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초고주파 집적회로용 고충실도 다결정 실리콘 캐패시터

  • 기술번호 : KST2015077686
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하부 전극판의 분포저항 및 기생 커패시턴스 값을 낮추고, 연결선의 기생 저항 및 인덕턴스를 최소화하여 고충실도를 구현하도록 한 캐패시터에 관한 것으로, 하부전극판, 상기 하부전극 상에 인터디지트 형태로 배열된 단위전극판을 갖는 상부전극판, 상기 상부전극판 상에 서로 절연되면서 배열된 다수의 제1콘택, 상기 상부전극판과 동일한 형태를 가지며 상기 제1콘택 상에 접속된 제1금속층, 및 상기 상부전극판 사이의 상기 하부전극판에 접속되면서 상기 제1금속층과 절연되며 상기 하부전극판의 전영역을 덮는 제2금속층을 포함하여 구성된다.캐패시터, 전극판, 충실도, 연결선, 인터디지트, 기생캐패시턴스
Int. CL H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 28/75(2013.01) H01L 28/75(2013.01) H01L 28/75(2013.01)
출원번호/일자 1020010047553 (2001.08.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0415547-0000 (2004.01.06)
공개번호/일자 10-2003-0013195 (2003.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20040124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.08.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유현규 대한민국 대전광역시유성구
2 이상국 대한민국 대전광역시유성구
3 황남 대한민국 대전광역시유성구
4 박정우 대한민국 대전광역시유성구
5 이진택 대한민국 대전광역시유성구
6 박문양 대한민국 대전광역시유성구
7 김성도 대한민국 대전광역시유성구
8 윤용식 대한민국 대전광역시유성구
9 한선호 대한민국 강원도원주시태
10 김남수 대한민국 서울특별시강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2001-0197708-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0193139-50
4 의견서
Written Opinion		 2003.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2003-0275194-16
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0275189-87
6 등록결정서
Decision to grant		 2003.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0513382-56
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

다결정 실리콘 캐패시터에 있어서,

하부전극판;

상기 하부전극 상에 인터디지트 형태로 배열된 단위전극판을 갖는 상부전극판

상기 상부전극판 상에 서로 절연되면서 배열된 다수의 제1콘택;

상기 상부전극판과 동일한 형태를 가지며 상기 제1콘택 상에 접속된 제1금속층; 및

상기 상부전극판 사이의 상기 하부전극판에 접속되면서 상기 제1금속층과 절연되며 상기 하부전극판의 전영역을 덮는 제2금속층

을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 다결정 실리콘 캐패시터

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제2금속층과 상기 하부전극판은,

상기 제1콘택과 동일한 물질의 제2콘택, 상기 제1금속층과 동일한 물질의 금속층 및 비아층의 순서로 적층된 적층 구조를 통해 서로 접속되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 캐패시터

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 제1 및 제 2 금속층은 정사각형 또는 직사각형 중 어느 하나의 형태인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 캐패시터

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 하부전극판이 접지된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 캐패시터

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 하부전극판과 상부전극판, 상기 제1금속층과 제2금속층은 산화실리콘층에 의해 절연된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 캐패시터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.