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단일 트랜지스터 강유전체 메모리 및 그 구동방법

  • 기술번호 : KST2015077720
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 단일 트랜지스터 강유전체 메모리 및 그 구동방법에 관한 것이며, 리드/라이트가 랜덤한 단일 트랜지스터 강유전체 메모리 및 그 구동방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 리드/라이트가 랜덤한 단일 트랜지스터 강유전체 메모리를 구현한다. 랜덤 엑세스를 위해 열방향 공동 웰라인을 인접 웰라인과 전기적으로 분리시키고, 단일 트랜지스터 강유전체 메모리 셀의 게이트에 워드라인, 소스(웰)에 소스라인(웰라인), 드레인에 비트라인과 센스앰프가 연결되도록 하여 라이트 디스터브가 없고, 강유전체 메모리를 구동할 수 있는 바이폴라 원 펄스 전압을 아주 쉽게 만들 수 있고, 단일전원을 사용하여 리드 동작시 내부의 리드전압 발생기에서 낮은 리드전압을 워드라인에 인가할 수 있도록 하였다. 또한, 단일 트랜지스터 강유전체 메모리에 데이터를 쓸 때는 강유전체의 분극현상을 이용하고, 데이터를 읽을 때는 문턱전압 변화의 특성을 이용하여 저전력, 고속 동작 특성을 구현하였다.단일 트랜지스터 강유전체 메모리, 리드전압 발생기, 라이트 디스터브, 랜덤 액세스, 단일전압
Int. CL G11C 11/22 (2006.01)
CPC G11C 11/2273(2013.01) G11C 11/2273(2013.01) G11C 11/2273(2013.01) G11C 11/2273(2013.01) G11C 11/2273(2013.01) G11C 11/2273(2013.01)
출원번호/일자 1020000063959 (2000.10.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0377183-0000 (2003.03.10)
공개번호/일자 10-2002-0033301 (2002.05.06) 문서열기
공고번호/일자 (20030326) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.10.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양일석 대한민국 대전광역시유성구
2 유병곤 대한민국 대전광역시유성구
3 유인규 대한민국 대전광역시유성구
4 이원재 대한민국 대전광역시유성구
5 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-0227994-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
4 등록결정서
Decision to grant		 2003.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0039279-65
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

단일 트랜지스터 강유전체 메모리에 있어서,

메모리의 동작에 필요한 다수의 제어 신호를 생성하기 위한 메인 제어 수단;

리드/라이트 동작시 입력된 어드레스에 따라 특정 셀을 선택하는 디코드 회로를 포함하며, 선택된 셀에 소정의 전압을 제공하기 위한 워드라인 제어 수단 및 소스라인 제어 수단;

리드 동작시 다수의 리드전압을 발생시키기 위한 리드전압 발생 수단;

상기 리드전압 발생 수단으로부터 소정의 리드전압을 인가 받아 선택된 워드라인에 선택적으로 전압을 인가하기 위한 워드라인 전압 선택 수단;

다수의 워드라인, 비트라인, 소스라인 및 강유전체 트랜지스터가 배치된 메모리 셀 어레이;

리드 동작시 메모리의 출력 형태를 결정하기 위한 비트라인 제어 수단; 및

리드 동작시 선택된 셀과 비선택된 셀의 비트라인 전압을 감지하기 위한 감지증폭 수단을 구비하며,

상기 메모리 셀 어레이는,

상기 비트라인 및 상기 소스라인과 평행한 방향으로 배치되어 열공통 웰을 구성하며 해당 열의 소스라인과는 연결되고 인접한 열공통 웰과는 전기적으로 격리된 다수의 웰라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 강유전체 메모리

2 2

제1항에 있어서,

상기 메모리 셀 어레이에 공급전압(Vdd) 및 접지전압(GND)의 단일전원만을 인가하는 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 강유전체 메모리

3 3

제1항의 단일 트랜지스터 강유전체 메모리의 동작방법에 있어서,

선택된 셀을 제1 상태로 프로그램하기 위하여,

상기 셀이 연결된 워드라인을 접지전압(GND)에서 공급전압(Vdd)으로 천이시키고, 상기 셀이 연결된 웰라인 및 소스라인을 공급전압(Vdd)에서 접지전압(GND)로 천이시키는 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 강유전체 메모리의 동작방법

4 4

제3항에 있어서,

상기 셀을 제2 상태로 프로그램하기 위하여,

상기 셀이 연결된 워드라인을 접지전압(Gnd)으로 천이시키고, 상기 셀이 연결된 웰라인 및 소스라인에 공급전압(Vdd)을 인가하는 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 강유전체 메모리의 동작방법

5 5

제3항 또는 제4항에 있어서,

상기 셀의 데이터를 읽기 위하여,

상기 셀이 연결된 워드라인에 상기 리드전압을 인가하고, 상기 셀 이외의 셀이 연결된 웰라인 및 소스라인에 접지전압(GND)을 인가하는 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 강유전체 메모리의 동작방법

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1 JP14133859 JP 일본 FAMILY

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1 JP2002133859 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.