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플라스틱 박막상의 인듐주석산화막 패턴 형성 방법과 그를 위한 회전 도포기

  • 기술번호 : KST2015077897
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막의 플라스틱 기판을 소재로 하는 디스플레이 제작에 있어서 플라스틱 기판상에 형성하여 사용하는 투명전극인 ITO (Indum Tin Oxide)를 패터닝하는 플라스틱 박막상의 ITO 패턴 형성 방법 및 ITO 패턴 형성을 위한 회전 도포기를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 플라스틱 기판의 상부에 투명전극인 ITO(Indium Tin Oxide)막을 형성한 후 상기 ITO막 상에 감광막을 도포하기 위해, 고속으로 회전하며 흡입 방식에 따라 안착되어진 플라스틱 기판이 유동하지 않도록 고정시키는 진공 선반을 구비한 회전 도포기에 있어서, 회전 도포시에 사용되는 상기 진공 선반과 상기 플라스틱 기판 사이에 구비되며, 상기 진공 선반의 흡입영역을 상기 플라스틱 기판의 전면에 고루 분포시키도록 직경이 5 ㎛ 내지 90 ㎛의 미세 구멍이 있는 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판 상의 ITO 패턴 형성을 위한 회전 도포기를 제공한다.또한, 본 발명은 상기의 회전 도포기를 이용한 플라스틱 기판 상의 ITO 패턴 형성 방법을 제공한다.ITO, 플라스틱, 기판, 감광막, 진공선반.
Int. CL G02F 1/136 (2006.01)
CPC G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01)
출원번호/일자 1020000080894 (2000.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0413971-0000 (2003.12.22)
공개번호/일자 10-2002-0051289 (2002.06.28) 문서열기
공고번호/일자 (20040107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.12.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정태형 대한민국 대전광역시 유성구
2 이효영 대한민국 대전광역시 유성구
3 김성현 대한민국 대전광역시 유성구
4 도이미 대한민국 대전광역시 유성구
5 이정익 대한민국 경기도 수원시 권선구
6 추혜용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2000-0277259-17
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2000.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2000-5399289-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0145601-84
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.06.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0197449-45
7 의견서
Written Opinion		 2003.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2003-0197447-54
8 과오납통지서
Notice of Erroneous Payment		 2003.06.10 수리 (Accepted) 1-5-2003-0039111-51
9 등록결정서
Decision to grant		 2003.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0504809-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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플라스틱 기판의 상부에 투명전극인 ITO(Indium Tin Oxide)막을 형성한 후 상기 ITO막 상에 감광막을 도포하기 위해, 고속으로 회전하며 흡입 방식에 따라 안착되어진 플라스틱 기판이 유동하지 않도록 고정시키는 진공 선반을 구비한 회전 도포기에 있어서,

회전 도포시에 사용되는 상기 진공 선반과 상기 플라스틱 기판 사이에 구비되며, 상기 진공 선반의 흡입영역을 상기 플라스틱 기판의 전면에 고루 분포시키도록 직경이 5 ㎛ 내지 90 ㎛의 미세 구멍이 있는 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판 상의 ITO 패턴 형성을 위한 회전 도포기

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플라스틱 기판의 상부에 투명전극인 ITO막을 형성한 후 상기 ITO막 상에 감광막을 도포하기 위해, 고속으로 회전하며 흡입 방식에 따라 안착되어진 플라스틱 기판이 유동하지 않도록 고정시키는 진공 선반을 구비한 회전 도포기에 있어서,

상기 진공 선반의 상기 플라스틱 기판 안착면이 직경이 5 ㎛ 내지 90 ㎛의 미세홈이 형성되며, 형성된 상기 미세홈을 통해 상기 진공 선반의 흡입영역이 상기 플라스틱 기판의 전면에 고루 분포시키도록 하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판 상의 ITO 패턴 형성을 위한 회전 도포기

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제 6 항 또는 제 7 항의 회전 도포기를 이용한 플라스틱 기판 상의 ITO 패턴 형성 방법에 있어서,

플라스틱 기판의 상부에 ITO막을 형성하는 제1단계;

상기 ITO막 상에 상기 회전 도포기를 이용하여 감광막을 도포하는 제2단계;

상기 도포된 감광막에 포함되어 있는 용매를 제거하기 위해 50℃ 내지 100℃의 온도에서 열처리하는 제3단계;

패턴된 마스크를 이용하여 식각될 상기 ITO막 상부의 상기 감광막에 UV 광원을 조사하여 노광하는 제4단계;

노광된 상기 감광막을 현상하는 제5단계;

상기 감광막에 남아 있는 수분 및 용매를 제거하기 위해 50℃ 내지 100℃의 온도에서 열처리하는 제6단계;

상기 패턴된 감광막을 마스크로 ITO 식각 용액에 담구어 상기 ITO막을 습식식각하는 제7단계;

마스크로 사용한 상기 감광막을 제거하는 제8단계

를 포함하는 플라스틱 기판 상의 ITO 패턴 형성 방법

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제 8 항에 있어서,

상기 제3단계 또는 상기 제6단계의 열처리 공정을 30초 내지 5분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판 상의 ITO 패턴 형성 방법

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제 8 항에 있어서,

상기 제5단계 또는 상기 제7단계는,

상기 감광막을 현상하고 잔류 감광막을 이온수에서 헹군 후, 상기 감광막의 접착력을 저해하지 않기 위해서 자연 건조시키고, 잔류 수분만을 N2 가스로 건조시키는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판 상의 ITO 패턴 형성 방법

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.