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반도체 기판 상에 형성된 반도체 광 변조기 구조에 있어서, 입력 광도파로 층을 중심으로 제1 하부 클래드 층과 제1 상부 클래드 층이 상 하부에 각각 형성되어, 도파되는 광 신호의 광 모드 분포를 확대시키는 입력 광도파로 영역과, 하부 광도파로 층, 금속 접촉층, 상부 광도파로 층이 순차적으로 적층되되, 상기 하부 광도파로 층을 중심으로 제2 하부 클래드 층과 제2 상부 클래드 층이 형성되고, 상기 상부 광도파로 층을 중심으로 제3 하부 클래드 층과 제3 상부 클래드 층이 형성되며, 상기 제2 상부 클래드 층과 상기 제3 하부 클래드 층 사이에 상기 금속 접촉층이 형성되어, 상기 입력 광도파로 영역에서 확대되어 도파되는 광 신호를 공간적으로 분리시키는 변조기 암 영역과, 출력 광도파로 층을 중심으로 제4 하부 클래드 층과 제4 상부 클래드 층이 상 하부에 각각 형성되어, 상기 변조기 암 영역에서 분리되어 도파되는 광 신호를 하나의 출력으로 재결합하여 출력하는 출력 광도파로 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광 변조기 구조
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제 1 항에 있어서, 상기 입력 광도파로 영역의 입력 광도파로 층은, 상기 입력 광도파로 영역의 길이를 갖는 제1 주 광도파로 층과, 상기 제1 주 광도파로 층의 길이보다 작은 길이를 가지며 상기 제1 주 광도파로 층의 빛보다 위상이 π/2만큼 지연된 출력을 제공하는 제1 부 광도파로 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광 변조기 구조
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제 1 항에 있어서, 상기 출력 광도파로 영역의 출력 광도파로 층은, 상기 출력 광도파로 영역의 길이를 갖는 제2 주 광도파로 층과, 상기 제2 주 광도파로 층의 길이보다 작은 길이를 가지며 상기 제2 주 광도파로 층의 빛보다 위상이 π/2만큼 지연된 출력을 제공하는 제2 부 광도파로 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광 변조기 구조
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