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초고속 통신용 애발란치 광 검출 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077910
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단 한번의 확산(diffusion) 공정으로 가드링과 본 접합면을 형성하여 제작이 용이하고 신뢰성이 보장되는 초고속 통신용 애발란치 광 검출 소자 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 초고속 통신용 애발란치 광 검출 소자 제조방법은, 부유 가드링과 본 접합면의 깊이 차이를 조절하기 위하여 본 접합면 영역의 반도체증폭층을 일부두께 에칭하는 단계; 후속 공정에서 마스크층과 상기 반도체증폭층의 계면을 타고 확산되는 것을 방지하기 위하여 희생층을 형성하는 단계; 및 상기 본 접합면 영역과 상기 부유 가드링 영역이 오픈된 마스크를 형성하고 확산을 실시하여 상기 부유 가드링과 본 접합면을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.부유 가드링, 본 접합면, 에칭부, 마스크층, 희생층
Int. CL H01L 31/107 (2006.01)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1020000080913 (2000.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0399050-0000 (2003.09.09)
공개번호/일자 10-2002-0051541 (2002.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20030926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.12.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 현경숙 대한민국 대전광역시유성구
2 권용환 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2000-0277282-68
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.09.10 수리 (Accepted) 9-1-2002-0018892-79
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0441910-18
7 의견서
Written Opinion		 2003.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2003-0048275-47
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.02.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0048286-49
9 등록결정서
Decision to grant		 2003.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0316469-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

초고속 통신용 애발란치 광 검출 소자의 제조 방법에 있어서,

부유 가드링과 본 접합면의 깊이 차이를 조절하기 위하여 본 접합면 영역의 반도체증폭층을 일부두께 에칭하는 단계;

후속 공정에서 마스크층과 상기 반도체증폭층의 계면을 타고 확산되는 것을 방지하기 위하여 희생층을 형성하는 단계; 및

상기 본 접합면 영역과 상기 부유 가드링 영역이 오픈된 마스크를 형성하고 확산을 실시하여 상기 부유 가드링과 본 접합면을 형성하는 단계

를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 초고속 통신용 애발란치 광 검출 소자 제조방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 희생층은 상기 증폭층과는 에칭 선택성을 갖는 반도체물질 임을 특징으로 하는 초고속 통신용 애발란치 광 검출 소자 제조방법

3 3

제2항에 있어서,

상기 부유 가드링과 본 접합면을 형성하는 단계 이후에,

상기 희생층을 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 초고속 통신용 애발란치 광 검출 소자 제조방법

4 4

제1항에 있어서,

상기 마스크는 유전물질 임을 특징으로 하는 초고속 통신용 애발란치 광 검출 소자 제조방법

5 5

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6 6

삭제
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.