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광 크로스 커넥터용 광스위치의 거울면 반사도 개선방법

  • 기술번호 : KST2015078491
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 미러부의 거울면의 거칠기를 개선하여, 난반사를 방지하고 신호광의 감쇄를 방지할 수 있는 광 크로스 커넥터용 광스위치의 거울면 반사도 개선방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 광 크로스 커넥터용 광스위치의 거울면 반사도 개선방법은, 먼저, 측단면에 스켈럽이 발생된 미러부의 측단면에 상기 스켈럽이 메꾸어질 정도의 두께로 알루미늄막을 증착한다음, 상기 알루미늄막을 재결정화하는 단계를 포함한다.광 스위치, 미러, 엑시머 레이저, 반사도
Int. CL G02B 26/00 (2006.01)
CPC G02B 6/3584(2013.01) G02B 6/3584(2013.01) G02B 6/3584(2013.01) G02B 6/3584(2013.01) G02B 6/3584(2013.01) G02B 6/3584(2013.01)
출원번호/일자 1020020006497 (2002.02.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0450767-0000 (2004.09.20)
공개번호/일자 10-2003-0066893 (2003.08.14) 문서열기
공고번호/일자 (20041001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.02.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정문연 대한민국 대전광역시유성구
2 류호준 대한민국 대전광역시유성구
3 이명래 대한민국 대전광역시유성구
4 전치훈 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2002-0037720-72
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0052804-04
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0487290-09
6 의견서
Written Opinion
2004.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2004-0044614-74
7 등록결정서
Decision to grant
2004.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0291407-03
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

측단면에 스켈럽이 발생된 미러부를 제공하는 단계;

상기 미러부의 측단면에 상기 스켈럽이 메꾸어질 정도의 두께로 고반사막을 증착하는 단계; 및

상기 고반사막을 재결정화하는 단계를 포함하는 광 크로스 커넥터용 광스위치의 거울면 반사도 개선방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 측단면에 스켈럽을 갖는 미러부를 제공하는 단계는,

기판, 매몰층 및 실리콘층이 순차적으로 증착된 SOI 기판을 제공하는 단계;

상기 실리콘층을 Deep-RIE 식각 방식으로 식각하여, 미러부를 형성하는 단계를 포함하며,

상기 실리콘층을 Deep-RIE 식각함에 따라, 미러부의 측단면에 스켈럽이 발생하는 것을 특징으로 하는 광 크로스 커넥터용 광스위치의 거울면 반사도 개선방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 고반사막은 알루미늄막인 것을 특징으로 하는 광 크로스 커넥터용 광스위치의 거울면 반사도 개선방법

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 알루미늄막은 1 내지 3 ㎛ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 광 크로스 커넥터용 광스위치의 거울면 반사도 개선방법

5 5

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 고반사막을 재결정화시키는 단계는,

상기 고반사막을 KrF 엑시머 레이저로 어닐링하는 단계인 것을 특징으로 하는 광 크로스 커넥터용 광스위치의 거울면 반사도 개선방법

6 6

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 고반사막을 재결정화시키는 단계는,

상기 고반사막을 ArF 엑시머 레이저로 어닐링하는 단계인 것을 특징으로 하는 광 크로스 커넥터용 광스위치의 거울면 반사도 개선방법

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.