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단일 트랜지스터 강유전체 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015077880
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인접한 웰간의 커패시턴스를 낮춤으로써 커패시턴스 커플링을 최소화하고, 웰의 저항을 낮춤으로써 RC 시간지연이 커지는 것을 최소화할 수 있는 단일 트랜지스터 강유전체 메모리 소자를 제공하는 데 그 목적이 있는 것으로, 이를 위한 본 발명의 강유전체 트랜지스터로 이루어진 메모리 셀들이 컬럼 및 로우 방향으로 매트릭스 배열된 단일 트랜지스터 강유전체 메모리 소자에 있어서, 서로 인접한 컬럼의 웰과 웰은 트렌치 절연막에 의해 분리되고, 동일한 컬럼내의 각셀의 웰은 웰의 하부에 매몰되어 형성된 웰과 동일한 도전형의 고농도 도핑층에 의해 연결된 것을 특징으로 한다.강유전체, 메모리, 어레이, 트렌치, 절연막, 매몰, 도핑층
Int. CL G11C 11/22 (2006.01)
CPC H01L 27/11502(2013.01)
출원번호/일자 1020000087031 (2000.12.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0419571-0000 (2004.02.09)
공개번호/일자 10-2002-0058899 (2002.07.12) 문서열기
공고번호/일자 (20040219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.12.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유병곤 대한민국 대전광역시유성구
2 유종선 대한민국 대전광역시유성구
3 유인규 대한민국 대전광역시유성구
4 이원재 대한민국 대전광역시유성구
5 양일석 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-0288178-75
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2003-0012809-05
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0148715-05
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-5123900-18
8 의견서
Written Opinion		 2003.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2003-0277456-19
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.07.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0277432-24
10 등록결정서
Decision to grant		 2004.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0029938-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

삭제
2 2

제1도전형의 기판;

상기 제1도전형의 기판 상에 형성된 제2도전형의 고농도 도핑층;

상기 고농도 도핑층 상에 형성된 제2도전형의 웰;

상기 웰의 표면에 제1도전형의 불순물이 도핑되어 형성된 소스/드레인과, 상기 웰의 표면상에 형성된 강유전체박막, 및 상기 강유전체박막 상에 형성된 게이트전극을 포함하는 강유전체 트랜지스터;

상기 웰의 표면에 형성된 전극 콘택을 위한 제2도전형의 확산층; 및

인접한 컬럼의 웰과 분리되도록 상기 웰의 표면에서부터 상기 도핑층을 관통하여 상기 기판의 일부 깊이까지 형성되고, 상기 컬럼 방향으로 확장되어 형성되는 트렌치 절연막

을 포함하여 이루어진 단일 트랜지스터 강유전체 메모리 소자

3 3

제2항에 있어서,

상기 기판의 도핑농도는 1015~1016cm-3, 상기 웰의 도핑 농도는 1016~1017cm-3, 상기 고농도 도핑층의 도핑 농도는 1017~1018cm-3 임을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 강유전체 메모리 소자

4 4

제2항에 있어서,

상기 고농도 도핑층은 고에너지 이온주입층임을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 강유전체 메모리 소자

5 5

제2항에 있어서,

상기 고농도 도핑층은 에피택셜층임을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 강유전체 메모리 소자

6 6

제2항에 있어서,

상기 고농도 도핑층은 서브마이크로미터(sub-㎛)로부터 수 마이크로미터의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 단일 트랜지스터 강유전체 메모리 소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.