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플래시 메모리 액세스 제어 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015077654
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 내부 상태 표시 기능 또는 제어 회로가 내장되어 있지 않은 라이트-펄스(Write-Pulse) 타입의 플래시 메모리에 대한 액세스를 제어하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 일반적인 메모리의 액세스에 사용되는 신호들을 이용할 수 있도록 하고, 액세스에 소요되는 시간동안 다른 작업을 수행할 수 있도록 하므로써 안정적인 액세스가 이루어지고 시스템의 효율이 향상될 수 있도록 한 플래시 메모리 액세스 제어 장치 및 방법에 관한 것이다.플래시 메모리, 액세스, 제어 장치, 제어 신호
Int. CL G11C 16/06 (2006.01)
CPC G11C 16/32(2013.01) G11C 16/32(2013.01) G11C 16/32(2013.01)
출원번호/일자 1020020002491 (2002.01.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0062070 (2003.07.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.16)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김승철 대한민국 대전광역시서구
2 김원종 대한민국 대전광역시서구
3 조한진 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2002-0013010-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0001214-26
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0115589-10
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-0222538-22
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2004.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0279625-67
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

액세스하고자 하는 능동 유닛으로부터 출력되는 신호에 따라 플래쉬 메모리를 액세스하기 위한 플래쉬 메모리 액세스 제어 장치에 있어서,

상기 능동 유닛으로부터 전달되는 어드레스 및 데이터로부터 명령의 내용을 해석한 후 현재 상태와 비교하고 천이할 다음 상태를 결정하여 해당 동작 모드의 신호를 출력하는 유한 상태 제어부와,

상기 유한 상태 제어부로부터 출력되는 신호에 따라 상기 플래시 메모리가 해당 모드로 동작되도록 제어 신호를 출력하는 제어신호 생성부와,

상기 능동 유닛으로부터 입력되는 리셋 해제 신호에 따라 상기 플래쉬 메모리의 리셋 상태를 해제시키고, 소정 시간 지연된 상기 리셋 해제 신호를 상기 유한상태 제어부 및 제어신호 생성부로 각각 출력하는 리셋신호 지연부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 액세스 제어 장치

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 플래쉬 메모리는 내부 상태 표시 기능과 제어 회로가 내장되어 있지 않은 라이트-펄스 타입인 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 액세스 제어 장치

3 3

액세스하고자 하는 능동 유닛으로부터 출력되는 신호에 따라 플래쉬 메모리를 액세스하기 위한 플래쉬 메모리 액세스 제어 방법에 있어서,

상기 플래쉬 메모리의 리셋 상태가 해제된 후 리셋 지연부로부터 공급되는 리셋 해제 신호에 따라 리셋 상태에서 준비 상태로 천이하는 제 1 단계와,

상기 능동 유닛으로부터 입력되는 라이트 인에이블 신호, 어드레스 및 데이터의 명령 부분을 조합하여 어느 동작 모드에 해당하는 지를 검사하는 제 2 단계와,

상기 제 2 단계에서 결정된 동작 모드에 해당되는 신호를 제어신호 생성부로 출력한 후 대기 상태를 천이하는 제 3 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 액세스 제어 방법

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 제 3 단계는 상기 플래시 메모리의 칩 선택 신호 및 섹터 지우기 인에이블 신호를 활성화시키는 단계와,

상기 플래시 메모리의 섹터 단위 지우기를 완료하는 데 필요한 시간에 해당하는 클록의 개수를 카운트하면서 현재 상태를 유지하는 단계와,

상기 개수 만큼의 클록이 입력되면 칩 지우기 인에이블 신호를 비활성화시키고 액세스 금지 상태로 천이하는 단계와,

설정된 개수의 클록이 입력되면 상기 칩 선택 신호를 비활성화시키면서 대기 모드로 천이하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 액세스 제어 방법

5 5

제 3 항에 있어서,

상기 제 3 단계는 상기 플래시 메모리의 칩 선택 신호 및 칩 지우기 인에이블 신호를 활성화시키는 단계와,

상기 플래시 메모리의 칩 단위 지우기를 완료하는 데 필요한 시간에 해당하는 클록의 개수를 카운트하면서 현재 상태를 유지하는 단계와,

상기 개수 만큼의 클록이 입력되면 칩 지우기 인에이블 신호를 비활성화시키고 액세스 금지 상태로 천이하는 단계와,

설정된 개수 만큼의 클록이 입력되면 상기 칩 선택 신호를 비활성화시키면서 대기 모드로 천이하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 액세스 제어 방법

6 6

제 3 항에 있어서,

상기 제 3 단계는 상기 능동 유닛으로부터 입력되는 데이터와 어드레스를 내부의 레지스터에 래치시키는 단계와,

상기 플래시 메모리의 칩 선택 신호 및 데이터 입력 인에이블 신호를 활성화시키고, 래치된 상기 데이터와 어드레스를 플래시 메모리로 전달하는 단계와,

필요한 시간에 해당하는 클록의 개수를 카운트하면서 현재 상태를 유지하는 단계와,

상기 개수 만큼의 클록이 입력되면 상기 데이터 입력 인에이블 신호를 비활성화시키면서 액세스 금지 상태로 천이하는 단계와,

다른 바이트 단위의 데이터 저장이 시도되는 경우 설정된 개수 만큼의 클록이 입력된 후 상기 칩 선택 신호을 비활성화시키지 않고 다시 1 바이트 쓰기 동작 모드로 천이하는 단계와,

다른 종류의 액세스가 시도될 경우 상기 칩 선택 신호를 비활성화시키면서 대기 모드로 천이한 다음 적절한 상태로 천이하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 액세스 제어 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.