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액세스하고자 하는 능동 유닛으로부터 출력되는 신호에 따라 플래쉬 메모리를 액세스하기 위한 플래쉬 메모리 액세스 제어 장치에 있어서, 상기 능동 유닛으로부터 전달되는 어드레스 및 데이터로부터 명령의 내용을 해석한 후 현재 상태와 비교하고 천이할 다음 상태를 결정하여 해당 동작 모드의 신호를 출력하는 유한 상태 제어부와, 상기 유한 상태 제어부로부터 출력되는 신호에 따라 상기 플래시 메모리가 해당 모드로 동작되도록 제어 신호를 출력하는 제어신호 생성부와, 상기 능동 유닛으로부터 입력되는 리셋 해제 신호에 따라 상기 플래쉬 메모리의 리셋 상태를 해제시키고, 소정 시간 지연된 상기 리셋 해제 신호를 상기 유한상태 제어부 및 제어신호 생성부로 각각 출력하는 리셋신호 지연부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 액세스 제어 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 플래쉬 메모리는 내부 상태 표시 기능과 제어 회로가 내장되어 있지 않은 라이트-펄스 타입인 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 액세스 제어 장치
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액세스하고자 하는 능동 유닛으로부터 출력되는 신호에 따라 플래쉬 메모리를 액세스하기 위한 플래쉬 메모리 액세스 제어 방법에 있어서, 상기 플래쉬 메모리의 리셋 상태가 해제된 후 리셋 지연부로부터 공급되는 리셋 해제 신호에 따라 리셋 상태에서 준비 상태로 천이하는 제 1 단계와, 상기 능동 유닛으로부터 입력되는 라이트 인에이블 신호, 어드레스 및 데이터의 명령 부분을 조합하여 어느 동작 모드에 해당하는 지를 검사하는 제 2 단계와, 상기 제 2 단계에서 결정된 동작 모드에 해당되는 신호를 제어신호 생성부로 출력한 후 대기 상태를 천이하는 제 3 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 액세스 제어 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 제 3 단계는 상기 플래시 메모리의 칩 선택 신호 및 섹터 지우기 인에이블 신호를 활성화시키는 단계와, 상기 플래시 메모리의 섹터 단위 지우기를 완료하는 데 필요한 시간에 해당하는 클록의 개수를 카운트하면서 현재 상태를 유지하는 단계와, 상기 개수 만큼의 클록이 입력되면 칩 지우기 인에이블 신호를 비활성화시키고 액세스 금지 상태로 천이하는 단계와, 설정된 개수의 클록이 입력되면 상기 칩 선택 신호를 비활성화시키면서 대기 모드로 천이하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 액세스 제어 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 제 3 단계는 상기 플래시 메모리의 칩 선택 신호 및 칩 지우기 인에이블 신호를 활성화시키는 단계와, 상기 플래시 메모리의 칩 단위 지우기를 완료하는 데 필요한 시간에 해당하는 클록의 개수를 카운트하면서 현재 상태를 유지하는 단계와, 상기 개수 만큼의 클록이 입력되면 칩 지우기 인에이블 신호를 비활성화시키고 액세스 금지 상태로 천이하는 단계와, 설정된 개수 만큼의 클록이 입력되면 상기 칩 선택 신호를 비활성화시키면서 대기 모드로 천이하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 액세스 제어 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 제 3 단계는 상기 능동 유닛으로부터 입력되는 데이터와 어드레스를 내부의 레지스터에 래치시키는 단계와, 상기 플래시 메모리의 칩 선택 신호 및 데이터 입력 인에이블 신호를 활성화시키고, 래치된 상기 데이터와 어드레스를 플래시 메모리로 전달하는 단계와, 필요한 시간에 해당하는 클록의 개수를 카운트하면서 현재 상태를 유지하는 단계와, 상기 개수 만큼의 클록이 입력되면 상기 데이터 입력 인에이블 신호를 비활성화시키면서 액세스 금지 상태로 천이하는 단계와, 다른 바이트 단위의 데이터 저장이 시도되는 경우 설정된 개수 만큼의 클록이 입력된 후 상기 칩 선택 신호을 비활성화시키지 않고 다시 1 바이트 쓰기 동작 모드로 천이하는 단계와, 다른 종류의 액세스가 시도될 경우 상기 칩 선택 신호를 비활성화시키면서 대기 모드로 천이한 다음 적절한 상태로 천이하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 액세스 제어 방법
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