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다파장 단일모드 레이저 어레이 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077963
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 파장다중방식 광통신 시스템의 광원으로 요구되고 있는 다파장 단일모드 레이저 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 레이저 어레이는 기판, 상기 기판상에 소정 간격을 갖고 배열되되, 자신의 영역이 두 영역으로 구분된 다수의 활성층, 상기 두 영역으로 구분된 각 활성층의 하부에 서로 다른 주기를 갖고 분포된 다수의 비대칭 추출격자, 및 상기 각 활성층의 일측상에 배열되어 상기 활성층의 두 영역에서 서로 다른 브래그파장을 갖도록 하는 다수의 유효굴절률 변화층을 포함한다.본 발명은 추출격자에 의한 -1 차 반사 피크를 이용하여 레이저를 동작시키므로서 보통의 사진전사를 이용해서도 레이저 동작 파장을 변화시킬 수 있고, 따라서 동일 기판위에 다른 파장을 갖는 레이저 어레이를 제작할 수 있다. 레이저, 추출격자, 회절격자, 유효굴절율, 브래그 파장, 사진전사
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010030466 (2001.05.31)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0388485-0000 (2003.06.10)
공개번호/일자 10-2002-0091635 (2002.12.06) 문서열기
공고번호/일자 (20030625) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.05.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류상완 대한민국 대전광역시유성구
2 김제하 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2001-0130382-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 등록결정서
Decision to grant		 2003.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0162744-47
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 레이저 어레이에 있어서,

기판;

상기 기판상에 소정 간격을 갖고 배열되되, 자신의 영역이 두 영역으로 구분된 다수의 활성층;

상기 두 영역으로 구분된 각 활성층의 하부에 서로 다른 주기를 갖고 분포된 다수의 비대칭 추출격자; 및

상기 각 활성층의 일측상에 배열되어 상기 활성층의 두 영역에서 서로 다른 브래그파장을 갖도록 하는 다수의 유효굴절률 변화층

을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 어레이

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 비대칭 추출격자는 상기 활성층의 두 영역에서 -1차 또는 +1차 반사 파장에 일치되는 주기를 갖는 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 어레이

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 유효굴절률 변화층은 상기 활성층의 선택적 에칭이나 또는 선택적 영역 결정 성장법에 의한 두께변화를 통해 형성된 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 어레이

4 4

다파장 반도체 레이저 어레이의 제조 방법에 있어서,

기판상에 동일 주기를 갖는 다수의 회절격자를 형성하는 단계;

상기 회절격자 중 일부분을 주기적으로 제거하여 서로 다른 주기를 갖는 비대칭 추출격자를 형성하는 단계;

상기 비대칭 추출격자상에 상기 비대칭 추출격자의 주기에 따라 두영역으로 구분되는 활성층을 형성하는 단계;

상기 활성층상에 상기 활성층의 두 영역 중 어느 한 영역을 노출시키는 유효굴절률변화층을 형성하는 단계

를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 어레이의 제조 방법

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 유효굴절률변화층을 형성하는 단계는,

선택적 에칭이나 선택적 영역 결정 성장법을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 어레이의 제조 방법

6 6

제 4 항에 있어서,

상기 비대칭 추출격자를 형성하는 단계에서,

상기 비대칭 추출격자는 상기 활성층의 두 영역에서 -1차 또는 +1차 반사 파장에 일치되는 주기를 갖고 형성되는 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 어레이의 제조 방법

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