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전류제어층을 구비한 박막전계발광소자

  • 기술번호 : KST2015078205
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구동전압을 낮추고 고해상도를 구현하기 위한 박막전계발광소자에 관한 것으로, 본 발명의 직류구동형 박막전계발광소자는 박막형광층과 금속전극의 사이에 상기 박막형광층에 접하는 박막에너지장벽층과 상기 금속전극에 접하는 박막전류제한층이 적층된 박막전류제어층을 삽입되며, 본 발명의 교류구동형 박막전계발광소자는 박막형광층의 상,하부에 박막에너지장벽층과 박막전류제한층이 적층된 박막전류제어층이 삽입되되, 상기 박막에너지장벽층은 상기 박막형광층에 접하여 이루어진다.박막전계발광소자, 에너지장벽층, 전류제어층, 전류제한층, 형광층, 최대전류밀도
Int. CL H05B 33/22 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010071462 (2001.11.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0449856-0000 (2004.09.13)
공개번호/일자 10-2002-0043161 (2002.06.08) 문서열기
공고번호/일자 (20040922) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020000072323   |   2000.12.01
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.11.16)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용신 대한민국 대전광역시유성구
2 윤선진 대한민국 대전광역시유성구
3 박상희 대한민국 대전광역시유성구
4 이용의 대한민국 서울특별시강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2001-0298539-78
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2001.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2001-5317920-91
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0052120-83
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0041514-38
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.04.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0137245-88
8 의견서
Written Opinion		 2004.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2004-0137254-99
9 등록결정서
Decision to grant		 2004.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0376731-07
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

투명기판, 투명전극, 박막형광층, 금속전극의 순서로 적층된 박막전계발광소자에 있어서,

상기 박막형광층과 금속전극의 사이에 상기 박막형광층에 접하는 박막에너지장벽층과 상기 금속전극에 접하는 박막전류제한층이 적층된 박막전류제어층을 삽입시킨 것을 특징으로 하는 박막전계발광소자

2 2

투명기판, 투명전극, 박막형광층, 금속전극의 순서로 적층된 박막전계발광소자에 있어서,

상기 박막형광층의 상,하부에 박막에너지장벽층과 박막전류제한층이 적층된 박막전류제어층이 삽입되되, 상기 박막에너지장벽층은 상기 박막형광층의 상하부에 접하고 상기 박막전류제한층은 상기 금속전극과 투명전극에 접하는 것을 특징으로 하는 박막전계발광소자

3 3

불투명기판, 내화금속전극, 박막형광층, 투명전극의 순서로 적층된 반전구조의 박막전계발광소자에 있어서,

상기 내화금속전극과 상기 박막형광층 사이에 상기 내화금속전극에 접하는 박막전류제한층과 상기 박막형광층에 접하는 박막에너지장벽층이 적층된 박막전류제어층을 삽입시킨 것을 특징으로 하는 반전구조의 박막전계발광소자

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 투명전극과 상기 박막형광층 사이에 상기 박막전류제한층이 추가로 삽입된 것을 특징으로 하는 박막전계발광소자

5 5

제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,

상기 박막형광층과 상기 투명전극 사이에 산화물 또는 황화물 형태의 박막삽입층이 더 삽입된 것을 특징으로 하는 박막전계발광소자

6 6

제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,

상기 박막전류제한층은 Ta2O5, Al2O3, TiO2, HfO2, Y2O3, SiO2, SiON, PbTiO3, BaTiO3, BaTa2O6, PbNbO6, SrTiO3, PbTiO3, Nb2O3, ZrO2, PbO 또는 Pb(Zr,Ti)O3 중 어느 하나의 박막형 단일산화물, 상기 단일산화물의 혼합물 또는 다층구조로 이루어진 산화물 박막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막전계발광소자

7 7

제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,

상기 박막전류제한층은 SiON/TiO2, SiO2/TiO2 또는 Ta2O5/TiO2 중 어느 하나의 산화물박막이거나, 또는 상기 산화물박막이 다수번 적층된 적층막인 것을 특징으로 하는 박막전계발광소자

8 8

제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,

상기 박막전류제한층은 Al2O3 과 TiO2이 교대로 적층되어 전체두께가 50㎚∼1000㎚인 다층박막이며, 상기 전체두께에 대한 상기 TiO2의 두께비가 0

9 9

제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,

상기 박막에너지장벽층은 ZnS, ZnO, ZnSe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, CdS, BaO, BaS, BaSe 또는 BaTe 중 어느 하나의 II-VI족 화합물, Al2O3, Ta2O5, SiO2, SiON , TiO2 또는 SnO2 중 어느 하나의 금속 산화물, 상기 II-VI족 화합물 중 어느 하나와 상기 금속산화물 중 어느 하나를 혼합시킨 혼합 박막 또는 상기 II-VI족 화합물 중 어느 하나와 상기 금속산화물 중 어느 하나를 적층시킨 다층 박막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막전계발광소자

10 10

제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,

상기 박막전류제한층과 상기 박막에너지장벽층은 증발법, 스퍼터링법, 다중소스증착법, 금속유기화학기상증착법, 할로겐-트랜지스포트 화학기상증착법 또는 원자층증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 박막전계발광소자

11 11

제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,

상기 형광층은 ZnS:Mn, ZnxMg1-xS:Mn, ZnS:Tb,F, ZnS:Sm,Cl, ZnS:Tm,F, CaS:Eu; CaS:Ce, CaS:Pb, SrS:Ce, SrS:Cu,Ag, CaGa2S4:Ce 또는 BaAl2S4:Eu 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막전계발광소자

12 12

투명기판, 투명전극, 박막형광층, 금속전극의 순서로 적층된 박막전계발광소자에 있어서,

상기 박막형광층과 금속전극의 사이에 전계유도 전자유도에 의하여 상기 박막형광층 내부로 높은 에너지를 갖는 전자를 공급하는 에너지장벽 역할과 과도한 전류가 소자를 관통하여 소자 파괴를 유발하는 것을 방지하는 전류제어층 역할을 하는 박막전류제어층이 삽입된 것을 특징으로 박막전계발광소자

13 13

제 12 항에 있어서,

상기 박막전류제어층은 Al2O3/TiO2, SiON/TiO2, SiO2/TiO2 및 Ta2O5/TiO2로 구성된 다층박막그룹중에서 선택된 전체 두께 50㎚∼500㎚인 하나의 다층박막을 포함함을 특징으로 하는 박막전계발광소자

14 14

제 12 항에 있어서,

상기 박막전류제어층은 Al2O3 과 TiO2이 교대로 적층되어 전체두께가 50㎚∼500㎚인 다층박막이며, 상기 전체두께에 대한 상기 TiO2의 두께비가 0

15 15

제 12 항에 있어서,

상기 박막전류제어층은 Ta2O5, Al2O3, TiO2, HfO2, Y2O3, SiO2, SnO2, SiON, PbTiO3, BaTiO3, BaTa2O6, PbNbO6, SrTiO3, PbTiO3, Nb2O3, ZrO2, PbO 또는 Pb(Zr,Ti)O3 중 어느 하나의 박막형 단일산화물, 상기 단일산화물의 혼합물, 상기 단일산화물들이 다층구조로 이루어진 다층산화물박막 또는 ZnS, ZnO, ZnSe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, CdS, BaO, BaS, BaSe 또는 BaTe 중 어느 하나의 II-VI족 화합물 중에서 선택되는 하나를 포함함을 특징으로 하는 박막전계발광소자

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1 US06674234 US 미국 FAMILY
2 US20020101153 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2002101153 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6674234 US 미국 DOCDBFAMILY
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