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수평 탄소 나노튜브를 구비하는 전자소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077817
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소 나노튜브의 길이를 조절할 수 있고, 탄소 나노튜브와 기판 간의 밀착성을 강화시킬 수 있으며 탄소 나노튜브 형성 이후의 공정을 용이하게 진행할 수 있는 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 전자소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 수직으로 형성된 금속촉매 측벽에 기판과 평행한 탄소나노튜브를 선택적으로 성장시키는 공정과, 탄소 나노튜브를 보호절연막으로 덮어 고정시키며 탄소 나노튜브 영역 상부를 평탄하게 함으로써 이후의 반도체공정을 자유롭게 적용시킬 수 있도록 하는데 그 특징이 있다. 이와 같이 기판에 평행하게 형성된 탄소 나노튜브와 기판의 밀착성이 유지된 상태에서는 이후의 반도체공정을 자유롭게 적용시킬 수 있고, 이를 통해 균일한 특성의 소자를 가공할 수 있게 되어 집적회로 칩의 제조가 가능하다.탄소나노튜브, 금속촉매, 반도체 공정, 전자소자, 수평성장
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01J 9/02 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/304 (2011.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1020000067337 (2000.11.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0373327-0000 (2003.02.10)
공개번호/일자 10-2002-0037409 (2002.05.21) 문서열기
공고번호/일자 (20030225) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.11.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성율 대한민국 대전광역시유성구
2 김도진 대한민국 대전광역시유성구
3 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2000-0239171-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2002-0007378-65
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0255629-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2002-5231461-86
8 의견서
Written Opinion		 2002.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2002-0340948-04
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.10.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0340943-76
10 등록결정서
Decision to grant		 2003.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0019210-68
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

삭제
2 2

기판 상에 절연막 패턴을 형성하는 제1 단계;

상기 절연막 패턴의 일측면에 촉매 금속막 패턴을 형성하는 제2 단계;

상기 촉매 금속막 패턴으로부터 상기 기판과 평행한 탄소 나노튜브를 성장시키는 제3 단계;

절연막을 형성하여 상기 탄소 나노튜브를 덮는 제4 단계; 및

상기 절연막 및 상기 탄소 나노튜브를 선택적으로 식각하여 상기 탄소 나노튜브 길이를 일정하게 하는 제5 단계

를 포함하는 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 소자 제조 방법

3 3

제 2 항에 있어서,

상기 보호막을 SOG로 형성하는 것을 특징으로 하는 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 소자 제조 방법

4 4

제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,

상기 촉매 금속막 패턴은,

철(Fe), 니켈(Ni) 또는 코발트(Co) 중 어느 하나로 형성하거나 또는 그들의 합금으로 형성하는 것을 특징으로 하는 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 소자 제조 방법

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 제3 단계에서,

탄소를 포함하는 전구체(precursor)를 열 또는 플라스마 에너지로 분해하여 상기 탄소 나노튜브를 성장시키는 것을 특징으로 하는, 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 소자 제조 방법

6 6

수평 탄소 나노튜브를 구비하는 전자 소자에 있어서,

기판;

상기 기판 상에 형성된 절연막 패턴;

상기 절연막 패턴의 측면에 형성된 촉매 금속막 패턴;

상기 기판과 평행하도록 상기 상기 촉매 금속막 패턴으로부터 성장된 탄소 나노튜브;

상기 탄소 나노튜브에 전기적 신호를 공급하는 소스 전극;

상기 소스 전극과 마주보며 상기 탄소 나노튜브에서 방출된 전자를 공급받는 드레인 전극; 및

상기 탄소 나노튜브와 평행하게 형성된 게이트 전극

을 포함하는 전자소자

7 7

수평 탄소 나노튜브를 구비하는 발광소자에 있어서,

기판;

상기 기판 상에 형성된 절연막 패턴;

상기 절연막 패턴의 측면에 형성된 촉매 금속막 패턴;

상기 기판과 평행하도록 상기 촉매 금속막 패턴으로부터 성장된 탄소 나노튜브;

상기 탄소 나노튜브에 전기적 신호를 공급하는 소스 전극;

상기 소스 전극과 마주보며 상기 탄소 나노튜브에서 방출된 전자를 공급받는 드레인 전극; 및

상기 드레인 전극과 상기 탄소 나노튜브 사이에 형성된 발광층

을 포함하는 발광소자

8 8

제 7 항에 있어서,

상기 발광층은, InGaAsP계열 또는 GaN 계열인 것을 특징으로 하는 발광소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.