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평행하게 접합된 제1 기판 및 제2 기판, 행렬 어드레싱을 위해 상기 제1 기판 상부에 형성된 행 신호선 및 열 신호선에 의해 픽셀이 정의되는 전계방출 디스플레이에 있어서,

상기 제1 기판 상에 형성되어 상기 행 신호선 또는 열 신호선 중 어느 하나로서 역할하는 전도층;

상기 전도층 및 상기 제1 기판상에 형성되며 그 내부에 제1 개구부를 갖는 제1 절연막;

상기 제1 절연막을 관통하여 상기 전도층과 연결되는 플러그;

상기 제1 절연막상에서 촉매금속막으로부터 측면성장되고 상기 플러그에 연결되며 상기 개구부의 일측면에 그 단부가 노출되면서 상기 제1 기판과 나란히 배치된 탄소나노튜브 전계방출 에미터;

상기 탄소나노튜브 전계방출 에미터 및 상기 제1 절연막을 덮으며 그 내부에 상기 제1 개구부와 연결되는 제2 개구부를 갖는 제2 절연막;

상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부의 타측면을 덮고 상기 탄소나노튜브 전계방출 에미터와 수평으로 대향하면서 상기 행 신호선 또는 열 신호선 중 다른 하나로서 역할하는 양극 전극; 및

상기 양극 전극을 덮는 형광층

을 포함하는 전계방출 디스플레이

제 4 항에 있어서,

상기 제1 기판 상에 형성된 게이트 전극;

상기 게이트 전극을 덮는 절연막; 및

상기 절연막 상에 형성된 채널층으로 이루어지는 트랜지스터를 더 포함하고,

상기 전도층은 상기 채널층을 통하여 연결되는 제1 전도층 패턴 및 제2 전도층 패턴인 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이

평행하게 접합된 제1 기판 및 제2 기판, 행렬 어드레싱을 위해 상기 제1 기판 상부에 형성된 행 신호선 및 열 신호선에 의해 픽셀이 정의되는 전계방출 디스플레이에 있어서,

상기 제1 기판 상에 형성된 게이트 절연막, 게이트 전극, 상기 게이트 전극 양단의 상기 제1 기판 내에 형성되어 소스·드레인으로서 역할하는 제1 접합영역 및 제2 접합영역으로 이루어지는 트랜지스터;

상기 트랜지스터를 포함한 제1 기판을 덮으며 그 내부에 제1 개구부를 갖는 제1 절연막;

상기 제1 절연막을 관통하여 상기 소스·드레인 중 어느 하나와 연결되는 플러그;

상기 제1 절연막상에서 촉매금속막으로부터 측면성장되고 상기 플러그에 연결되며 상기 개구부의 일측면에 그 단부가 노출되면서 상기 제1 기판과 나란히 배치된 탄소나노튜브 전계방출 에미터;

상기 탄소나노튜브 전계방출 에미터 및 상기 제1 절연막을 덮으며 그 내부에 상기 제1 개구부와 연결되는 제2 개구부를 갖는 제2 절연막;

상기 제2 절연막 및 상기 제1 절연막을 통하여 상기 트랜지스터의 소스·드레인에 연결되어 상기 행 신호선 또는 열 신호선 중 어느 하나로서 역할하는 제1 전극;

상기 제1 전극 및 상기 제2 절연막을 덮으며 그 내부에 상기 제2 개구부와 연결되는 제3 개구부를 갖는 제3 절연막;

상기 제1,2 및 제3 개구부의 타측면을 덮고 상기 탄소나노튜브 전계방출 에미터와 수평으로 대향하면서 상기 행 신호선 또는 열 신호선 중 다른 하나로서 역할하는 양극 전극; 및

상기 양극 전극을 덮는 형광층

을 포함하는 전계방출 디스플레이

제 4 항 또는 제 6 항에 있어서,

상기 개구부, 상기 제1 개구부, 상기 제2 개구부 및 상기 제3 개구부 각각의 측벽 경사각은 20 °내지 80 °인 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이

제 4 항 또는 제 6 항에 있어서,

상기 탄소나노튜브 전계방출 에미터와 상기 양극 전극 사이에 전자빔 조절 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이

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평행하게 접합되는 제1 기판 및 제2 기판을 구비하는 전계방출 디스플레이 제조 방법에 있어서,

상기 제1 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 단계;

상기 제1 절연막 상에 상기 제1 기판과 나란한 탄소나노튜브 전계방출 에미터를 형성하는 단계;

상기 탄소나노튜브 전계방출 에미터를 포함한 상기 제1 절연막상에 제2 절연막을 형성성하는 단계;

상기 제2 절연막 및 상기 제1 절연막을 선택적으로 식각하여 그 측벽에 상기 탄소나노튜브 전계방출 에미터의 단부를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계;

상기 개구부 저면의 상기 제1 절연막 상에 전자빔 조절 전극을 형성하는 단계;

상기 탄소나노튜브 전계방출 에미터와 수평으로 대향하는 상기 개구부 일측 측벽 상에 양극 전극을 형성하는 단계;

상기 양극 전극 상에 형광층을 형성하는 단계; 및

상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 접합하는 단계

를 포함하는 전계방출 디스플레이 제조 방법

평행하게 접합된 제1 기판 및 제2 기판을 구비하는 전계방출 디스플레이 제조 방법에 있어서,

상기 제1 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 제1 단계;

상기 제1 절연막 상에 상기 제1 기판과 나란한 씨드층을 형성하는 제2 단계;

상기 씨드층 형성이 완료된 전체 구조 상에 제2 절연막을 형성하는 제3 단계;

상기 제2 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 씨드층의 일부를 노출시키는 제4 단계;

상기 노출된 씨드층을 과도식각하여 상기 제2 절연막과 상기 제1 절연막 사이에 언더컷을 형성하는 제5 단계;

탄소 나노튜브 성장 공정을 실시하여 상기 제1 절연막 상에 상기 제1 기판과 나란한 탄소나노튜브 전계방출 에미터를 형성하는 제6 단계;

상기 탄소나노튜브 전계방출 에미터 형성이 완료된 전체 구조 상에 제3 절연막을 형성하는 제7 단계;

상기 제3 절연막 및 상기 제1 절연막을 선택적으로 식각하여 그 측벽에 상기 탄소나노튜브 전계방출 에미터의 단부를 노출시키는 개구부를 형성하는 제8 단계;

상기 탄소나노튜브 전계방출 에미터와 수평으로 대향하는 상기 개구부 측벽 상에 양극 전극을 형성하는 제9 단계;

상기 양극 전극 상에 형광층을 형성하는 제10 단계; 및

상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 접합하는 제11 단계

를 포함하는 전계방출 디스플레이 제조 방법

제 12 항에 있어서,

상기 제6 단계는,

C2H2 또는 CH4 가스를 이용한 열 분해법 또는 플라즈마 분해법에 상기 탄소 나노튜브를 성장시키는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이 제조 방법

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제 12 항에 있어서,

상기 제6 단계 후,

상기 탄소나노튜브 전계방출 에미터의 길이를 조절하기 위해, 상기 탄소나노튜브 전계방출 에미터를 선택적으로 식각하는 제12 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이 제조 방법

제 12 항에 있어서,

상기 씨드층은,

Ni, Cr, Co, Fe, 다이아몬드라이크탄소, 크롬 또는 다아아몬드 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이 제조 방법

제 12 항에 있어서,

상기 제1 단계에서, 게이트, 게이트 절연막, 소스 및 드레인으로 이루어지는 바텀형 게이트 트랜지스터 또는 탑형 게이트 트랜지스터 형성이 완료된 제1 기판 상에 상기 제1 절연막을 형성하고,

상기 제1 단계 후, 상기 제1 절연막을 통하여 상기 트랜지스터의 소스 또는 드레인 중 어느 하나와 연결되는 플러그를 형성하는 제13 단계를 더 포함하고,상기 제2 단계에서, 상기 플러그와 연결되는 제1 씨드층을 형성하고,

상기 제6 단계 후, 상기 제2 절연막 및 상기 제1 절연막을 선택적으로 식각하여 상기 트랜지스터의 소스 또는 드레인 중 다른 하나와 연결되는 전극을 형성하는 제14 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이 제조 방법

제 12 항에 있어서,

상기 제1 단계에서, 제1 전도막 패턴 형성이 완료된 제1 기판 상에 상기 제1 절연막을 형성하고,

상기 제1 단계 후, 상기 제1 절연막을 통하여 제1 전도막 패턴과 연결되는 플러그를 형성하는 제15 단계를 더 포함하고,

상기 제2 단계에서, 상기 플러그와 연결되는 씨드층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이 제조 방법