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다중 반사 피크를 구현할 수 있는 광섬유; 및 상기 광섬유쪽 단면에 무반사코팅층이 형성되어 있고, 모드 크기 변환기 영역, 이득 영역 및 브래그 거울 영역을 포함하여 레이저 발진 파장을 가변할 수 있는 반도체 소자로 이루어지고, 상기 광섬유 및 반도체 소자는 광결합되어 상기 광섬유의 반사 피크에 따라 레이저 발진 파장이 결정되는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원
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다중 반사 피크를 구현할 수 있는 광섬유; 및 상기 광섬유쪽 단면에 무반사코팅층이 형성되어 있고, 모드 크기 변환기 영역, 이득 영역 및 파장 가변 필터 영역을 포함하여 레이저 발진 파장을 가변할 수 있는 반도체 소자로 이루어지고, 상기 광섬유 및 반도체 소자는 광결합되어 상기 광섬유의 반사 피크에 따라 레이저 발진 파장이 결정되는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원
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다중 반사 피크를 구현할 수 있는 광섬유; 상기 광섬유쪽 단면에 무반사코팅층이 형성되어 있고, 이득 영역 및 브래그 거울 영역을 포함하여 레이저 발진 파장을 가변할 수 있는 반도체 소자; 및 상기 광섬유와 반도체 소자 사이에 설치된 렌즈로 이루어지고, 상기 광섬유 및 반도체 소자는 상기 렌즈를 통하여 광결합되어 상기 광섬유의 반사 피크에 따라 레이저 발진 파장이 결정되는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원
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실리카 기판 위에 평면 도파로를 구비하여 다중 반사 피크를 구현할 수 있는 실리카 수동 광회로; 및 상기 실리카 기판에 플립칩 본딩되어 있고, 상기 실리카 수동 광회로의 평면 도파로쪽 단면에 무반사코팅층이 형성되어 있고, 모드 크기 변환기 영역, 이득 영역 및 브래그 거울 영역을 포함하여 레이저 발진 파장을 가변할 수 있는 반도체 소자로 이루어지고, 상기 실리카 수동 광회로 및 반도체 소자는 광결합되어 상기 실리카 수동 광회로의 반사 피크에 따라 레이저 발진 파장이 결정되는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원
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제1항 내지 제4항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 소자에 위상 조절 영역을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원
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제1항 내지 제3항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 광섬유에는 다중 반사 피크를 구현하기 위해 다중 광섬유 브래그 격자 또는 추출 광섬유 브래그 격자가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원
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제1항, 제3항, 또는 제4항에 있어서, 상기 브래그 거울 영역에는 레이저 발진 파장을 가변할 수 있게 다중 브래그 격자 또는 추출 브래그 격자가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원
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제2항에 있어서, 상기 파장 가변 필터 영역에는 레이저 발진 파장을 가변할 수 있게 광결합 도파로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원
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제4항에 있어서, 상기 실리카 수동 광회로의 평면 도파로에는 다중 반사 피크를 구현하기 위해 다중 브래그 격자 또는 추출 브래그 격자가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 파장 가변 레이저 광원
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