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스트론튬 탄탈륨 산화물 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015077887
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자층 증착 장비를 이용하여 형성한 스트론튬 탄탈륨 산화막의 형성 방법과 그 응용에 관한 것으로, 원자층 증착법에 플라즈마를 이용해서 증착한 스트론튬 탄탈륨 산화막은 누설 전류가 매우 낮고 유전 상수가 열처리 조건에 따라 30~100 특성을 갖는데, 이 박막을 이용하여 금속막/강유전체막/절연막/실리콘 구조로 형성되는 NDRO형 강유전체 메모리 소자의 절연막, 실리콘 산화막을 대신하는 게이트 산화막, 전계 발광 디스플레이 소자의 절연막 등에 사용되는 구조를 구현한다.스트론튬 탄탈륨 산화물 박막, 플라즈마, 유전막, 절연막
Int. CL H01L 21/31 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020000072033 (2000.11.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0382149-0000 (2003.04.16)
공개번호/일자 10-2002-0042228 (2002.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20030509) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.11.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이원재 대한민국 대전광역시유성구
2 유인규 대한민국 대전광역시유성구
3 양일석 대한민국 대전광역시유성구
4 유병곤 대한민국 대전광역시유성구
5 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-0254538-78
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0181353-54
4 의견서
Written Opinion		 2002.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2002-0240515-25
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.07.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0240519-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 등록결정서
Decision to grant		 2003.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0027177-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

패터닝된 기판의 표면에 스트론튬(Sr) 탄탈륨(Ta) 산화물 박막을 형성하는 방법에 있어서,

상기 기판을 반응 체임버(Chamber) 속에 배치하여 가열하는 단계;

스트론튬 탄탈륨 에톡사이드(Strontium Tantalum Ethoxide)를 함유하는 소스를 캐리어 가스에 의하여 상기 반응 체임버 속으로 유입시키는 단계;

상기 캐리어 가스 속에 기화된 소스를 퍼지 가스에 의하여 상기 반응 체임버 외부로 불어내는 단계;

상기 반응 체임버 속에 산소를 유입시켜 플라즈마화하는 단계; 및

상기 산소 플라즈마를 퍼지 가스에 의하여 상기 반응 체임버 외부로 불어내는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 스트론튬 탄탈륨 산화물 박막 형성 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 기판 가열 단계에서는 상기 기판을 200 내지 300 ℃로 가열하는 것을 특징으로 하는 스트론튬 탄탈륨 산화물 박막 형성 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 소스 유입 단계에서는 155 내지 165℃로 기화된 소스를 유입시키는 것을 특징으로 하는 스트론튬 탄탈륨 산화물 박막 형성 방법

4 4

제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 Sr-Ta 소스는 조성비 Sr/Ta가 0

5 5

제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 체임버 내부의 압력은 0

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 스트론튬 탄탈륨 산화물 층을 다수의 층으로 형성하기 위하여 상기 방법을 반복적으로 실시하는 것을 특징으로 하는 스트론튬 탄탈륨 산화물 박막 형성 방법

7 7

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8 8

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9 9

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1 US06486047 US 미국 FAMILY
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2002064927 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6486047 US 미국 DOCDBFAMILY
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