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산화물 및 금속 다층 박막의 식각 방법 및 이를 이용한전계 효과 트랜지스터 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077769
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 및 금속 박막의 식각 방법에 관한 것으로, 특히 스트론튬-비스무스-탄탈륨 산화물계(SBT)의 강유전체 박막 및 백금(Pt) 박막의 다층박막을 건식식각으로 포토레지스트(PR)만을 사용하여 동시(one-step)에 식각하는 방법에 관한 것이다. SBT 및 Pt 박막은 강유전체 메모리 소자에서 게이트 및 커패시터 소자로서 사용되며 본 식각방법은 게이트 및 캐패시터 소자 제조에 적용되는 공정이다. 본 발명은 SBT 박막 및 Pt 박막의 식각을 안정된 성질의 PR 마스크를 사용하여 한번에 식각함으로 공정을 단순화하고 단가를 줄이고자하는데 있다.SBT 박막, 백금 박막, 건식식각, 전계형 트랜지스터 소자
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 21/32136(2013.01) H01L 21/32136(2013.01) H01L 21/32136(2013.01) H01L 21/32136(2013.01) H01L 21/32136(2013.01)
출원번호/일자 1020000082808 (2000.12.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0355267-0000 (2002.09.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20021011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.12.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유인규 대한민국 대전광역시유성구
2 유병곤 대한민국 대전광역시유성구
3 이원재 대한민국 대전광역시유성구
4 양일석 대한민국 대전광역시유성구
5 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2000-0281021-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 등록결정서
Decision to grant		 2002.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0223819-03
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

산화물 및 금속으로 구성된 다층박막 식각방법에 있어서,

MEICP(Magnetically Enhanced Inductively Coupled Plasmas) 식각장치에서 산화물 박막 및 금속 박막을 동시에 식각하는 것을 특징으로 하는 다층박막 식각방법
2 2

제 1 항에 있어서,

상기 산화물은 스트론튬(Sr)-비스무스(Bi)-탄탈륨(Ta) 산화물이고, 상기 금속은 백금(Pt)인 것을 특징으로 하는 다층박막 식각방법
3 3

제 1 항에 있어서,

상기 다층박막을 식각하기 위하여 염소(Cl2) 및 아르곤(Ar) 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 다층박막 식각방법


4 4

제 3 항에 있어서,

상기 염소(Cl2) 및 아르곤(Ar) 가스량의 비를 5 : 95 내지 30 : 70의 비율로 사용하는 것을 특징으로 하는 다층박막 식각방법


5 5

제 1 항에 있어서,

MEICP(Magnetically Enhanced Inductively Coupled Plasmas) 식각장치는 RF 파워를 500 와트 내지 1200 와트까지 사용하고, 공정압력을 5 밀리토르(mTorr) 이하로 조절하여 상기 다층박막을 동시에 식각하는 것을 특징으로 하는 다층박막 식각방법


6 6

실리콘 기판 상에 절연층을 증착하는 제 1단계,

상기 절연층 상에 SBT(SrxBi1-xTa2O6) 박막을 유기금속 열분해방법으로 형성하는 제 2단계,

상기 SBT 박막 위에 금속 박막전극을 스퍼터링으로 증착하는 제 3단계,

상기 SBT 박막 및 금속 박막을 MEICP 방법으로 식각하는 제 4단계, 및

절연 산화막층을 형성하기 위하여 화학기상증착(CVD) 법으로 실리콘 산화막(또는 실리콘 질화막)을 증착하는 제 5단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조방법


7 7

제 6 항에 있어서,

상기 제 5단계에서 절연막층으로 실리콘 산화막(SiO2)을 증착하는 경우는 열 산화(thermal oxidation) 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조방법

8 8

제 6 항에 있어서,

상기 제 5단계에서 절연막층으로 실리콘 질화막(Si3N4)을 증착하는 경우는 LPCVD(low pressure chemical vapor deposition) 법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조방법

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