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전계 방출 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015078470
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계 방출 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 기존 실리콘 반도체 공정을 이용하여 나노 미터 크기의 홀을 형성하고, 나노 미터 크기의 홀에 에미터를 형성하여 전계 방출 소자를 제조함으로써, 구동 전압을 감소시켜 소비전력을 낮출 수 있는 전계 방출 소자의 제조 방법이 개시된다. 나노 홀, 삼극형 전계 방출 소자, 반도체 공정, 탄소나노튜브, 나노 입자막, 금속 팁
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020010086836 (2001.12.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0441751-0000 (2004.07.15)
공개번호/일자 10-2003-0056574 (2003.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20040727) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.12.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성덕 대한민국 대전광역시유성구
2 이진호 대한민국 대전광역시유성구
3 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-0351463-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0040954-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0428966-37
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-0506771-03
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0038111-24
8 의견서
Written Opinion		 2004.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2004-0045062-49
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.02.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0045061-04
10 등록결정서
Decision to grant		 2004.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0278650-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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실리콘 기판의 소정 영역을 목표 두께로 식각하여 돌출부를 형성하고, 산화 공정으로 상기 돌출부의 표면을 산화시켜 상기 돌출부의 두께를 얇게 만든 후, 상기 돌출부의 표면의 산화막을 제거하여 실리콘 로드를 형성하는 단계;

상기 실리콘 기판에 에미터 전극을 형성하는 단계;

상기 실리콘 로드 사이에 절연층을 형성하는 단계;

상기 절연층 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;

상기 실리콘 로드를 제거하여 상기 절연층에 상기 에미터 전극을 노출시키는 나노미터 크기의 나노 홀을 형성하는 단계; 및

상기 나노 홀에 에미터를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 전계 방출 소자의 제조 방법

7 7

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8 8

제 6 항에 있어서,

상기 에미터 전극은 상기 실리콘 기판에 불순물이 주입되어 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

9 9

제 8 항에 있어서,

상기 불순물은 N-타입 불순물인 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

10 10

제 6 항에 있어서,

상기 나노 홀을 형성한 후 상기 나노 홀 저면의 상기 에미터 전극 상부에 촉매층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

11 11

제 6 항에 있어서,

상기 에미터는 탄소나노튜브, 나노 입자막 및 금속 팁 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

12 12

제 11 항에 있어서,

상기 에미터가 상기 탄소나노튜브 및 상기 나노 입자막 중 어느 하나로 형성될 경우 상기 에미터는 상기 나노 홀 저면의 상기 에미터 전극 상부에 촉매층을 형성하는 단계와,

상기 촉매층 상부로 상기 탄소나노튜브 및 상기 나노 입자막 중 어느 하나를 성장시키는 단계를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

13 13

제 10 항 또는 제 12 항에 있어서,

상기 촉매층은 전기화학 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

14 14

제 11 항에 있어서,

상기 에미터가 금속 팁으로 형성될 경우 상기 에미터는 에미터 전극을 성장시켜 나노 홀의 하부에 에미터 성장층을 형성하는 단계와,

게이트 전극 및 절연층 상부에 희생 금속층을 형성하는 단계와,

직진성이 뛰어난 증착 장비를 이용하여 나노 홀 내부에 금속 물질을 증착하여 금속 팁을 형성하는 단게와,

상기 희생 금속층을 제거하는 단계를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

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제 14 항에 있어서,

상기 희생 금속층은 알루미늄이나 통상적으로 다른 박막에 영향을 주지 않는 범위에서 리프트 오프가 가능한 물질로 이루어지며, 전자빔 증발법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조 방법

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5 US20040090162 US 미국 FAMILY

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1 JP2003203556 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP3583766 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2003122466 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2004090162 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US6729923 US 미국 DOCDBFAMILY
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