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저온 측정용 갈륨비소 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015077895
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온의 측정을 위한 반도체 소자에 관련된 것으로서, 갈륨비소와 같이 고속 소자의 특성을 이용하여 회로를 구성하되 극 저온의 상태에서 소자의 동작이 요구되는 경우와 그때의 온도를 측정하고자 하는 경우 저온측정에 유용하게 할 수 있도록 갈륨비소의 회로에 온도 측정용 소자를 같이 집적하여 측정기구의 소형화와 경량화 및 경제성을 개선하도록 하는데 목적이 있다. 본 발명의 저온 측정용 갈륨비소 반도체 소자는 갈륨비소기판(1) 위에 Si 이온을 주입하여 구성되는 채널층(2)과, 상기 채널 층의 이온 주입부(3a)(3b)와 접촉되는 저항성의 제1전극부(4a)(4b)와, 상기 채널 층을 덮는 층간 절연막(5)과, 상기 층간 절연막을 개재하여 그 위에 형성되는 제2전극(6)으로 구성되고, 상기 저온 측정용 갈륨비소 반도체 소자는 갈륨비소기판(1) 위에 다른 기능을 갖는 트랜지스터 등의 집적회로 소자(7)와 함께 구성 구성된다.갈륨비소, 극저온, 측정, 온도감지
Int. CL H01L 21/18 (2006.01)
CPC G01K 7/01(2013.01)
출원번호/일자 1020000080881 (2000.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0402784-0000 (2003.10.10)
공개번호/일자 10-2002-0051531 (2002.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20031022) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.12.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문재경 대한민국 대전광역시유성구
2 김해천 대한민국 대전광역시유성구
3 양전욱 대한민국 전라북도전주시덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2000-0277232-96
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.08.13 수리 (Accepted) 9-1-2002-0014700-39
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0332819-26
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2002-5270106-41
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2002-5294682-79
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2003-0011081-31
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2003-5027389-45
11 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.02.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0062814-86
12 의견서
Written Opinion		 2003.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-0062833-43
13 과오납통지서
Notice of Erroneous Payment		 2003.03.04 수리 (Accepted) 1-5-2003-0014233-93
14 등록결정서
Decision to grant		 2003.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0357164-94
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

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2 2

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3 3

삭제
4 4

반절연 갈륨비소 기판위에 소정의 이온을 주입하여 구성되는 채널층 및 저항성 접촉부;

상기 채널층의 이온 주입부와 접촉되는 저항성의 AuGe/Ni/Au 으로 이루어진 제1전극부;

상기 채널 층을 덮는 층간 절연막; 및

상기 층간 절연막을 개재하여 층간 절연막 위에 형성되되, Ti, Pt, Au 중 어느 하나 이상을 포함하는 제2전극

을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 저온 측정용 갈륨비소 반도체 소자

5 5

삭제
6 6

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7 7

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8 8

투명기판 위에 갈륨비소(GaAs)막을 형성하는 단계;

상기 갈륨비소 기판의 양 단부에 소정의 이온을 주입하여 이온 주입부를 형성하는 단계;

상기 이온주입부 위에 저항성의 AuGe/Ni/Au 으로 이루어진 제1전극을 형성하는 단계;

상기 갈륨비소기판 위에 층간 절연막을 형성하는 단계; 및

층간 절연막을 개재하여 층간 절연막 위에 Ti, Pt, Au 중 어느 하나 이상을 포함하는 제2전극을 형성하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 측정용 갈륨비소 반도체 소자의 제조방법

9 9

제4항에 있어서,

상기 이온은 Si이온 인 것을 특징으로 하는 저온 측정용 갈륨비소 반도체 소자

10 10

제4항에 있어서,

상기 층간 절연막은 산화막(SiOx) 또는 질화막(SiNx)인 것을 특징으로 하는 저온 측정용 갈륨비소 반도체 소자

11 11

제8항에 있어서,

상기 이온 주입부는 Si이온이 주입된 것을 특징으로 하는 저온 측정용 갈륨비소 반도체 소자의 제조방법

12 12

제8항에 있어서,

상기 층간 절연막은 산화막(SiOx) 또는 질화막(SiNx)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 저온 측정용 갈륨비소 반도체 소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.