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반도체 소자의 금속배선 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015077663
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 다층 금속배선 형성 방법에 관한 것으로, 기둥 형태의 금속패턴에 의해 금속층 간의 접속이 이루어지도록 하되, 하부 금속배선 형성을 위한 금속층 패터닝 후 기둥 형태의 금속패턴이 형성되도록 하고, 하부 금속 배선과 기둥 형태의 금속패턴을 하나의 금속층으로 형성하며, 금속패턴의 하부를 상부보다 넓게 형성하여 쓰러짐이 발생되지 않도록 하며, 또한, 반사율이 낮으며 금속과의 식각 선택비가 큰 물질로 이루어진 반사방지막을 이용하여 사진 공정시 발생되는 난반사와 금속의 식각에 따른 금속패턴의 형태 불량이 방지되도록 한다.다층 금속배선, 금속층, 기둥, 금속패턴, 계단 모양, 접속
Int. CL H01L 21/768 (2006.01)
CPC H01L 21/76885(2013.01) H01L 21/76885(2013.01) H01L 21/76885(2013.01) H01L 21/76885(2013.01) H01L 21/76885(2013.01)
출원번호/일자 1020010047622 (2001.08.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0398046-0000 (2003.09.01)
공개번호/일자 10-2003-0013557 (2003.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20030919) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.08.08)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종문 대한민국 대전광역시유성구
2 권성구 대한민국 대전광역시유성구
3 유성욱 대한민국 대구광역시수성구
4 박건식 대한민국 대전광역시서구
5 김보우 대한민국 대전광역시유성구
6 김대용 대한민국 대전광역시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2001-0197936-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2003-0023430-52
5 등록결정서
Decision to grant		 2003.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0288611-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소정의 공정을 거친 반도체 기판상에 층간절연막을 형성한 후 상기 층간절연막을 패터닝하여 상기 반도체 기판의 소정 부분이 노출되도록 콘택홀을 형성하는 단계와,

상기 콘택홀이 매립되도록 상기 층간절연막 상에 금속층 및 반사방지막을 순차적으로 형성하는 단계와,

금속배선용 마스크를 이용하여 상기 반사방지막을 패터닝하고, 노출된 부분의 상기 금속층을 식각하여 하부 금속배선을 형성하는 단계와,

전체 상부면에 감광막을 형성한 후 상기 반사방지막 상에는 소정의 감광막 패턴이 형성되고, 상기 하부 금속배선 간에는 소정 두께의 감광막이 잔류되도록 상기 감광막을 패터닝하는 단계와,

상기 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 상기 반사방지막을 패터닝한 후 노출된 부분의 금속층을 소정 깊이 식각하여 기둥 형태의 금속패턴이 형성되도록 하는 단계와,

상기 금속패턴 및 하부 금속배선의 측벽에 스페이서를 형성한 후 상기 스페이서를 마스크로 이용하여 노출된 부분의 금속층을 소정 두께 만큼 식각하는 단계와,

전체 상부면에 제 2 층간절연막을 형성한 후 상기 금속패턴의 표면이 노출될 때까지 제 2 층간절연막을 평탄화시키는 단계와,

하부가 상부보다 넓으며 기둥 형태를 이루는 상기 금속패턴을 통해 하부 금속배선과 연결되도록 상기 제 2 층간절연막 상에 상부 금속배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 금속층을 형성하기 전에 베리어 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 하부 금속배선과 상기 기둥 형태의 금속패턴은 하나의 금속층으로 형성되어 상기 금속패턴의 쓰러짐이 방지되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 반사방지막을 마스크로 상기 금속층을 4000Å 내지 5000Å의 두께로 식각하여 기둥 형태의 금속패턴을 먼저 형성하고, 상기 스페이서를 마스크로 상기 금속층을 3000Å 내지 4000Å의 두께로 식각함으로써, 계단형의 금속 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 금속층은 알루미늄 또는 구리 중 어느 하나의 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 반사방지막은 반사율이 낮고 금속과의 식각 선택비가 큰 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 반사방지막은 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법

8 8

제 1 항에 있어서,

상기 하부 금속배선 간에는 100 내지 500nm 두께의 감광막이 잔류되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법

9 9

제 1 항에 있어서,

상기 스페이서는 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법

10 10

제 1 항에 있어서,

상기 스페이서는 30 내지 100nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법

11 11

제 1 항에 있어서,

상기 제 2 층간절연막은 하부 절연막, SOG막 및 상부 절연막이 순차적으로 적층된 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법

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패밀리정보가 없습니다
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