실리콘 기판에 실리콘의 완충박막을 성장시키고 상기 완충박막 위에 SiGe 채널층 및 실리콘 캡층을 성장시키며, 상기 실리콘 캡층 상에 게이트, 소스 및 드레인 전극을 형성하는 공정을 포함하는 SiGe MODFET 소자 제조 방법에 있어서,

실리콘 가스 소스를 이용하여 제1 실리콘 완충층을 성장시키는 제1 단계;

상기 제1 실리콘 완충층 상에 상기 제1 실리콘 완충층보다 낮은 온도에서 제2 실리콘 완충층을 성장시키는 제2 단계;

상기 제2 실리콘 완충층 상에 SiGe 완충층을 성장시키는 제3 단계;

상기 SiGe 완충층 상에 SiGe 전도층을 성장시키는 제4 단계;

상기 실리콘 기판의 온도를 상승시켜 메탄가스의 유량을 조절함으로써 SiGe:C 스페이스층을성장시키는 제5 단계;

상승된 상기 실리콘 기판의 온도를 내려서 상기 SiGe:C 스페이스층 상에 상기 실리콘 캡층을 성장시키는 제6 단계;

상기 실리콘 캡층 상에 산화막, 게이트용 폴리박막과 보호 절연막을 순차적으로 형성하는 제7 단계; 및

상기 보호 절연막 상에 소스, 게이트 및 드레인 전극을 각각 형성하는 제8 단계를 포함하는 SiGe MODFET 소자 제조 방법

제1 항에 있어서,

상기 실리콘 가스 소스는 실레인(SiH4), 다이실레인(Si2H6), 또는 다이클로로실레인(SiCl2H2) 가스 중 하나인 것을 특징으로 하는 SiGe MODFET 소자 제조 방법

제2 항에 있어서,

상기 SiGe 전도층을 성장시키기 전에, 운반자(carrier)가 이동되는 이차원 운반자층을 상기 SiGe 완충층 위에 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SiGe MODFET 소자 제조 방법

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제1항 또는 제3항에 있어서,

상기 제3 단계는

Ge의 몰분율을 점차적으로 높여 격자상수 불일치에 의한 응력을 이완시킬 수 있도록 다단계 연속성장법을 통해 상기 SiGe 완충층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 SiGe MODFET 소자 제조 방법

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제1항 또는 제6항에 있어서,

상기 제1 단계는 900℃ 이상의 고온에서 상기 제1 실리콘 완충층을 비저항이 103 ohm·cm 이상되도록 하여 2㎛ 이상으로 성장시키고,

상기 제3 단계는 Ge의 몰분율이 0