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ＳｉＧｅ/Ｓｉ 이종 접합 전계 효과 트랜지스터 제조용 기판의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015078275
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SiGe/Si 이종 접합 전계 효과 트랜지스터 제조용 기판의 형성 방법 및 그 기판에 관한 것으로, 실리콘 에피층, 완충층 및 실리콘 캡층을 갖는 SiGe/Si 이종 접합 전계 효과 트랜지스터 제조용 기판에서 완충층을 형성하는 방법에 있어서, 실리콘 게르마늄으로 이루어지고 게르마늄 조성이 기울기를 갖는 제1 실리콘 게르마늄 층을 형성하는 단계, 실시간으로 열처리를 행하는 단계 및 실리콘 게르마늄으로 이루어지고 게르마늄 조성이 일정한 제2 실리콘 게르마늄 층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, CVD 방법을 이용하여 실리콘 게르마늄의 완충층을 형성하므로 양산이 가능한 효과를 갖고, 실시간 열처리를 통해 얇은 두께의 완충층을 형성하므로 소자의 높이가 낮아지고 공정 시간이 짧아지며 결함의 표면전파가 없이 표면이 매끄러운 기판을 형성할 수 있는 효과를 갖는다. SiGe/Si 이종 접합 전계 효과 트랜지스터, SiGe, 완충층, CVD
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/66431(2013.01) H01L 29/66431(2013.01)
출원번호/일자 1020020018878 (2002.04.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0460201-0000 (2004.11.26)
공개번호/일자 10-2003-0080312 (2003.10.17) 문서열기
공고번호/일자 (20041208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.04.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임정욱 대한민국 대전광역시유성구
2 송영주 대한민국 대전광역시유성구
3 심규환 대한민국 대전광역시유성구
4 강진영 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2002-0103592-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0001820-85
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0115676-84
6 의견서
Written Opinion		 2004.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-0222805-18
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0222804-73
8 등록결정서
Decision to grant		 2004.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0492950-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 에피층, 완충층 및 실리콘 캡층을 갖는 SiGe/Si 이종 접합 전계 효과 트랜지스터 제조용 기판에서 완충층을 형성하는 방법에 있어서,

(a) 실리콘 게르마늄으로 이루어지고 게르마늄 조성이 기울기를 갖는 제1 실리콘 게르마늄 층을 형성하는 단계;

(b) 실시간으로(in-situ) 열처리를 행하는 단계; 및

(c) 실리콘 게르마늄으로 이루어지고 게르마늄 조성이 일정한 제2 실리콘 게르마늄 층을 형성하는 단계로 구성되되,

상기 열처리는 제1 온도에서 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 상승시켜 소정 시간 동안 유지한 후 다시 상기 제1 온도로 하강시키는 것을 특징으로 하는 SiGe/Si 이종 접합 전계 효과 트랜지스터 제조용 기판의 형성 방법

2 2

삭제
3 3

제1 항에 있어서, 상기 완충층을 형성하는 방법은,

상기 (a) 단계에서 목표하는 게르마늄 조성의 절반만 성장시키고 상기 (b) 및 (c) 단계를 진행한 후,

상기 (a) 단계를 다시 진행하여 목표하는 게르마늄 조성의 나머지 절반을 성장시키고 상기 (b) 및 (c) 단계를 다시 진행하는 것을 특징으로 하는 SiGe/Si 이종 접합 전계 효과 트랜지스터 제조용 기판의 형성 방법

4 4

제 1항에 있어서, 상기 제2 실리콘 게르마늄 층의 두께와 상기 제1 실리콘 게르마늄 층의 두께의 비는 0

5 5

제 1항에 있어서, 상기 제2 실리콘 게르마늄 층의 두께와 상기 제1 실리콘 게르마늄 층의 두께의 합은 150nm에서 250nm의 사이인 것을 특징으로 하는 SiGe/Si 이종 접합 전계 효과 트랜지스터 제조용 기판의 형성 방법

6 6

삭제
7 7

제 1항에 있어서, 상기 제1 온도는 600℃ 내지 700℃이고, 상기 제2 온도는 800℃ 내지 1000℃이며, 상기 소정 시간은 1분 내지 10분인 것을 특징으로 하는 SiGe/Si 이종 접합 전계 효과 트랜지스터 제조용 기판의 형성 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.