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실리콘 기판과, 하부 클래드층, 중심 코아 및 상부 클래드층을 포함하고, 광소자 실장 위치를 한정하는 트렌치를 가지고 상기 실리콘 기판 위에 형성된 광도파로 소자와, 금속막으로 이루어지고, 상기 광소자 실장 위치에서 상기 실리콘 기판상에 형성된 테라스와, 상기 테라스 위에 형성된 절연막과, 상기 절연막 위에 형성된 UBM(under bump metallurge) 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼
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제1항에 있어서, 상기 테라스는 전해 도금막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼
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제1항에 있어서, 상기 절연막은 광학적으로 투명한 막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼
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제3항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 산화물(SiO2) 또는 실리콘 질화물(Si3N4막)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼
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제1항에 있어서, 상기 UBM 패드는 Ti/Pt/Au 금속막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼
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제1항에 있어서, 상기 광도파로 소자의 측벽은 광학적으로 거울면을 형성하는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼
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7
실리콘 기판상에 하부 클래드층, 중심 코아 및 상부 클래드층을 차례로 적층하는 단계와, 상기 실리콘 기판을 노출시키도록 상기 상부 클래드층, 중심 코아 및 하부 클래드층을 식각하여 광소자 실장 위치를 한정하는 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 광소자 실장 위치에서 노출된 실리콘 기판상에 전해 도금 방법에 의하여 금속막으로 이루어지는 테라스를 형성하는 단계와, 상기 테라스 위에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 위에 UBM(under bump metallurge) 패드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 트렌치를 형성하는 단계에서는 상기 상부 클래드층, 중심 코아 및 하부 클래드층을 패터닝하기 위하여 RIE(reactive ion etching) 방법 또는 유도 결합 플라즈마 식각(inductively coupled plasma etching) 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 테라스를 형성하는 단계에서는 상기 금속막을 전해 도금 방법으로 형성하기 위하여 상기 실리콘 기판을 전극으로 사용하는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼 제조 방법
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10
제7항에 있어서, 상기 테라스를 형성하는 단계에서는 상기 금속막을 전해 도금 방법으로 형성하기 위하여 상기 광도파로 소자를 도금 방지용 마스크로 사용하는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 테라스를 형성하는 단계에서는 상기 중심 코아의 중심축과 상기 광소자 실장 위치에 실장될 광소자의 광축이 정확하게 정렬될 수 있도록 상기 테라스의 높이를 도금에 의하여 형성되는 상기 금속막의 두께로 조절하는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 테라스는 금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 절연막은 PE-CVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 UBM 패드 형성 단계에서는 전극이 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 UBM 패드 형성 단계에서는 광소자 칩 정렬을 위한 얼라인 키(align key)가 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼 제조 방법
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제7항, 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 UBM 패드 형성 단계는 리프트-오프(lift-off) 방법을 이용한 증착 공정에 의하여 행해지는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼 제조 방법
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17
제7항에 있어서, 상기 UBM 패드 형성 단계 후, 상기 UBM 패드상에 솔더를 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼 제조 방법
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18
제17항에 있어서, 상기 솔더는 In/Pb 또는 Au/Sn으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광도파로 플랫폼 제조 방법
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