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전압 분포 감지 센서

  • 기술번호 : KST2015077645
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전압 분포 감지 센서에 관한 것으로, 자체 발광이 가능한 전계 발광 소자를 이용하여 전압 분포 감지 센서를 구현함으로써 전압 분포 감지 센서 장비의 소형화 및 이동성을 증대하여 검사장비의 이용 효율을 높일 수 있는 전압 분포 감지 센서를 제시한다. 전압 분포 감지 센서, 전계 발광 소자, 후막형, 박막형
Int. CL G01R 19/00 (2006.01)
CPC G01R 19/0084(2013.01) G01R 19/0084(2013.01) G01R 19/0084(2013.01)
출원번호/일자 1020020002498 (2002.01.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0436776-0000 (2004.06.10)
공개번호/일자 10-2003-0062077 (2003.07.23) 문서열기
공고번호/일자 (20040623) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.16)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용신 대한민국 대전광역시유성구
2 윤선진 대한민국 대전광역시 유성구
3 박상희 대한민국 대전광역시 유성구
4 이용의 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2002-0013017-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0029571-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0287051-68
6 의견서
Written Opinion		 2003.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2003-0350894-40
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0350892-59
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2004.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0051247-21
9 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2004.04.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2004-0003834-02
10 등록결정서
Decision to grant		 2004.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0224078-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

평면 기판 상에 형성된 여러 개의 전압단자를 통해 흐르는 전기신호를 동시에 측정하기 위한 전압 분포 감지 센서에 있어서,

투명기판, 투명전극, 제 1 절연층, 형광층 및 제 2 절연층이 순차적으로 적층된 전계 발광 소자,

상기 투명전극에 펄스 파형의 제 1 전압을 인가하기 위한 제 1 전압원,

상기 평면 기판의 전압단자에 제 2 전압을 인가하기 위한 제 2 전압원을 포함하며,

상기 제 2 절연층 표면에 상기 평면 기판의 전압단자를 접촉시킨 상태에서 상기 투명전극에 상기 제 1 전압을, 상기 전압단자에 상기 제 2 전압을 인가하고, 상기 제 1 및 제 2 전압의 차이에 의한 상기 형광층의 발광 휘도 차이로 전압 분포를 감지하는 것을 특징으로 하는 전압 분포 감지 센서

2 2

삭제
3 3

제 1 항에 있어서,

상기 투명전극은 ITO, CdSnO3 및 IIIb족 금속이 첨가된 ZnO막 중 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 전압 분포 감지 센서

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 제 1 및 제 2 절연층은 파괴 전계 세기가 최소한 5MV/cm인 물질로 Al2O3, BaTa2O6, Ta2O5, Si3N4, SiON, SiAlON과 같은 단일화합물 박막과 서로 다른 두가지 화합물 다층구조로 이루어진 Al2O3-Ta2O5과 Al2O3-TiO2 다층구조 절연박막으로 형성된 것을 특징으로 하는 전압 분포 감지 센서

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 형광층은 ZnS:Mn, ZnxMg1-xS:Mn, ZnS:Tb,F, ZnS:Sm,Cl, ZnS:Tm,F, CaS:Eu; CaS:Ce, CaS:Pb, SrS:Ce, SrS:Cu,Ag, CaGa2S4:Ce, 또는 BaAl2S4:Eu 중 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 전압 분포 감지 센서

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 형광층은 IIb-VIb, IIa-VIb, 알칼리 토 티오갈레이트화합물을 모재료로 하고, 발광 센터 역할을 하는 전이금속 또는 희토류 금속과 전하 균형 및 발광을 도와주는 보조 첨가원소들이 소량 첨가된 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전압 분포 센서

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 모재료는 ZnS, ZnSe, CaS, SrS, SrSe, CaGa2S4 및 SrGa2S4 중 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 전압 분포 감지 센서

8 8

제 6 항에 있어서,

상기 전이금속은 망간, 세륨, 테르븀, 납, 유로퓸, 툴륨, 사마륨, 프라세오디뮴, 가돌리늄, 홀뮴, 네오디뮴, 디스프로슘, 이테르븀, 루테튬, 에르븀 및 구리중 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 전압 분포 감지 센서

9 9

제 6 항에 있어서,

상기 보조 첨가원소는 불소, 염소 및 은 중 어느 하나를 이용하되, 0

10 10

제 1 항에 있어서,

상기 투명전극, 상기 제 1 및 제 2 절연층 및 상기 형광체 중 적어도 어느 하나층은 기화법, 스퍼터링, 화학증기증착법 및 원자층증착법중 어느 하나의 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 전압 분포 감지 센서

11 11

평면 기판 상에 형성된 여러 개의 전압단자를 통해 흐르는 전기신호를 동시에 측정하기 위한 전압 분포 감지 센서에 있어서,

투명기판, 투명전극, 형광층 및 절연층이 순차적으로 적층된 전계 발광 소자,

상기 투명전극에 펄스 파형의 제 1 전압을 인가하기 위한 제 1 전압원,

상기 평면 기판의 전압단자에 제 2 전압을 인가하기 위한 제 2 전압원을 포함하며,

상기 절연층 표면에 상기 평면 기판의 전압단자를 접촉시킨 상태에서 상기 투명전극에 상기 제 1 전압을, 상기 전압단자에 상기 제 2 전압을 인가하고, 상기 제 1 및 제 2 전압의 차이에 의한 상기 형광층의 발광 휘도 차이로 전압 분포를 감지하는 것을 특징으로 하는 전압 분포 감지 센서

12 12

제 11 항에 있어서,

상기 투명전극은 ITO, CdSnO3 및 IIIb족 금속이 첨가된 ZnO막 중 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 전압 분포 감지 센서

13 13

제 11 항에 있어서,

상기 절연층은 5 내지 25㎛의 두께를 갖는 BaTiO3 후막을 사용하는 것을 특징으로 하는 전압 분포 감지 센서

14 14

제 11 항에 있어서,

상기 형광층은 5 내지 20㎛의 크기를 갖는 ZnS:Mn, ZnxMg1-xS:Mn, ZnS:Tb,F, ZnS:Sm,Cl, ZnS:Tm,F, CaS:Eu; CaS:Ce, CaS:Pb, SrS:Ce, SrS:Cu,Ag, CaGa2S4:Ce, 또는 BaAl2S4:Eu 중 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 전압 분포 감지 센서

15 15

제 11 항에 있어서,

상기 투명전극, 상기 절연층 및 상기 형광체 중 적어도 어느 하나층은 기화법, 스퍼터링, 화학증기증착법 및 원자층증착법중 어느 하나의 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 전압 분포 감지 센서

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.