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광모드 크기 변환기가 결합된 광소자에 있어서, 제 1 도파로; 및 상기 제 1 도파로에 광모드가 결합되는 리지 형태의 광모드 크기 변환영역과 평면매립형태의 활성층으로 이루어진 제 2 도파로를 포함하며, 상기 광모드 크기 변환 영역은 상기 활성층의 폭이 감소하는 기울기로 형성된 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기가 결합된 광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도파로는 상기 제 2 도파로에 비해 굴절율 차이가 작은 층으로 이루어지며, 상기 제 1 도파로는 상기 제 2 도파로에 비해 그 두께가 작은 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기가 결합된 광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 도파로는 언더컷 식각된 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기가 결합된 광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 광모드 크기 변환 영역은 상기 활성층에 접하며 폭이 감소하는 기울기가 큰 제 1 영역과 폭이 감소하는 기울기가 작은 제 2 영역을 포함함을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기가 결합된 광소자
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제 4 항에 있어서, 상기 제 1 영역은 1㎛∼1
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 도파로는 선택적 영역 결정 성장법으로 형성된 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기가 결합된 광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도파로와 상기 제 2 도파로 사이에 분리층이 삽입된 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기가 결합된 광소자
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8
제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 레이저, 반도체광증폭기, 광변조기 또는 다모드 간섭기 중 어느 하나의 활성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기가 결합된 광소자
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광모드 크기 변환기가 결합된 광소자의 제조 방법에 있어서, 제 1 도파로, 분리층, 제 2 도파로를 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제 2 도파로상에 유전층패턴을 형성하는 단계; 상기 유전층패턴을 마스크로 이용하여 상기 제 2 도파로를 언더컷 식각하여 레이저활성층과 광모드크기변환영역을 동시에 형성하는 단계; 상기 제 2 도파로 측면에 전류차단층을 형성하는 단계; 상기 전류차단층을 포함한 전면에 클래딩층을 형성하는 단계; 상기 클래딩층, 전류차단층 및 제 2 도파로를 선택적으로 식각하여 리지 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 리지패턴의 양측에 폴리이믿층을 형성하는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기가 결합된 평면매립형 레이저의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 유전층패턴을 형성하는 단계에서, 상기 유전층패턴은 질화규소막을 포함하되, 2㎛∼3㎛의 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기가 결합된 평면매립형 레이저의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 제 2 도파로를 식각하는 단계는, 습식식각으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기가 결합된 평면매립형 레이저의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 제 2 도파로를 식각하는 단계에서, 상기 광모드 크기 변환영역은 상기 활성층의 폭이 감소하는 기울기로 형성되되, 기울기가 큰 제 1 영역과 기울기가 작은 제 2 영역으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기가 결합된 평면매립형 레이저의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 리지패턴을 형성하는 단계는, 반응성이온식각과 선택적 습식식각을 혼용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기가 결합된 레이저의 제조 방법
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