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원자층 증착법을 이용한 ｃ축 배향 ＺｎＯ 박막 제조방법및 이를 이용한 광소자

  • 기술번호 : KST2015078453
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막을 구성하는 원소를 포함하는 전구체들 간의 표면화학반응을 이용하여 저온에서 단결정 기판 또는 비정질 기판 상에 c축 배향된 결정성을 갖는 ZnO 박막 제조 방법 및 이를 이용한 광소자에 관한 것이다.이를 위해서, 본 발명은 기판을 챔버내에 배치하는 단계, 운반기체와 함께 징크전구체들을 챔버내에 주입하여 기판 상에 징크전구체 반응물을 흡착하는 단계, 질소 또는 불활성 기체를 주입하여 미흡착 분자들을 제거하는 단계, 산소기체를 주입하는 단계, 및 산소전구체를 주입하여, 표면화학반응을 통해 징크옥사이드 박막을 형성하는 단계를 포함하는 c축 배향된 ZnO 박막 제조방법을 개시한다.이와 같은 원자층 증착법에 의한 ZnO 박막의 형성은 300 ℃ 이하에서 가능하므로 저가격, 대면적의 유리 기판을 사용하여도 양질의 c축 배향된 박막을 제공할 수 있는 효과가 있다.ZnO, 원자층 증착법, 완충막, 광소자
Int. CL H01L 33/16 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020020010166 (2002.02.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0455070-0000 (2004.10.21)
공개번호/일자 10-2003-0070675 (2003.09.02) 문서열기
공고번호/일자 (20041106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.02.26)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상희 대한민국 대전광역시유성구
2 이용의 대한민국 서울특별시강동구
3 윤선진 대한민국 대전광역시유성구
4 강영일 대한민국 경기도성남시분당구
5 김용신 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2002-0056915-68
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2002.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2002-5052333-41
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0050867-40
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.04.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0150512-24
6 의견서
Written Opinion		 2004.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2004-0150513-70
7 등록결정서
Decision to grant		 2004.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0434299-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

(a) 기판을 챔버내에 배치하는 단계;

(b) 징크 전구체들을 상기 챔버내에 주입하여 기판 상에 징크전구체 반응물을 흡착하는 단계;

(c) 질소 또는 불활성 기체를 주입하여 미흡착 분자들을 제거하는 단계;

(d) 산소기체를 주입하는 단계;

(e) 물(H2O)을 주입하여, 표면화학반응을 통해 징크옥사이드 박막을 형성하는 단계; 및

(f) 질소 또는 불활성 기체를 주입하여 미흡착 분자 및 표면화학 부산물들을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 c축 배향된 ZnO 박막 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 징크 전구체는 다이에틸징크 또는 다이메틸징크인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 c축 배향된 ZnO 박막 제조방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (d) 단계와 상기 (e) 단계 사이에, 질소 또는 불활성 기체를 주입하여 퍼지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 c축 배향된 ZnO 박막 제조방법

4 4

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (a) 단계 내지 (f) 단계를 복수회 수행하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 c축 배향된 ZnO 박막 제조방법

5 5

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 (0001) 배향성을 갖는 알루미나 또는 ScMgAlO4 단결정 기판, 유리 기판, 또는 비정질 기판인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 c축 배향된 ZnO 박막 제조 방법

6 6

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 원자층 증착법은 트레블링 웨이브 리액터 타입, 리모트 플라즈마 원자층 증착법, 및 다이렉트 플라즈마 원자층 증착법 중 하나인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 c축배향된 ZnO 박막 제조 방법

7 7

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 70 내지 300 도인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 c축 배향된 ZnO 박막 제조 방법

8 8

기판;

제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 c축 배향된 ZnO 박막 제조방법을 이용하여 형성된 완충막; 및

상기 완충막상에 GaN을 소재로 제조된 발광 구조체를 포함하여 이루어진 광소자

9 9

(a) 기판을 챔버내에 배치하는 단계;

(b) 징크 전구체들을 상기 챔버내에 주입하여 기판 상에 징크전구체 반응물을 흡착하는 단계;

(c) 질소 또는 불활성 기체를 주입하여 미흡착 분자들을 제거하는 단계;

(d) 물(H2O)을 공기(Air)로 운반하여 주입하여, 표면화학반응을 통해 징크옥사이드 박막을 형성하는 단계; 및

(e) 질소 또는 불활성 기체를 주입하여 미흡착 분자 및 표면화학 부산물들을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 c축 배향된 ZnO 박막 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.