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자성을 띤 거울이 인덕터의 자기력에 의하여 상기 거울을 지지하는 기판에 수직으로 정렬됨으로써 광경로를 변경시키는 광스위치의 제작방법으로서, 기판의 뒷면을 식각함으로써, 상기 기판 내에 거울 포켓(mirror pocket)과 인덕터가 매몰될 홈을 형성하는 단계; 상기 홈에 상기 기판에 평행되게 코일이 감겨진 인덕터를 매몰하는 단계; 및 상기 기판의 앞면을 가공하여 상기 거울 포켓에 정렬되는 거울과 상기 거울을 지지하는 토션 바(torsion bar)를 일체로 형성하면서 상기 거울 포켓을 완전히 개방하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 1 항에 있어서, 상기 홈에 인덕터를 매몰하는 단계는 상기 기판의 가공과는 별도로 제작된 마이크로 인덕터를 상기 홈에 삽입하는 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 1 항에 있어서, 상기 홈에 인덕터를 매몰하는 단계는 상기 홈의 내벽과 바닥에 절연막을 1차 코팅한 다음, 다수의 1차 메탈라인을 상기 홈 내부와 상기 홈 외부 턱에 형성하는 단계; 상기 1차 메탈라인이 형성된 결과물 상에 절연막을 2차 코팅한 다음, 자성 금속을 증착하여 상기 홈 내부에 매립되는 자심체를 형성하는 단계; 및 상기 자심체가 형성된 결과물 상에 절연막을 3차 코팅한 다음, 상기 1차 메탈라인과 각각 연결되는 다수의 2차 메탈라인을 형성하여 상기 자심체를 감싸는 코일을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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실리콘 베이스층, 매몰산화막 및 반도체층이 순차 적층된 SOI(Silicon On Insulator)형 기판을 제공하는 단계; 상기 실리콘 베이스층을 식각함으로써 상기 매몰산화막을 노출시키는 거울 포켓과 상기 매몰산화막을 노출시키지 않는 인덕터 매몰용 홈을 형성하는 단계; 상기 홈의 내벽과 바닥에 절연막을 1차 코팅한 다음, 다수의 1차 메탈라인을 상기 홈 내부와 상기 홈 외부 턱에 형성하는 단계; 상기 1차 메탈라인이 형성된 결과물 상에 절연막을 2차 코팅한 다음, 자성 금속을 증착하여 상기 홈 내부에 매립되는 자심체를 형성하는 단계; 상기 자심체가 형성된 결과물 상에 절연막을 3차 코팅한 다음, 상기 자심체를 둘러싸는 코일이 완성되도록 상기 1차 메탈라인과 연결되는 다수의 2차 메탈라인을 형성함으로써, 상기 실리콘 베이스층에 수평적으로 매몰된 인덕터를 제조하는 단계; 및 상기 인덕터의 자기력에 의하여 구동되는 거울이 형성되도록, 상기 반도체층 상에 자성층 및 광반사층을 증착한 후 상기 거울의 중심 이하 하반부가 상기 자기력에 의해 당겨질 경우 상기 거울 포켓에 수직적으로 삽입되도록 거울 패턴을 평면적으로 정의하는 단계를 포함하여, 상기 거울과 상호 연결된 토션 바가 형성되도록 상기 반도체층을 식각하는 단계; 및 상기 거울 포켓이 완전히 개방되고 상기 거울이 토션 바에 의하여 상기 기판 표면으로부터 플로팅(floating)된 구조를 갖도록 상기 거울과 토션 바 하부의 상기 매몰산화막을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 4 항에 있어서, 상기 반도체층은 실리콘 에피층 또는 폴리실리콘층인 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 거울 포켓과 홈은 트렌치(trench) 식각 방법에 의하여 각각 식각하는 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 7 항에 있어서, 상기 거울 포켓은 수직적 식각 단면구조를 갖도록 형성하고, 상기 홈의 내벽은 경사지게 형성하는 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 거울 포켓은 반응성 이온식각(RIE)방법으로 형성하고, 상기 홈은 습식식각용액을 이용한 등방성 식각방법에 의하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 9 항에 있어서, 상기 습식식각용액은 KOH인 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 메탈라인은 Al 또는 Cu인 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 자심체는 Ni, Fe 또는 Cr인 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 4 항에 있어서, 상기 자성층은 Ni, Fe 또는 Cr인 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 4 항에 있어서, 상기 광반사층은 Al, Au 또는 Ni인 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 4 항에 있어서, 상기 매몰산화막을 식각하는 단계는 불산(HF)용액을 사용한 습식식각 방법에 의하는 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 거울의 패턴은 평면적 모양이 원형 또는 다각형의 모양으로 구성되며 상기 거울 포켓의 평면적 모양도 사각형 패턴 외 임의의 모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기의 거울과 연결되는 토션 바의 기계적 탄성 조절을 위하여 상기 토션 바의 형태를 직선구조 또는 맨더(meander)구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 기판에 수평적으로 매몰된 인덕터 자기 유도형의 개별 광스위치가 어레이 형태로 배열된 M×N 매트릭스 구조의 광스위치를 제조하기 위하여, 상기 제작방법에 따라 상기 기판에 다수의 광스위치를 집적하는 단계; 및 상기 광스위치가 집적된 동일 기판 상에 마이크로 렌즈 및 광섬유 집적을 위한 부대공정으로서 광스위치 영역 바깥 부분에 홈을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광스위치 제작방법
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