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기판; 상기 기판 위에 형성된 투명 전극; 상기 투명 전극 위에 형성된 유기물 발광층; 상기 유기물 발광층 위에 형성된 금속 전극; 상기 금속 전극 위에 형성된 제1 절연층; 상기 제1 절연층 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 위에 형성된 제2 절연층; 상기 제2 절연층 위에 형성된 유기물 반도체층; 상기 제2 절연층 위에서 상기 유기물 반도체층의 일 단부 및 상기 금속 전극과 연결되도록 형성된 소스 전극; 및 상기 제2 절연층 위에서 상기 유기물 반도체층의 다른 단부와 연결되도록 형성된 드레인 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱, 유리 또는 결정성 기판인 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 투명 전극은 인듐 틴 옥사이드, 인듐 징크 옥사이드 또는 알루미늄 징크 옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 유기물 발광층은 단분자 유기물 성분 또는 고분자 유기물 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 금속 전극은 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 바륨, 리튬, 이트륨, 이터븀, 세슘 및 은을 포함하는 그룹 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 절연층의 유전율은 상기 제2 절연층의 유전율보다 상대적으로 낮은 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자
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7
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 금, 팔라듐, 은, 백금, 알루미늄, 구리 및 티타늄을 포함하는 그룹 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은, 티타늄, 금, 팔라듐, 크롬, 백금, 알루미늄, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 은, 스트론튬 및 리튬을 포함하는 그룹 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자
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9
제1항에 있어서, 상기 유기물 반도체층은 n형 또는 p형인 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자
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10
하부의 제1 표면 및 상부의 제2 표면을 갖는 금속 기판; 상기 금속 기판의 제1 표면 위에 형성된 유기물 발광층; 상기 유기물 발광층 위에 형성된 투명 전극; 상기 금속 기판의 제2 표면 위에 형성된 제1 절연층; 상기 제1 절연층 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 위에 형성된 제2 절연층; 상기 제2 절연층 위에 형성된 유기물 반도체층; 상기 제2 절연층 위에서 상기 유기물 반도체층의 일 단부 및 상기 금속 기판의 제2 표면과 연결되도록 형성된 소스 전극; 및 상기 제2 절연층 위에서 상기 유기물 반도체층의 다른 단부와 연결되도록 형성된 드레인 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자
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11
제10항에 있어서, 상기 금속 기판은, 알루미늄, 칼슘, 바륨, 스트론튬, 이트륨, 이터븀, 리튬 및 마그네슘을 포함하는 그룹 중 적어도 어느 하나가 코팅된 알루미늄 또는 스테인레스 스틸로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자
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하부의 제1 표면 및 상부의 제2 표면을 갖는 절연 기판; 상기 절연 기판의 제1 표면 위에 형성된 금속 전극; 상기 금속 전극 위에 형성된 유기물 발광층; 상기 유기물 발광층 위에 형성된 투명 전극; 상기 절연 기판의 제2 표면 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 위에 형성된 절연층; 상기 절연층 위에 형성된 유기물 반도체층; 상기 절연층 위에서 상기 유기물 반도체층의 일 단부 및 상기 금속 기판과 연결되도록 형성된 소스 전극; 및 상기 절연층 위에서 상기 유기물 반도체층의 다른 단부와 연결되도록 형성된 드레인 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자
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제12항에 있어서, 상기 절연 기판은, 유리 기판 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자
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기판 위에 투명 전극, 유기물 발광층 및 금속 전극을 순차적으로 형성하여 유기물 발광 다이오드를 형성하는 단계; 상기 금속 전극 위에 제1 절연층을 형성하는 단계: 상기 제1 절연층의 일부 표면 위에 패터닝된 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 절연층 및 상기 게이트 전극 위에 제2 절연층을 형성하는 단계; 상기 제2 절연층 및 제1 절연층을 순차적으로 패터닝하여 상기 금속 전극의 일부 표면을 노출시키는 비아 컨택 홀을 형성하는 단계; 상기 비아 컨택 홀을 채우면서 상기 제2 절연층을 덮는 금속 전극막을 형성하는 단계; 상기 금속 전극막을 패터닝하여 상기 제2 절연층의 일부 표면을 노출시켜서 상기 금속 전극과 컨택되는 소스 전극 및 상기 제2 절연층 위의 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 제2 절연층 위에 유기물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 유기물 발광층은 단분자 유기물 또는 고분자 유기물을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법
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제15항에 있어서, 상기 유기물 발광층은 진공 열증착법, 회전 도포 방법, 레이저 증착법, 덩어리 이온 증착법 또는 스퍼터링법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법
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17
제14항에 있어서, 상기 금속 전극은 진공 열증착법, 전자빔 증착법, 레이저 증착법, 덩어리 이온 증착법 또는 스퍼터링법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법
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하부의 제1 표면 및 상부의 제2 표면을 갖는 금속 기판을 마련하는 단계; 상기 금속 기판의 제1 표면 위에 유기물 발광층 및 투명 전극을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 금속 기판의 제2 표면 위에 제1 절연층을 형성하는 단계; 상기 제1 절연층의 일부 표면 위에 패터닝된 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 절연층 및 상기 게이트 전극 위에 제2 절연층을 형성하는 단계; 상기 제2 절연층 및 제1 절연층을 순차적으로 패터닝하여 상기 금속 기판의 일부 표면을 노출시키는 비아 컨택 홀을 형성하는 단계; 상기 비아 컨택 홀을 채우면서 상기 제2 절연층을 덮는 금속 전극막을 형성하는 단계; 상기 금속 전극막을 패터닝하여 상기 제2 절연층의 일부 표면을 노출시켜서 상기 금속 전극과 컨택되는 소스 전극 및 상기 제2 절연층 위의 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 제2 절연층 위에 유기물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법
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제18항에 있어서, 상기 금속 기판을 마련하는 단계는, 알루미늄, 칼슘, 바륨, 스트론튬, 이트륨, 이터븀, 리튬 및 마그네슘을 포함하는 그룹 중 적어도 어느 하나가 코팅된 알루미늄 또는 스테인레스 스틸을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법
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하부의 제1 표면 및 상부의 제2 표면을 가지며 비아 컨택을 갖는 절연 기판을 마련하는 단계; 상기 절연 기판의 제1 표면 위에 금속 전극, 유기물 발광층 및 투명 전극을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 절연 기판의 일부 표면 위에서 상기 비아 컨택을 덮지 않도록 패터닝된 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 절연 기판 및 상기 게이트 전극 위에 절연층을 형성하는 단계; 상기 제2 절연층을 패터닝하여 상기 절연 기판의 비아 컨택을 노출시키는 단계; 상기 비아 컨택과 컨택되면서 상기 절연층을 덮는 금속 전극막을 형성하는 단계; 상기 금속 전극막을 패터닝하여 상기 절연층의 일부 표면을 노출시켜서 상기 비아 컨택을 통하여 상기 금속 전극과 컨택되는 소스 전극 및 상기 제2 절연층 위의 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 절연층 위에 유기물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법
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제20항에 있어서, 상기 절연 기판을 마련하는 단계는, 비아 컨택 홀을 갖는 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 전기 발광 소자의 제조 방법
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