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기판,상기 기판 상에 형성되며 소정 부분이 개방된 신호선,상기 신호선 양측의 상기 기판에 각각 형성된 적어도 하나의 지지대,상기 지지대와 상기 신호선 사이의 상기 기판에 형성된 접지선,상기 지지대에 양측부가 고정되며 상, 하 이동이 가능한 이동판,상기 이동판에 위치되며 상기 개방된 신호선을 연결시키기 위한 접촉수단을 구비하는 스위칭부, 및상기 이동판과 상기 스위칭부를 지지하며, 상기 기판과의 간격 유지를 위한 지지돌출부를 구비하는 지지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전자기계적 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 접지선의 표면에 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 미세전자기계적 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 이동판은 탄성복원력을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 미세전자기계적 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 스위칭부는 중앙에 개구부가 형성된 사각 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 미세전자기계적 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 지지돌출부는 상기 접촉수단이 상기 신호선에 접촉할 때 상기 기판과 맞닿는 높이로 형성된 것을 특징으로 하는 미세전자기계적 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 지지돌출부의 내부에 쇄기 형상의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 미세전자기계적 스위치
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제 1 항에 있어서, 상기 스위칭부와 상기 이동판의 표면에 소정 두께의 절연체가 형성된 것을 특징으로 하는 미세전자기계적 스위치
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제 1 항에 있어서, 정전기력을 발생시키기 위해 상기 이동판과 상기 접지선에 구동전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 미세전자기계적 스위치
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a) 기판 상에 소정 부분이 개방된 신호선, 상기 신호선 양측에 위치되는 지지대, 상기 지지대와 상기 신호선 사이에 위치되는 접지선을 각각 형성하는 단계, b) 전체면에 소정 두께의 희생층을 형성하는 단계, c) 상기 신호선의 종단과 일치되는 부분의 상기 희생층에 홈을 각각 형성한 후 상기 홈에 접촉부를 형성하는 단계, d) 상기 개방된 신호선 사이의 상기 기판이 노출되도록 상기 희생층에 홀을 형성한 후 상기 홀에는 지지돌출부가 형성되고, 상기 접촉부를 제외한 상기 희생층 상에 지지층이 형성되도록 하는 단계, e) 상기 지지대 및 상기 희생층의 상부 및 상기 지지층 상부에 이동판을 형성하는 단계, f) 상기 이동판 내측의 상기 접촉부 및 상기 지지층 상에 스위칭부를 형성하는 단계, g) 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 단계 (a)를 진행한 후 상기 접지선의 표면에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 신호선, 상기 접지선 및 상기 지지대는 박막 증착 및 패터닝 공정 혹은 전기도금법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 스위칭부는 중앙에 개구부가 형성된 사각 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 단계 (g)를 진행한 후 상기 스위칭부와 노출된 지지층의 표면에 절연체를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 지지층은 실리콘 질화막으로 형성하고, 상기 절연체는 폴리이미드로 형성하며, 상기 실리콘 질화막은 플라즈마 화학기상증착법으로 형성하고, 상기 폴리이미드는 스핀 코팅법으로 형성하는 것을 특징으로 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 희생층은 반응성 이온 식각 또는 습식 식각으로 제거하는 것을 특징으로 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 희생층은 반응성 이온 식각 또는 습식 식각으로 제거하는 것을 특징으로 미세전자기계적 스위치의 제조 방법
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