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입력 광 분기 영역, 광 합파 출력 영역 및 상기 입력 광 분기 영역과 상기 광 합파 출력 영역 사이의 광 위상 변조 영역을 포함하는 반도체 광 변조기에 있어서, 상기 입력 광 분기 영역, 상기 광 합파 출력 영역 및 상기 광 위상 변조 영역에 걸쳐 연장되는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 바닥 표면에 형성된 바닥 전극; 상기 반도체 기판 상에 형성되고 상기 입력 광 분기 영역, 상기 광 합파 출력 영역 및 상기 광 위상 변조 영역에 걸쳐 연장되며 다중 양자 우물 구조를 가지는 활성층; 상기 활성층을 덮는 클래딩층; 상기 활성층에 광 도파로가 형성되도록 유도하기 위해 상기 클래딩층 상에 리지(ridge) 형태로 형성되며, 상기 광 합파 출력 영역 상의 상부층 제1영역, 상기 상부층 제1영역으로부터 Y 형태로 분지되어 상호 평행하게 이격되어 각각 직선 형태로 길게 연장되는 상기 광 위상 변조 영역 상의 두 개의 상부층 제2영역들, 상기 두 개의 상부층 제2영역 중의 어느 하나에 연장되는 상기 입력 광 분기 영역 상의 상부층 제3영역, 및 상기 두 개의 상부층 제2영역 중의 다른 하나에 연장되고 상기 상부층 제3영역의 아래에 유도되는 광 도파로 부분을 지나는 입력광으로부터 분기광을 분기하기 위해서 상기 상부층 제3영역과 상호 평행하게 상기 두 개의 상부층 제2영역들 간의 간격보다 좁은 간격으로 이격되는 상기 입력 광 분기 영역 상의 상부층 제4영역을 포함하는 상부층; 상기 상부층 제2영역들 상에 각각 형성되어 상기 바닥 전극과 함께 상기 상부층 제2영역들 아래에 유도되는 광 도파로 부분을 통과하는 광의 위상을 각각 독립적으로 변조하기 위한 광 변조용 전극들; 및 상기 광 변조용 전극들에 독립적이며 상기 상부층 제4영역 상에 형성되어 상기 분기광의 광분기 비율을 제어하기 위한 방향성 결합기용 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광 변조기
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