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전력 집적회로 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015078475
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판 상에 절연막 및 실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI 구조의 기판을 이용한 고전압 전력 집적회로 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘층 상에 산화막 및 감광막을 순차적으로 형성한 후 트랜치 마스크를 사용한 사진작업으로 감광막을 패터닝하는 단계와, 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 산화막을 패터닝한 후 잔류된 감광막을 제거하는 단계와, 패터닝된 산화막을 마스크로 이용하여 절연막이 노출될 때까지 실리콘층을 식각하여 트랜치를 형성하는 단계와, 트랜치를 포함하는 전체 상부면에 질화막을 형성한 후 열처리하고 트랜치가 매립되도록 전체 상부면에 다결정 실리콘을 증착하는 단계와, 실리콘층이 노출될 때까지 다결정 실리콘 및 질화막을 순차적으로 제거하여 표면을 평탄화시킴으로써 트랜치 내에 소자 간의 전기적 분리를 위한 소자분리막이 형성되도록 하는 단계를 포함하여 이루어지며, 고전압 전력소자와 로직 CMOS 소자 간의 트랜치 격리면적을 효과적으로 감소시키고 깊은 우물의 농도 조절을 용이하게 한다.전력 집적회로, 트랜치 격리, 질화막, 소자분리, 확산
Int. CL H01L 21/76 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010085165 (2001.12.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0418435-0000 (2004.02.02)
공개번호/일자 10-2003-0054758 (2003.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20040214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.12.26)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노태문 대한민국 대전광역시유성구
2 이대우 대한민국 대전광역시유성구
3 양일석 대한민국 대전광역시유성구
4 박일용 대한민국 경기도평
5 김상기 대한민국 대전광역시유성구
6 구진근 대한민국 대전광역시유성구
7 김종대 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-0346549-95
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0029481-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0471638-75
6 의견서
Written Opinion		 2004.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2004-0016727-23
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0016726-88
8 등록결정서
Decision to grant		 2004.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0028174-57
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판 상에 절연막 및 실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI 구조의 기판을 이용한 고전압 전력 집적회로 소자의 제조 방법에 있어서,

상기 실리콘층 상에 산화막 및 감광막을 순차적으로 형성한 후 트랜치 마스크를 사용한 사진작업으로 상기 감광막을 패터닝하는 단계와,

패터닝된 상기 감광막을 마스크로 이용하여 상기 산화막을 패터닝한 후 잔류된 상기 감광막을 제거하는 단계와,

패터닝된 상기 산화막을 마스크로 이용하여 상기 절연막이 노출될 때까지 상기 실리콘층을 식각하여 트랜치를 형성하는 단계와,

상기 트랜치를 포함하는 전체 상부면에 질화막을 형성한 후 열처리하고 상기 트랜치가 매립되도록 전체 상부면에 다결정 실리콘을 증착하는 단계와,

상기 실리콘층이 노출될 때까지 상기 다결정 실리콘 및 질화막을 순차적으로 제거하여 표면을 평탄화시킴으로써 상기 트랜치 내에 소자 간의 전기적 분리를 위한 소자분리막이 형성되도록 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전압 전력 집적회로 소자의 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 산화막은 2000 내지 10000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 고전압 전력 집적회로 소자의 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 트랜치는 1 내지 3㎛의 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고전압 전력 집적회로 소자의 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 질화막은 화학증착법으로 증착되며, 1000 내지 10000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 고전압 전력 집적회로 소자의 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 다결정 실리콘은 화학증착법으로 증착되며, 1000 내지 10000Å의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 고전압 전력 집적회로 소자의 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 다결정 실리콘 및 질화막은 감광막을 이용한 에치백 및 화학적 기계적 연마 방법 중 어느 하나의 방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 고전압 전력 집적회로 소자의 제조 방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 트랜치를 형성한 후 전체 상부면에 트랜치용 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전압 전력 집적회로 소자의 제조 방법

8 8

제 7 항에 있어서, 상기 트랜치용 산화막은,

상기 트랜치의 측벽을 산화시켜 제 1산화막을 성장하는 단계; 및

전체 상부면에 제 2산화막을 증착하는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고전압 전력 집적회로 소자의 제조 방법

9 9

제 8 항에 있어서,

상기 제 1산화막은 100 내지 1000Å 두께로 성장되며, 상기 제 2산화막은 1000 내지 5000Å의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 고전압 전력 집적회로 소자의 제조 방법

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1 US06855581 US 미국 FAMILY
2 US20030119229 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003119229 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6855581 US 미국 DOCDBFAMILY
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