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입력 패드와 내부 회로 사이에 개재되어, 정전기 유입시 전원 전압 인가부 또는 그라운드로 정전기를 방전시키는 정전기 방지부를 포함하는 정전기 방지 구조체로서, 상기 정전기 방지부는,반도체 기판상에 형성되는 캐소드 전극;상기 캐소드 전극 상부에 형성되는 촉매층;상기 캐소드 전극 상부에 형성되며, 상기 촉매층 및 캐소드 전극의 소정 부분을 오픈시키는 홀을 포함하는 절연층;상기 절연층의 상부 표면 보다 낮은 높이를 가지며, 상기 홀 내부에 형성되는 탄소 나노 튜브; 및상기 절연층 상부에 형성되며 상기 홀을 차폐하도록 형성되는 애노드 전극을 포함하는 정전기 방지 구조체
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입력 패드와 내부 회로 사이에 개재되어, 정전기 유입시 전원 전압 인가부 또는 그라운드로 정전기를 방전시키는 정전기 방지부를 포함하는 정전기 방지 구조체로서,상기 정전기 방지부는 반도체 기판상에 형성되는 캐소드 전극, 상기 캐소드 전극과 일정 거리를 두고 대향되는 애노드 전극, 및 상기 캐소드 전극 표면에 형성되며, 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 전계 형성시 전자를 방출하는 탄소 나노 튜브를 포함하는 한 쌍의 전계 방출 소자를 포함하며, 상기 제 1 의 전계 방출 소자의 캐소드는 상기 입력 패드와 연결되고, 애노드는 전원 전압 인가부 연결되며,상기 제 2 의 전계 방출 소자의 캐소드는 접지부와 연결되고 애노드는 입력 패드와 연결되는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 구조체
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입력 패드와 내부 회로 사이에 개재되어, 정전기 유입시 전원 전압 인가부 또는 그라운드로 정전기를 방전시키는 탄소 나노 튜브를 갖는 전계 방출 소자를 포함하는 정전기 방지 구조체의 제조방법으로서, 반도체 기판상에 캐소드 전극을 형성하는 단계; 상기 캐소드 전극 상부에 캐소드 전극의 소정 부분을 노출시키는 홀을 포함하는 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상부에 도전층을 형성하는 단계; 상기 홀 내부의 캐소드 전극 상부에 선택적으로 촉매층을 형성하는 단계; 상기 촉매층 상부에 탄소 나노 튜브를 형성하는 단계; 및 상기 도전층 상부에 상기 캐소드 전극층과 대향하도록 애노드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 구조체의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 반도체 기판과 상기 캐소드 전극 사이에 절연층을 더 개재하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 구조체의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 홀을 갖는 절연층을 형성하는 단계와, 상기 도전층을 형성하는 단계는, 상기 캐소드 전극이 형성된 반도체 기판 상부에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상부에 도전층을 형성하는 단계; 및 상기 캐소드 전극의 소정 부분이 노출되도록 상기 절연층 및 도전층을 식각하여 홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 구조체의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 캐소드 전극 상부에 선택적으로 촉매층을 형성하는 단계는, 상기 도전층 상부 및 측벽 표면에 희생 금속막을 형성하는 단계; 상기 희생 금속막 상부 및 캐소드 전극 상부에 촉매층을 형성하는 단계; 및 상기 희생 금속막을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 희생 금속막 제거시 상기 희생 금속막 상부의 촉매층이 리프트 오프되는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 구조체의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 희생 금속막은 이온 빔 증착 방식으로 증착하되 이온 빔을 소정 각도 틸트시켜서 증착하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 구조체의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브는 화학 증착 방식에 의하여 수직 배향되는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 구조체의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 애노드 전극을 형성하는 단계는, 상기 도전층 상부에 상기 홀을 차폐하도록 애노드 전극용 도전층을 증착하는 단계; 상기 애노드용 도전층 상부에 배선용 금속막을 증착하는 단계; 및 상기 배선용 금속막 및 애노드 전극용 도전층을 소정 부분 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 구조체의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 애노드 전극용 도전층은 이온 빔 증착 방식으로 증착하되 이온 빔을 소정 각도 틸트시켜서 증착하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 구조체의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 애노드 전극용 도전층은 이온 빔 증착 방식으로 증착하되 이온 빔을 소정 각도 틸트시켜서 증착하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 구조체의 제조방법
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