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전계 방출 표시 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015078058
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계방출 표시소자에 관한 것으로, 후막 법을 이용하여 에미터 형성시 카본 나노튜브에 도전성의 분체를 첨가하여, 카본 나노튜브에서 나오는 전류 밀도를 높이고 에미션(emission) 효율을 높일 수 있는 전계방출 표시소자의 제조방법을 제공한다.카본나노튜브, 전계방출디스플레이, 후막법
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1020010073394 (2001.11.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0436774-0000 (2004.06.10)
공개번호/일자 10-2003-0042656 (2003.06.02) 문서열기
공고번호/일자 (20040623) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.11.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김봉철 대한민국 대전광역시유성구
2 송윤호 대한민국 대전광역시서구
3 조영래 대한민국 대전광역시유성구
4 이진호 대한민국 대전광역시유성구
5 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2001-0306377-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0340888-33
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2003-0404624-30
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0442045-95
6 의견서
Written Opinion		 2003.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-0442046-30
7 등록결정서
Decision to grant		 2004.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0209764-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

전면 기판의 표면에 애노드 전극을 형성한 후 상기 애노드 전극 상에 형광막을 형성하는 단계와;

배면 기판 상에 캐소드 전극을 형성하는 단계와;

상기 캐소드 전극을 포함하는 전체 상부면에 절연층을 형성한 후 상기 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와,

상기 절연층의 소정 부분을 제거하여 상기 캐소드 전극을 노출시키는 단계와,

상기 노출된 캐소드 전극 상에 바인더, 도전성 분체 및 카본 나노튜브가 포함된 카본 나노튜브 수지를 도포한 후 열처리하여 상기 도전성 분체에 의해 세워진 카본 나노튜브로 이루어지는 에미터를 형성하는 단계와,

상기 전면 기판과 상기 배면 기판을 밀봉하는 단계를 포함여 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자의 제조 방법

2 2

삭제
3 3

삭제
4 4

제 1 항에 있어서,

상기 도전성 분체는 입자의 크기가 상기 카본 나노튜브의 길이보다 크고, 상기 입자의 비율이 전체 부피의 50 내지 100%인 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자의 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 도전성 분체의 면적 분포는 상기 캐소드 전극 유효 면적의 50 내지 100%인 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자의 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 도전성 분체는 200 내지 500℃에서 화학적 반응을 일으키지 않는 열에 안정한 물질인 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자의 제조 방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 도전성 분체는 주석이 첨가된 산화인듐 분말인 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자의 제조 방법

8 8

제 1 항에 있어서,

상기 카본 나노튜브 수지는 10g의 유지 바인더, 3g의 크기가 1㎛ 이하인 산화인듐 주석, 및 0

9 9

제 1 항에 있어서,

상기 카본 나노튜브 수지는 10g의 유지 바인더, 3g의 크기가 4㎛ 이상인 산화인듐 주석, 및 0

10 10

제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 350℃에서 3 시간동안 실시되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.