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전계 방출 소자의 ＭＩＭ 에미터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015078542
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계 방출 소자의 MIM(Metal/Insulator/Metal) 에미터의 절연막을 구성하는 원소를 포함하는 전구체들간의 표면화학반응을 이용하여 절연막을 형성하는 전계 방출 소자 MIM 에미터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해서, 본 발명은 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계, 트리메틸알루미늄 및 물을 포함하는 전구체들 간의 표면화학반응을 통하여 알루미늄옥사이드로 절연막을 형성하는 단계, 및 절연막 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 방출 소자의 MIM 에미터 및 그 제조방법을 제시한다.이와 같은 구성을 통해서, 간단한 공정방법으로 특성이 우수한 에미터를 제조할 수 있고, 다양한 종류의 도전성 물질을 제 1 전극에 채용할 수 있으며, 제 1 전극과 절연막 사이의 계면 특성도 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 전계 방출 소자, 원자층 증착법, MIM 에미터
Int. CL H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1020020025366 (2002.05.08)
출원인 엘지전자 주식회사, 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0464007-0000 (2004.12.20)
공개번호/일자 10-2003-0065262 (2003.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20050103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020020005318   |   2002.01.30
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.05.08)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상희 대한민국 대전광역시유성구
2 윤선진 대한민국 대전광역시유성구
3 이용의 대한민국 서울특별시강동구
4 김용신 대한민국 대전광역시유성구
5 강남석 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2002-0140975-91
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2002.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2002-5115608-13
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2003-0055522-32
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0002160-27
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0073634-03
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2004-0173703-21
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0216245-64
10 의견서
Written Opinion		 2004.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-0216239-90
11 등록결정서
Decision to grant		 2004.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0495277-82
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1

기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와;

상기 제 1 전극 상에 트레블링 웨이브 리액터 타입, 리모트 플라즈마 원자층 증착법, 및 다이렉트 플라즈마 원자층 증착법 중 선택된 하나의 원자층 증착법으로 알루미늄 전구체와 산소 전구체들간의 표면화학반응을 통하여 알루미늄옥사이드의 절연막을 형성하는 단계와;

상기 절연막 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 상기 알루미늄 전구체는 트리메틸알루미늄 또는 트리에틸알루미늄, 상기 산소 전구체는 물(H2O), 오존 또는 산소 플라즈마를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 ITO막인 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터 제조방법

4 4

제1항에 있어서 상기 제 1전극은 2중막으로 금속막과 기타 전도성 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터 제조방법
5 5

제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 30 내지 200Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터 제조방법

6 6

삭제
7 7

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극을 형성하는 단계 및 상기 절연막을 형성하는 단계는 챔버 내에서 연속공정으로 진행하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터 제조방법

8 8

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 알루미늄으로 형성하고, 상기 절연막은 알루미늄옥사이드로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터 제조방법

9 9

제 2 항에 있어서, 상기 절연막을 형성하는 단계는,

상기 제 1 전극이 형성된 상기 기판을 챔버 내에 배치하는 제 1 단계;

운반기체와 함께 트리메틸알루미늄을 챔버 내에 주입하여 상기 제 1 전극 상에 알루미늄 전구체 반응물을 흡착하는 제 2 단계;

질소 또는 불활성 기체를 주입하여 미흡착 분자들을 제거하는 제 3 단계;

물 또는 오존을 주입하여 상기 트리메틸알루미늄과 표면화학반응을 통해 알루미늄옥사이드 박막을 형상하는 제 4 단계; 및

질소 또는 불활성 기체를 주입하여 미흡착 분자들을 제거하는 제 5 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터 제조방법

10 10

제 9 항에 있어서, 상기 절연막을 형성하는 단계는, 상기 제 1 내지 제 5 단계를 복수 회 반복 실시하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터 제조방법

11 11

기판 상에 형성된 제 1 전극과;

상기 제 1 전극 상에 원자층 증착법으로 알루미늄 전구체와 산소 전구체들간의 표면화학반응을 통하여 알루미늄옥사이드로 형성된 절연막과;

상기 절연막 상에 형성된 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터

12 12

제 11 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 ITO막인 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터

13 13

제 11 항에 있어서, 상기 절연막은 30 내지 200Å 두께인 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터

14 14

제11항에 있어서, 상기 제 1전극은 2중 막이며, 금속막 위에 기타 다른 전도성 박막이 위치하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터

15 15

제 11 항에 있어서, 상기 알루미늄전구체는 트리메틸알루미늄 또는 트리에틸알루미늄, 상기 산소 전구체는 물(H2O), 오존 또는 산소 플라즈마를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 MIM 에미터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.