 비아 컨택 홀을 채우면서 상기 제2 절연층을 덮는 금속 전극막을 형성하는 단계;

상기 금속 전극막을 패터닝하여 상기 제2 절연층의 일부 표면을 노출시켜서 상기 금속 전극과 컨택되는 소스 전극 및 상기 제2 절연층 위의 드레인 전극을 형성하는 단계; 및

상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 제2 절연층 위에 유기물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법

15 15

제14항에 있어서,

상기 유기물 발광층은 단분자 유기물 또는 고분자 유기물을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법

16 16

제15항에 있어서,

상기 유기물 발광층은 진공 열증착법, 회전 도포 방법, 레이저 증착법, 덩어리 이온 증착법 또는 스퍼터링법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법

17 17

제14항에 있어서,

상기 금속 전극은 진공 열증착법, 전자빔 증착법, 레이저 증착법, 덩어리 이온 증착법 또는 스퍼터링법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법

18 18

하부의 제1 표면 및 상부의 제2 표면을 갖는 금속 기판을 마련하는 단계;

상기 금속 기판의 제1 표면 위에 유기물 발광층 및 투명 전극을 순차적으로 형성하는 단계;

상기 금속 기판의 제2 표면 위에 제1 절연층을 형성하는 단계;

상기 제1 절연층의 일부 표면 위에 패터닝된 게이트 전극을 형성하는 단계;

상기 제1 절연층 및 상기 게이트 전극 위에 제2 절연층을 형성하는 단계;

상기 제2 절연층 및 제1 절연층을 순차적으로 패터닝하여 상기 금속 기판의 일부 표면을 노출시키는 비아 컨택 홀을 형성하는 단계;

상기 비아 컨택 홀을 채우면서 상기 제2 절연층을 덮는 금속 전극막을 형성하는 단계;

상기 금속 전극막을 패터닝하여 상기 제2 절연층의 일부 표면을 노출시켜서 상기 금속 전극과 컨택되는 소스 전극 및 상기 제2 절연층 위의 드레인 전극을 형성하는 단계; 및

상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 제2 절연층 위에 유기물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법

19 19

제18항에 있어서, 상기 금속 기판을 마련하는 단계는,

알루미늄, 칼슘, 바륨, 스트론튬, 이트륨, 이터븀, 리튬 및 마그네슘을 포함하는 그룹 중 적어도 어느 하나가 코팅된 알루미늄 또는 스테인레스 스틸을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법

20 20

하부의 제1 표면 및 상부의 제2 표면을 가지며 비아 컨택을 갖는 절연 기판을 마련하는 단계;

상기 절연 기판의 제1 표면 위에 금속 전극, 유기물 발광층 및 투명 전극을 순차적으로 형성하는 단계;

상기 절연 기판의 일부 표면 위에서 상기 비아 컨택을 덮지 않도록 패터닝된 게이트 전극을 형성하는 단계;

상기 절연 기판 및 상기 게이트 전극 위에 절연층을 형성하는 단계;

상기 제2 절연층을 패터닝하여 상기 절연 기판의 비아 컨택을 노출시키는 단계;

상기 비아 컨택과 컨택되면서 상기 절연층을 덮는 금속 전극막을 형성하는 단계;

상기 금속 전극막을 패터닝하여 상기 절연층의 일부 표면을 노출시켜서 상기 비아 컨택을 통하여 상기 금속 전극과 컨택되는 소스 전극 및 상기 제2 절연층 위의 드레인 전극을 형성하는 단계; 및

상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 절연층 위에 유기물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법

21 21

제20항에 있어서, 상기 절연 기판을 마련하는 단계는,

비아 컨택 홀을 갖는 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
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2 US06524884 US 미국 FAMILY
3 US20030040137 US 미국 FAMILY

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1 US2003040137 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6483123 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US6524884 US 미국 DOCDBFAMILY
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