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캡슐화된 전해액을 포함하는 건고분자 전해질막 및 그형성 방법과 그를 이용한 리튬고분자 전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077668
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 건고분자 전해질막 및 그 형성 방법과 그를 이용한 리튬 고분자 전지 제조 방법에 관한 것으로, 전해액이 포집되어 있는 다량의 마이크로 캡슐을 포함하는 고분자 성분의 슬러리로부터 완전 고체형 건고분자 전해질을 형성하는데 그 특징이 있다. 또한 본 발명은 상기 마이크로 캡슐과 지지체 고분자를 이용하여 상기 마이크로 캡슐을 다량 포함하는 완전 고체형의 건고분자 전해질막을 만든 후, 건고분자 전해질막에 물리적인 에너지를 가해 마이크로 캡슐을 파괴해서 마이크로 캡슐 내부의 액체 전해액을 지지체인 건식 고분자막 내부에 퍼뜨림으로써 이온전달 효율과 기계적 특성이 우수한 고분자 전해질을 형성하는데 다른 특징이 있다. 또한, 본 발명은 전술한 고분자 전해질막을 이용한 리튬 고분자 전지 제조 방법을 제공하는데 또 다른 특징이 있다.고체고분자전해질, 건식고분자전해질, 고분자전해질, 리튬고분자전지, 리튬 2차전지, 고분자, 캡슐, 마이크로캡슐, 전해액
Int. CL H01M 10/052 (2010.01) H01M 10/0565 (2010.01) H01M 10/058 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1020000056984 (2000.09.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0392368-0000 (2003.07.10)
공개번호/일자 10-2002-0025302 (2002.04.04) 문서열기
공고번호/일자 (20030722) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.09.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류광선 대한민국 대전광역시유성구
2 김광만 대한민국 대전광역시유성구
3 박남규 대한민국 대전광역시유성구
4 장순호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-0203395-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.08.13 수리 (Accepted) 9-1-2002-0014260-41
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0365901-35
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2002-5290519-52
8 의견서
Written Opinion		 2003.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2003-0005448-08
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.01.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0005446-17
10 등록결정서
Decision to grant		 2003.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0240517-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

삭제
2 2

삭제
3 3

건고분자 전해질막에 있어서,

지지체 고분자; 및

상기 지지체 고분자와 혼합되며 그 내부에 대기중에 불안정한 리튬이온이 포함된 전해액이 채워진 캡슐

을 포함하는 건고분자 전해질막

4 4

삭제
5 5

건고분자 전해질막 형성 방법에 있어서,

그 내부에 리튬이온을 포함한 전해액이 채워진 캡슐을 형성하는 제1 단계;

유기용매에 지지체 고분자를 섞어 고분자 슬러리를 형성하는 제2 단계;

상기 고분자 슬러리 내에 상기 캡슐을 분포시키는 제3 단계;

상기 캡슐이 분포된 고분자 슬러리를 펴서, 상기 캡슐이 분포된 고분자 전해막을 형성하는 제4 단계; 및

상기 캡슐이 분포된 고분자 전해막의 상기 유기용매를 휘발시켜 건고분자 전해질막을 형성하는 제5 단계

를 포함하는 건고분자 전해질막 형성 방법

6 6

제 5 항에 있어서,

상기 제1 단계는,

상기 리튬이온을 포함한 전해액을 함유할 수 있는 고분자 용액 내에 상기 리튬이온을 포함한 전해액을 섞어 분포시키는 단계; 및

반응용기 내에 상기 리튬이온을 포함한 전해액이 분포된 고분자 용액을 분사법을 이용하여 분사시켜 마이크로비드 형태의 상기 캡슐을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 건고분자 전해질막 형성 방법

7 7

삭제
8 8

상기 제 3 항 또는 제 5 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 건고분자 전해질막을 이용한 전지 제조 방법에 있어서,

양극 전하집전체, 양극판, 상기 건고분자 전해질막, 음극판 및 음극전하 집전체가 차례로 적층된 적층구조를 형성하는 단계;

상기 적층구조를 진공 포장하는 단계; 및

상기 적층구조 내의 상기 캡슐을 파괴시켜 상기 양극판과 상기 음극판 사이에 고분자 전해질층을 형성함으로써 전지를 형성하는 단계

를 포함하는 전지 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.