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제1 도전형의 반도체 기판; 상기 반도체 기판 위에 형성되어 브래그 반사 조건을 충족시키는 하부 거울층; 상기 하부 거울층 위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성되어 상기 활성층으로의 전류 이동 경로를 제공하는 전류 통로층; 상기 활성층 위에서 상기 전류 통로층을 감싸면서 상기 활성층으로의 전류 이동 경로를 제한하는 전류 제한층; 상기 전류 통로층 및 전류 제한층 위에 형성된 내부 공진 접촉층; 상기 내부 공진 접촉층의 일부 표면 위에 형성되어 브래그 반사 조건을 충족시키는 상부 거울층; 상기 내부 공진 접촉층의 노출 표면 및 상기 상부 거울층의 표면 위에 형성된 제1 전극; 및 상기 반도체 기판의 일정 표면 위에 형성된 제2 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 장파장용 수직 공진 표면 방출 레이저
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제1항에 있어서, 상기 상부 거울층은 제1 폭의 제1 메사 구조를 갖고, 상기 전류 제한층, 전류 통로층 및 내부 공진 접촉층은 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 제2 메사 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 장파장용 수직 공진 표면 방출 레이저
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제1항에 있어서, 상기 하부 거울층 및 제2 전극은 상기 반도체 기판과 동일한 제1 도전형으로 도핑되고, 상기 내부 공진 접촉층 및 제1 전극은 상기 반도체 기판과 반대인 제2 도전형으로 도핑된 것을 특징으로 하는 장파장용 수직 공진 표면 방출 레이저
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제1항에 있어서, 상기 상부 거울층은 도핑되지 않은 것을 특징으로 하는 장파장용 수직 공진 표면 방출 레이저
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제1항에 있어서, 상기 전류 통로층은 InAlAs 벌크층이고 상기 전류 제한층은 InAlAs 산화막인 것을 특징으로 하는 장파장용 수직 공진 표면 방출 레이저
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 5000Å 이상의 두께를 갖는 금 전극인 것을 특징으로 하는 장파장용 수직 공진 표면 방출 레이저
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제1 도전형의 반도체 기판 위에 하부 거울층, 활성층, 제1 반도체층, 내부 공진 접촉층 및 상부 거울층을 순차적으로 성장시키는 단계; 제1 마스크막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 상부 거울층이 제1 폭의 제1 메사 구조를 갖도록 제1 식각 공정을 수행하는 단계; 상기 제1 식각 공정에 의해 노출된 상기 내부 공진 접촉층 및 상부 거울층 위에 제2 마스크막 패턴을 형성하는 단계: 상기 제2 마스크막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제1 반도체층 및 내부 공진 접촉층이 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭의 제2 메사 구조를 갖도록 제2 식각 공정을 수행하는 단계; 상기 제2 반도체층의 측면을 산화시키는 산화 공정을 수행하여 상기 활성층 및 내부 공진 접촉층 사이의 전류 통로층 및 상기 전류 통로층을 둘러싸는 전류 제한층을 형성하는 단계: 상기 제2 마스크막 패턴을 제거하는 단계; 상기 내부 공진 접촉층 및 상부 거울층 표면 위에 제1 전극을 형성하는 단계: 및 상기 반도체 기판의 일정 표면 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 장파장용 수직 공진 표면 방출 레이저의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 반도체 기판은 InP 기판을, 상기 하부 거울층 및 상부 거울층은 InAlGaAs/InAlAs, InAlGaAs/InP 또는 GaAsSb/AlAsSb의 다층 박막을, 상기 활성층은 InGaAs 또는 InGaAsP의 양자 우물을, 그리고 상기 제1 반도체층은 InAlAs 벌크층을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 장파장용 수직 공진 표면 방출 레이저의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 제1 반도체층은 Al이 In보다 더 많이 첨가되어 InP에 대해 격자 부정합되는 InAlAs 긴장 벌크층을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 장파장용 수직 공진 표면 방출 레이저의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 제2 마스크막 패턴은 실리콘 질화막을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 장파장용 수직 공진 표면 방출 레이저의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 제2 메사 구조의 제2 폭은 상기 제1 메사 구조의 제1 폭보다 2-3
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제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 식각 공정은 건식 식각 공정을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 장파장용 수직 공진 표면 방출 레이저의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 산화 공정은 수증기 분위기 및 450-550℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 장파장용 수직 공진 표면 방출 레이저의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 제1 식각 공정인 종료된 후 상기 내부 공진 접촉층 표면 위에 잔재하는 상부 거울층 제거를 위한 습식 식각 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장파장용 수직 공진 표면 방출 레이저의 제조 방법
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