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강유전체 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015078591
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강유전체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상부에 실리콘 질화막을 형성한 후 그 상부에 하부 전극, 강유전체막 및 상부 전극을 형성함으로써 실리콘 질화막이 하부 전극과 강유전체막에 인위적인 스트레스를 가하도록 하여 우수한 강유전체막 특성이 나타나게 하고, 이에 따라 강유전체막이 높은 잔류 분극 특성과 낮은 누설 전류 특성을 유지하는 우수한 전기적 특성을 갖게 되어 이 구조를 이용하여 DRO형 메모리 소자의 단위 소자 및 다양한 형태의 적외선 소자, 압전 소자 등에 사용될 수 있는 강유전체 소자 및 그 제조 방법이 제시된다.강유전체, 레드 지르코늄 타이타늄 산화막, 실리콘 질화막, 저압화학기상증착, 하부 전극, 강유전체 소자, 스핀 코팅법, 스트레스
Int. CL H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01)
출원번호/일자 1020020028064 (2002.05.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0449072-0000 (2004.09.07)
공개번호/일자 10-2003-0090074 (2003.11.28) 문서열기
공고번호/일자 (20040918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.05.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이원재 대한민국 대전광역시유성구
2 류상욱 대한민국 대전광역시서구
3 유인규 대한민국 대전광역시유성구
4 유병곤 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2002-0155161-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.12.18 수리 (Accepted) 9-1-2003-0063930-06
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0012233-34
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0097254-61
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2004-0151052-02
8 의견서
Written Opinion		 2004.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0174299-44
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.04.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0174298-09
10 등록결정서
Decision to grant		 2004.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0356362-94
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판 상에 저압화학기상증착법으로 형성된 실리콘 질화막,

상기 실리콘 질화막 상에 형성된 하부 전극,

상기 하부 전극 상에 형성된 강유전체막,

상기 강유전체막 상에 형성된 상부 전극을 포함하며,

상기 실리콘 질화막이 가지는 신장 내력에 의한 스트레스에 의해 상기 강유전체막의 특성이 변화되도록 구성된 것을 특징으로 하는 강유전체 소자

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 강유전체막은 레드 지르코늄 타이타늄 산화물 박막(Pb(ZrxTi1-x)O3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 소자

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 레드 지르코늄 타이타늄 산화물 박막은 Zr과 Ti의 조성비(Zr/Ti)가 25/75 내지 30/70인 것을 특징으로 하는 강유전체 소자

4 4

실리콘 기판 상에 저압화학기상증착법으로 실리콘 질화막을 형성하는 단계,

상기 실리콘 질화막 상에 하부 전극을 형성하는 단계,

상기 하부 전극 상에 강유전체막을 형성하는 단계,

상기 강유전체막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하며,

상기 실리콘 질화막이 가지는 신장 내력에 의한 스트레스에 의해 상기 강유전체막의 특성이 변화되도록 하는 것을 특징으로 하는 강유전체 소자 제조 방법

5 5

삭제
6 6

제 4 항에 있어서, 상기 강유전체막은 졸-겔 소스를 이용한 스핀 코팅법으로 형성하고 열처리를 실시하여 Zr과 Ti의 조성비(Zr/Ti)가 25/75 내지 30/70이 되도록 형성된 레드 지르코늄 타이타늄 산화물 박막(Pb(ZrxTi1-x)O3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 소자 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.