제1 전원공급단와 제2 전원공급단;

상기 제2 전원공급단에 접속되며, 상기 제1 전원공급단에서 상기 제2 전원공급단으로 일정한 양의 전류가 흐르도록 하는 정전류원;

상기 정전류원에 접속되며, 입력되는 제1 차동입력 신호와 제2 차동입력 신호에 각각 대응하는 제1 전류와 제2 전류가 상기 제1 전원공급단과 상기 제2 전원공급단 사이로 각각 흐르도록 제어하는 입력 트랜지스터부;

상기 제1 전원공급단과 상기 입력 트랜지스터부 사이에 제공되며, 상기 제1 전류와 제2 전류에 각각 대응하는 제1 차동출력신호와 제2 차동출력 신호를 생성하여 제1 및 제2 출력단을 통해 출력하되, 항상 포화영역에서 동작하는 로드용 트랜지스터를 구비하는 차동신호 센싱부;

상기 제1 출력단과 제2 출력단 사이에 제공되며, 상기 제1 차동출력 신호와 제2 차동출력 신호의 전위차를 감소시킴으로서, 상기 제1 및 제2 차동출력 신호의 노이즈를 감소시키고 제1 및 제2 차동출력 신호의 변화 속도를 증가시키는 전위 레벨 감쇠부; 및

상기 제1 전류의 변화량에 응답하여 상기 제2 전류를 변화시키고, 상기 제2 전류의 변화량에 응답하여 상기 제1 전류를 변화시킴으로서, 상기 차동신호 센싱부의 센싱속도를 높이는 양궤환 증폭부

를 구비하는 전류제어 가변 지연 회로

제 1 항에 있어서,

상기 입력 트랜지스터부는,

게이트 단자는 상기 제1 차동입력 신호에 응답하고 일측 단자는 상기 정전류원에 연결되고 타측 단자는 상기 제1 출력단에 연결되는 제1 NMOS; 및

게이트 단자는 상기 제2 차동입력 신호에 응답하고 일측 단자는 상기 정전류원에 연결되고 타측 단자는 상기 제2 출력단에 연결되는 제2 NMOS를 구비하는 것을 특징으로 하는 전류제어 가변 지연 회로

제 2 항에 있어서,

상기 차동신호 센싱부는

일측은 상기 제1 전원공급단에 연결되고 타측은 상기 제1 출력단에 연결되며 게이트는 상기 제2 출력단에 제1 PMOS;

일측은 상기 제1 전원공급단에 연결되고 타측은 상기 제2 출력단에 연결되며 게이트는 상기 제1 출력단에 연결되는 제2 PMOS;

다이오드 접속되어 일측은 상기 제1 전원공급단에 연결되고 타측과 게이트 단자는 상기 제1 출력단에 연결되는 제3 PMOS; 및

다이오드 접속되어 일측은 상기 제1 전원공급단에 연결되고 타측과 게이트 단자는 상기 제2 출력단에 연결되는 제4 PMOS를 구비하는 것을 특징으로 하는 전류제어 가변 지연 회로

제 3 항에 있어서,

상기 양궤환 증폭부는,

게이트는 상기 제1 출력단에 연결되고 일측은 정전류원에 연결되며, 타측은 상기 제2 출력단에 연결되는 제3 NMOS;

게이트는 상기 제2 출력단에 연결되고 일측은 정전류원에 연결되며, 타측은 상기 제1 출력단에 연결되는 제4 NMOS를 구비하는 것을 특징으로 하는 전류제어 가변 지연 회로

제 4 항에 있어서,

상기 전위레벨 감쇠부는

다이오드 접속되어 게이트와 일측은 상기 제2 출력단에 연결되고 타측은 상기 제1 출력단에 연결되는 제5 NMOS; 및

다이오드 접속되어 게이트와 일측은 상기 제1 출력단에 연결되고 타측은 상기 제2 출력단에 연결되는 제6 NMOS를 구비하는 것을 특징으로 하는 전류제어 가변 지연 회로